ASMT-Bx20
基于PCB微型灯（ PCB PolyLED ）
数据表
描述
Avago的ASMT - BX20是一种环境友好的绿色
独特的PCB基于超小型灯具产品，
即PCB PolyLED 。这些聚LED进来的未着色，
非扩散方案，以满足不同的产品主题
和易用性处理应用程序。
小尺寸，窄的尺寸，以及高亮度
使这些优良的LED背光，状态指示
化和面板照明应用。
可用颜色的AllnGaP红，绿的AllnGaP ，
的InGaN蓝色和黄色的AllnGaP 。
为了方便取放操作时，这些印刷电路板
聚LED出货卷带式，用1500单位
每卷。该软件包是用回流焊兼容
并分级由两个颜色和强度。
特点
小脚印
有四种颜色
低功耗
非漫射穹顶高亮度
最高的产品质量和可靠性
-40工作温度范围
°C
至+ 85°C
在7 “卷轴直径8mm带包
兼容的自动贴装设备
兼容红外线和汽相回流焊
焊接工艺
应用
面板指示灯
LCD背光
符号背光
按键背光
室内单/全彩标志
包装尺寸
注意事项：
1.以毫米为单位所有尺寸。
2.公差是为±0.1mm ，除非另有规定。
在T光学特性
A
= 25
°
C
发光强度
I
V [1]
（ MCD ） @ 20毫安
典型值。
750
650
650
650
产品型号
AMBER的AlInGaP
绿色的AlInGaP
的AlInGaP红色
InGaN蓝光
峰值波长
λpeak
（纳米）
典型值。
59
565
635
470
优势
波长
λ
d [2]
（纳米）
典型值。
590
569
66
468
视角
2θ
1/2 [3]
（度）
典型值。
15
15
15
15
注意事项：
1.发光强度IV的测量是在所述空间辐射方向图的哪个可以不与LED的机械轴对准的峰值
封装。
2.主波长
λ
d
中，从在CIE色度图上来自和表示设备所感知的颜色。
3.
θ
1/2
是离轴角，光强是＆ frac12 ;的峰强度。
光强度（I
V
）斌限制
[1]
滨ID
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
公差： ±15 ％
绿色垃圾箱
[1]
滨ID
1
3
4
5
公差： ± 1纳米
亮度（mcd ）
最低
最大
45.00
71.50
11.50
180.00
85.00
450.00
715.00
115.00
1800.00
850.00
71.50
11.50
180.00
85.00
450.00
715.00
115.00
1800.00
850.00
4500.00
占主导地位的波长（nm ）
最低
最大
561.5
564.5
567.5
570.5
573.5
564.5
567.5
570.5
573.5
576.5
红色垃圾桶
[1]
滨ID
-
公差： ± 1纳米
占主导地位的波长（nm ）
最低
最大
60.0
635.0
颜色斌限制
[1]
琥珀色箱
[1]
滨ID
1
3
4
5
6
公差： ± 1纳米
蓝色垃圾箱
[1]
占主导地位的波长（nm ）
最低
最大
58.0
584.5
587.0
589.5
59.0
594.5
584.5
587.0
589.5
59.0
594.5
597.0
滨ID
1
3
4
公差： ± 1纳米
占主导地位的波长（nm ）
最低
最大
460.0
465.0
470.0
475.0
465.0
470.0
475.0
480.0
注意事项：
1.斌类别都建立了产品分级。产品可能并不适用于所有类别的可用。请联系您的安华高
代表当前掌握的信息箱。
3
1.0
相对强度
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
380
的AllnGaP
红
氮化铟镓
蓝
的AllnGaP
绿色
的AllnGaP
AMBER
480
580
波长 - 纳米
680
780
图3.推荐的焊接焊盘图形。
注意事项：
1.所有尺寸为毫米（英寸） 。
2.公差是为±0.1mm （ ± 0.004英寸），除非另有说明。
图4.相对强度与波长
相对发光强度
（归一20毫安）
35
正向电流 - 毫安
30
25
的AllnGaP
20
氮化铟镓
15
10
5
0
0
1
2
3
4
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
正向直流电流 - 毫安
氮化铟镓
的AllnGaP
正向电压 - V
图5.正向电流与正向电压
图6.相对发光强度与正向直流电流
最大正向电流 - 毫安
35
的AllnGaP
归一化强度
100
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
环境温度 - C
氮化铟镓
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-90
-60
-30
0
30
60
90
角位移 - 学位
图7.最大正向电流与环境温度
对于基于TJMAX = 95 °的AllnGaP &的InGaN降额
图8.辐射方向图
4
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