AMMC-5024
数据表
30千赫 - 40 GHz的行波放大器
描述
Avago Technologies' AMMC-5024 is a broadband PHEMT
砷化镓MMIC TWA专为中等输出功率和高增益： 16分贝
high gain over the full 30 KHz to 40 GHz frequency
增益平坦度： ± 0.75分贝
range. The design employs a 9-stage,cascade-connected
FET结构，以确保平坦增益和功率以及单向
形式的群延迟。电子束光刻是用于生产
为0.15mm和分子束外延技术均匀的栅极长度
保证精确的半导体层的控制。对于改善
可靠性和防潮保护，模具被钝化
在有源区。
特点
宽的频率范围： 30千赫 - 40 GHz的
回波损耗：
输入：13分贝，输出： 13分贝
中等功率：P - 1分贝= 22.5 dBm的22 GHz的
低噪声系数：7.4分贝26 GHz的
应用
通讯系统
微波仪器
光学系统
需要平坦的增益和群宽带应用
延迟优异的输入和输出端口相匹配过
the 30 KHz and 40 GHz frequency range
芯片尺寸：
芯片厚度：
垫尺寸：
2350 x 1050 m (92.5 x 41.3 mils)
100 ± 10 m (4 ± 0.4 mils)
80 x 80 m (2.95 x 0.4 mils)
芯片尺寸公差： ± 10微米（ ± 0.4密耳）
绝对最大额定值
[1]
符号
V
dd
I
dd
V
g1
I
g1
V
g2
I
g2
P
in
T
ch
T
b
T
STG ...
T
最大
参数/条件
正漏极电压
总漏电流
第一栅极电压
第一栅电流
第二栅极电压
第二栅极电流
CW输入功率
工作通道温度
工作温度背面
储存温度
Max. Assembly Temp (60 sec max)
单位
V
mA
V
mA
V
mA
dBm的
°C
°C
°C
°C
分钟。
-9.5
-38
-3.5
-20
-55
-65
马克斯。
10
340
0
+1
+4
17
+150
+165
+300
注意事项：
对于连续操作1.绝对最大额定值，除非另有说明。
AMMC - 5024直流规格/物理性能
[1]
符号
I
DSS
V
p
V
g2
I
dsmin
(V
g1
)
I
dsmin
(V
g2
)
θ
CH -B
参数和测试条件
饱和漏极电流（V
dd
=7 V, V
g1
=0 V, V
g2
=开路）
第一门夹断电压（V
dd
=7 V, I
dd
=30 mA, V
g2
=开路）
第二栅自偏置电压（V
dd
=7 V, I
dd
= 200 mA, V
g2
=开路）
第一栅最小漏电流
(V
dd
=7 V, V
g1
=-7 V, V
g2
=开路）
第二栅最小漏电流
(V
dd
=7 V, V
g1
=0 V, V
g2
= -3.5 V)
热？电阻
[2]
（背面温度T
b
= 25°C)
单位
mA
V
V
mA
mA
° C / W°
分钟。
265
典型值。
350
-8.2
2.75
47
105
52
马克斯。
385
RF规格高功率应用
[2, 3]
(V
dd
=7 V, I
dd
(Q)=200 mA, Z
in
= Z
o
=50Ω
符号
|S
21
|
2
|S
21
|
2
RL
in
RL
OUT
|S
12
|
2
P
-1dB
P
SAT
OIP3
NF
参数和测试条件
小信号增益
小信号增益平坦度
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
Output Power @ 1 dB Gain Compression
饱和输出功率
f = 22 GHz
f = 22 GHz
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBm的
dBm的
dBm的
dB
dB
分钟。
14
12
10
26
21
23
27
典型值。
16
±0.75
16.9
16.8
28
22.5
24.5
30
4.6
7.2
马克斯。
18
±2
Output 3
rd
截点
Rf
in1
的Rf =
in2
= 2 dBm时， F = 22 GHz时， ΔF = 2 MHz的
噪声系数（V
ds
= 3V, I
ds
= 140 mA)
f = 26 GHz
f = 40 GHz
6.5
9
RF规格高增益和低功耗应用
[2, 3]
(V
dd
=4 V, I
dd
(Q)=160 mA, Z
in
= Z
o
=50Ω
符号
|S
21
|
2
|S
21
|
2
RL
in
RL
OUT
|S
12
|
2
P
-1dB
P
SAT
OIP3
NF
参数和测试条件
小信号增益
小信号增益平坦度
最小输入回波损耗
最小输出回波损耗
隔离
Output Power @ 1 dB Gain Compression
饱和输出功率
f = 22 GHz
f = 22 GHz
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBm的
dBm的
dBm的
dB
dB
分钟。
典型值。
17.5
±1.5
13
13
30
17.3
20.5
22.5
3.7
5.5
马克斯。
Output 3
rd
截点
Rf
in1
的Rf =
in2
= 2 dBm时， F = 22 GHz时， ΔF = 2 MHz的
噪声系数
f = 26 GHz
f = 40 GHz
注意事项：
1. Backside temperature T
b
= 25°C unless otherwise noted.
以晶圆形式，T 2，测量数据
夹头
= 25°C
3. 100 ％的晶片RF测试完成后，在频率= 2， 10 ，20，30和40千兆赫，除非另有说明。
2
AMMC - 5024直流规格/物理性能
[1]
符号
I
DSS
V
p
V
g2
I
dsmin
(V
g1
)
I
dsmin
(V
g2
)
θ
CH -B
参数和测试条件
饱和漏极电流（V
dd
=7 V, V
g1
=0 V, V
g2
=开路）
第一门夹断电压（V
dd
= 7 V，I
dd
= 30 mA时， V
g2
=开路）
第二栅自偏置电压（V
dd
= 7 V，I
dd
= 200毫安， V
g2
=开路）
第一栅最小漏电流
(V
dd
= 7 V, V
g1
= -7 V, V
g2
=开路）
第二栅最小漏电流
(V
dd
= 7 V, V
g1
= 0 V, V
g2
= -3.5 V)
热阻
[2]
（背面温度T
b
= 25°C)
单位
mA
V
V
mA
mA
° C / W
分钟。
250
典型值。
304
-8.2
2.75
47
105
52
马克斯。
350
68
128
RF规格高功率应用
[3,4]
(V
dd
= 7 V，I
dd
（ Q） = 200毫安，Z
in
= Z
o
=50
符号
|S
21
|
2
|S
21
|
2
RL
in
RL
OUT
|S
12
|
2
P
-1dB
P
SAT
OIP3
NF
参数和测试条件
小信号增益
小信号增益平坦度
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
输出功率@ 1 dB增益压缩
饱和输出功率
输出3
rd
截点
Rf
in1
- 射频
in2
= 2 dBm时， F = 22千兆赫，
f
= 2 MHz的
噪声系数（V
ds
= 3V ，我
ds
= 140 mA）的
F = 26 GHz的
F = 40 GHz的
F = 22 GHz的
F = 22 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
分钟。
14
典型值。
16
±0.75
马克斯。
18
±1.5
12
10
26
21
23
27
16.9
16.8
28
22.5
24.5
30
4.6
7.2
6.5
9
RF规格高增益和低功耗应用
[3,4]
(V
dd
= 4 V，I
dd
（ Q） = 160毫安，Z
in
= Z
o
=50
符号
|S
21
|
2
|S
21
|
2
RL
in
RL
OUT
|S
12
|
2
P
-1dB
P
SAT
OIP3
NF
参数和测试条件
小信号增益
小信号增益平坦度
最小输入回波损耗
最小输出回波损耗
隔离
输出功率@ 1 dB增益压缩
饱和输出功率
输出3
rd
截点
Rf
in1
- 射频
in2
= 2 dBm时， F = 22千兆赫，
f
= 2 MHz的
噪声系数
F = 26 GHz的
F = 40 GHz的
F = 22 GHz的
F = 22 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
分钟。
典型值。
17.5
±1.5
13
13
30
17.3
20.5
22.5
3.7
5.5
马克斯。
注意事项：
1.背面温度T
b
= 25_C除非另有说明。
2.通道到背面热阻（ θ
CH -B
）=在T 61 ° C / W
通道
(T
c
）= 150℃，作为使用液晶的方法测定。在热阻
背面温度（T
b
）=从测量数据计算25 ℃。
以晶圆形式，T测量3.数据
夹头
= 25°C
4. 100 ％的晶片RF测试完成后，在频率= 2， 10 ，20，30和40千兆赫，除非另有说明。
2
QQ：2880707522 复制
