AME公司
AME8847
n
概述
积极的AME8847 ,线性稳压器具有低
静态电流( 30μA典型值)与低压差,
使它们非常适用于电池供电的应用。在节省空间
节能SOT- 223 & SOT- 89封装是有吸引力
"Pocket"和"Hand Held"应用。
这些坚固的设备有两个热关断,并
电流折返,以防止在"Worst"设备故障
操作条件。
该AME8847是稳定的输出电容
2.2μF或更大。
800毫安CMOS LDO
n
功能框图
IN
OUT
过电流
关闭
热
关闭
R1
AMP
n
特点
l
非常低的压差电压
l
保证800毫安输出
l
精度为+ 1.5 %
l
30μA静态电流
l
过温关断
l
限流
l
短路电流折返
l
节省空间的SOT -223 & SOT- 89封装
l
出厂预设输出电压
l
低温COEF网络cient
l
所有AME的无铅产品符合RoHS指令
标准
IN
V
REF
=1.215V
R2
GND
n
典型用途
AME8847
OUT
GND
OUT
IN
C1
5V
1F
C2
2.2F
n
应用
l
仪器仪表
l
便携式电子产品
l
无线设备
l
无绳电话
l
PC外设
l
电池供电的小工具
Rev.A.01
1
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AME8847
n
订购信息
产品型号
AME8847AEFT180Z
AME8847AEGT180Z
AME8847AEFT250Z
AME8847AEGT250Z
AME8847AEFT330Z
AME8847AEGT330Z
800毫安CMOS LDO
标记*
A8847
A18ww
BHIyww
A8847
A25ww
BHJyww
A8847
A33ww
BFWyww
输出电压
1.8V
1.8V
2.5V
2.5V
3.3V
3.3V
包
SOT-89
SOT-223
SOT-89
SOT-223
SOT-89
SOT-223
工作环境
温度范围
- 40
o
C至85
o
C
- 40
o
C至85
o
C
- 40
o
C至85
o
C
- 40
o
C至85
o
C
- 40
o
C至85
o
C
- 40
o
C至85
o
C
注: WW & YWW表示日期代码请参见日期编码规则的封装尺寸。
*第一个字母的顶部的线代表无铅电镀,如A8847
详情请咨询AME销售办事处或授权代表/分销商对输出电压和封装类型的可用性。
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AME8847
n
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电流
输入,输出电压
ESD分类
800毫安CMOS LDO
最大
8
1
GND - 0.3 V
IN
+ 0.3
B*
单位
V
A
V
注意:上面压力的上市绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。
* HBM B: 2000V 3999V
n
推荐工作条件
参数
环境温度范围
结温范围
存储温度范围
符号
T
A
T
J
T
英镑
等级
- 40-85
- 40 125
- 65 150
单位
o
o
o
C
C
C
n
热信息
参数
热电阻*
(结点到外壳)
包
SOT-89
芯片粘接
符号
θ
JC
最大
46
单位
o
C / W
SOT-223
SOT-89
SOT-223
SOT-89
31
180
θ
JA
135
550
P
D
mW
800
350
o
o
热阻
(结到环境)
非导电
环氧树脂
C / W
内部功耗
SOT-223
烙铁(10秒) **
C
*测量
θ
JC
在标签的背面中心。
** MIL -STD- 202G 210F
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电气规格
T
A
= 25
O
C除非另有说明
参数
输入电压
输出电压精度
符号
V
IN
V
OUT
I
OUT
= 800毫安
V
OUT
= V
OUT ( NOM )
- 2.0%
I
OUT
= 1毫安
1.8V < = V
OUT ( NOM )
< = 2.0V
2.0V < V
OUT ( NOM )
< = 2.8V
2.8V < V
OUT ( NOM )
输出电流
输出电流限制
输出短路电流
静态电流
接地引脚电流
输出电压线路
规
输出电压负载
规
热关断
温度
滞回温
输出电压温度
系数
电源的纹波
拒绝
I
OUT
I
LIM
I
SC
I
Q
I
GND
V
OUT
> = 1.8V
V
OUT
> = 1.8V
V
OUT
& LT ; 0.8V
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 1mA至800毫安
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= V
OUT
+ 1至V
OUT
+ 2
1.8V < = V
OUT
< = 2.0V
2.0V < V
OUT
& LT ; 4.0V
V
OUT
> = 4.0V
REG
负载
T
SHDN
T
HYS
T
C
F = 100Hz的
PSRR
I
OUT
= 100毫安
C
OUT
= 2.2
F
F = 10Hz至100kHz
I
OUT
= 10毫安
F = 1kHz时
F = 10kHz的
C
OUT
= 2.2
F
I
OUT
= 1mA至800毫安
-0.15
-0.1
-0.4
0.02
0.2
0.2
150
30
30
60
50
20
30
VRMS
dB
800
900
400
30
35
0.15
0.1
0.4
1
%
o
800毫安CMOS LDO
测试条件
民
注1
-1.5
典型值最大值单位
7
1.5
1400
SEE
1000
图表
800
mV
V
%
输入输出电压差
V
降
mA
mA
800
50
mA
A
A
REG
LINE
%
C
C
o
PPM /
o
C
输出电压噪声
e
N
注1 : V
IN(分钟)
= V
OUT
+ V
降
注2 :为防止过早激活的短路电流保护功能,输入电压必须
施加一个电流源施加负荷前。
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