补充
Am29LV200B已知合格芯片
2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）
CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存，模具修改过程1
特色鲜明
■
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取和写入操作
电池供电应用
■
在0.32微米制程技术制造的
■
高性能
—
60R, 70, 90, 120
ns访问时间
■
低功率消耗（典型值
5兆赫）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
■
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
7 64K字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
7 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
■
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
■
顶部或底部启动块配置
■
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
■
最低百万写周期保证
每个扇区
■
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
■
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
■
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
■
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
■
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
■
20年的数据保存在125
°
C
■
经测试数据表规格的
温度
■
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
■
500微米或280微米芯片厚度的运输方式
出版＃
26014
启：
A
Amendment/+2
发行日期：
2003年11月18日
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
该Am29LV200B在已知合格芯片（ KGD ）的形式是
2兆， 3.0伏只闪存。 AMD KGD的定义
作为标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
以质量为AMD的产品包装形式。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时，通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程的注射
化。
Am29LV200B特点
该Am29LV200B是2兆， 3伏，仅限于Flash
内存组织为262,144字节或131,072字。
字级数据（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 ;该
字节宽的（x8 ）数据显示在DQ7 - DQ0 。为了消除
内特总线争用该设备具有单独的芯片
使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3伏电源
用于读取和写入功能。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压
和擦除操作。无V
PP
需要计划
或擦除操作。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
电气规格
请参考Am29LV200B数据表，全电
规格Am29LV200B在KGD形式。
2
Am29LV200B已知合格芯片
2003年11月18日
的SuI P P L E M E N牛逼
产品选择指南
系列型号
速度选项
稳压电压范围： V
CC
= 3.0–3.6 V
全电压范围： V
CC
= 2.7–3.6 V
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问时间， NS （T
CE
)
最大OE ＃访问时间， NS （T
OE
)
60
60
30
70
70
30
60R
70R
70
90
120
Am29LV200B
70
70
30
90
90
35
120
120
50
DIE PHOTOGRAPH
DIE焊盘位置
9
8
7
6
5
4
3
2
1 43 42 41 40 39 38 37 36 35
10
11
12
34
33
32
AMD标识的位置
22
13 14 15 16 17 18 19 20 21
23
24 25 26 27 28 29 30 31
2003年11月18日
Am29LV200B已知合格芯片
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的SuI P P L E M E N牛逼
PAD描述（相对于V
CC
)
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
信号
V
CC
DQ4
DQ12
DQ5
DQ13
DQ6
DQ14
DQ7
DQ15/A–1
V
SS
BYTE ＃
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
WE＃
RESET＃
RY / BY ＃
没有连接
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
垫中心（密耳）
X
Y
0.00
0.00
–12.10
0.00
–18.00
0.00
–23.90
0.00
–29.80
0.00
–35.60
0.00
–41.50
0.00
–47.40
0.00
–53.30
0.00
–62.70
–1.50
–62.70
–11.60
–62.70
–21.70
–62.40
–112.50
–55.00
–112.50
–49.60
–112.50
–43.80
–112.50
–38.40
–112.50
–32.50
–112.50
–27.10
–112.30
–21.20
–112.50
–15.70
–112.50
–6.20
–116.30
11.10
–116.30
不适用
不适用
28.90
–112.50
34.30
–112.50
40.20
–112.50
45.60
–112.50
51.40
–112.50
56.80
–112.50
64.20
–112.50
64.50
–21.90
64.50
–11.80
64.50
–1.70
55.10
0.90
47.50
0.00
41.60
0.00
35.80
0.00
29.80
0.00
24.00
0.00
18.10
0.00
12.30
0.00
6.30
0.00
垫中心（毫米）
X
Y
0.00
0.00
–0.31
0.00
–0.46
0.00
–0.61
0.00
–0.76
0.00
–0.90
0.00
–1.05
0.00
–1.20
0.00
–1.35
0.00
–1.59
–0.04
–1.59
–0.29
–1.59
–0.55
–1.58
–2.86
–1.40
–2.86
–1.26
–2.86
–1.11
–2.86
–0.98
–2.86
–0.83
–2.86
–0.69
–2.85
–0.54
–2.86
–0.40
–2.86
–0.16
–2.95
0.28
–2.95
不适用
不适用
0.73
–2.86
0.87
–2.86
1.02
–2.86
1.16
–2.86
1.31
–2.86
1.44
–2.86
1.63
–2.86
1.64
–0.56
1.64
–0.30
1.64
–0.04
1.40
0.02
1.21
0.00
1.06
0.00
0.91
0.00
0.76
0.00
0.61
0.00
0.46
0.00
0.31
0.00
0.16
0.00
注意：
上面的坐标是相对于垫1的中心，并且可以被用来操作引线接合设备。
2003年11月18日
Am29LV200B已知合格芯片
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