Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK63264BZ SRAM模块由快高
性能的SRAM安装在一个低的高度， 64针的SIM或ZIP
董事会。该模块采用4个32针64K ×8的SRAM 300万
SOJ包和4去耦电容安装在前
一个印刷电路板的一侧。
所用的SRAM具有通用I / O功能和单输出恩
能功能。此外，四个独立片选（ CE ）连接
用于独立地使所述四个字节。这些模块可以是
在各种访问时间值从12nSEC到35nSEC供给
在CMOS或BiCMOS技术。
该Accutek模块被设计为具有一个最大落座高度
的0.520英寸，提供最低高度离板。每
符合JEDEC标准的尺寸和引脚配置。
使用两个引脚用于模块的密度识别， PD
0
和PD
1
，迷你
当改变mizes互换性和设计考虑
从一个模块大小的其他客户的应用程序。
AK63264BZ
65,536 ×32位CMOS / BiCMOS工艺
静态随机存取存储器
前视图
1
32
33
64
·
有128K ×32 （ AK632128 ） ，向上兼容256K ×32
（ AK632256 ） ， 512K ×32 （ AK632512 ）和梅格1 ×32
(AK6321024)
·
TTL兼容的输入和输出
·
单5伏电源 - AK63264BZ
·
单3.3伏电源 - AK63264BZ / 3.3
·
工作温度范围在自由空气中， 0
0
70
0
C
特点
·
65,536 ×32位的组织
·
JEDEC标准的64引脚ZIP格式
·
通用I / O ，单OE类函数有四个单独的芯片SE-
脉冲编码（ CE）
·
低高度0.520英寸最大
·
设备检测， PD
0
和PD
1
识别模块密度
·
Downard用32K ×32 （ AK63232 ）兼容
·
从12nSEC快速存取时间
电气规格
时序图和基本电气特性是那些
标准64K ×8的SRAM用于构建这些模块。
Accutek的模块化设计允许选择行业的灵活性
尝试兼容的几个半导体制造64K ×8的SRAM
商。
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
15
CE
1
- CE
4
DQ
1
- DQ
32
OE
PD
0
- PD
1
VCC
VSS
WE
NC
地址输入
芯片使能
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源
地
写使能
无连接
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
CE4
CE3
NC
NC
OE
VSS
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
DQ28
DQ20
A3
A10
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
DQ24
DQ32
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VSS
PD0
PD1
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
DQ4
DQ12
VCC
A0
A7
A1
A8
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A2
A9
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
DQ16
DQ8
VSS
WE
A15
A14
CE2
CE1
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
模块选项
含铅邮编： AK63264BZ
13
14
15
16
PD
0
=打开
PD
1
VSS =
订购信息
部件编码释义
位置
1
2
产品
AK = Accutek记忆
TYPE
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
4096 = 4 MEG
256 = 256K
8192 = 8 MEG
1024 = 1 MEG 16384 = 16
MEG
套餐类型
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
10 = 10纳秒
70 = 70纳秒
12 = 12纳秒
80 = 80 ns的
15 = 15纳秒
1
2
3
4
5
6
7
8
机械尺寸
英寸
顶视图ZIP
1
2
3
4
5
6
3
59
60
61
62
63
4
64
.100 x .100
角切迹
0.125
0.155
5
0.520
最大
C
L
0.125
0.135
6
CC
L L
7
0.050
典型值
3.590
3.610
CC
L L
8
0.100
典型值
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用的，但显示为最广泛使用的变型的例子。
联系Accutek如果需要其他信息。
示例：
AK63264BZ-12
64K ×32 ， 12纳秒， SRAM模块， ZIP配置，低高度
CC
L L
0.200
最大
0.100
典型值
ACCUTEK微型电路股份有限公司
商务中心纽伯里波特
2新的草地ROAD ， SUITE 1
纽伯里波特， MA 01950-4054
VOICE ： 978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
sales@accutekmicro.com
互联网： www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK63264A SRAM模块由快高
性能的SRAM安装在一个低的高度， 64针的SIM或ZIP
董事会。该模块采用4个32针64K ×8的SRAM 300万
SOJ包和4去耦电容安装在前
一个印刷电路板的一侧。
所用的SRAM具有通用I / O功能和单输出恩
能功能。此外，四个独立片选（ CE ）连接
用于独立地使所述四个字节。这些模块可以是
在各种访问时间值从12nSEC到35nSEC供给
在CMOS或BiCMOS技术。
该Accutek模块被设计为具有一个最大落座高度
的0.600英寸，以提供高度最低离板。每
符合JEDEC标准的尺寸和引脚配置。
使用两个引脚用于模块的密度识别， PD
0
和PD
1
，迷你
当改变mizes互换性和设计考虑
从一个模块大小的其他客户的应用程序。
AK63264AW
65,536 ×32位CMOS / BiCMOS工艺
静态随机存取存储器
前视图
1
32
33
64
·
有128K ×32 （ AK632128 ） ，向上兼容256K ×32
（ AK632256 ） ， 512K ×32 （ AK632512 ）和梅格1 ×32
(AK6321024)
·
TTL兼容的输入和输出
·
单5伏电源 - AK63264AW
·
单3.3伏电源 - AK63264AW / 3.3
·
工作温度范围在自由空气中， 0
0
70
0
C
特点
·
65,536 ×32位的组织
·
JEDEC标准的64引脚SIM卡或ZIP格式
·
通用I / O ，单OE类函数有四个单独的芯片SE-
脉冲编码（ CE）
·
高度低， 0.600英寸最大
·
设备检测， PD
0
和PD
1
识别模块密度
·
Downard用32K ×32 （ AK63232W ）兼容
·
快速访问， ES玻璃钢， 12nSEC
电气规格
时序图和基本电气特性是那些
标准64K ×8的SRAM用于构建这些模块。
Accutek的模块化设计允许选择行业的灵活性
尝试兼容的几个半导体制造64K ×8的SRAM
商。
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
15
CE
1
- CE
4
DQ
1
- DQ
32
OE
PD
0
- PD
1
VCC
VSS
WE
NC
地址输入
芯片使能
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源
地
写使能
无连接
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
CE4
CE3
NC
NC
OE
VSS
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
DQ28
DQ20
A3
A10
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
DQ24
DQ32
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VSS
PD0
PD1
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
DQ4
DQ12
VCC
A0
A7
A1
A8
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A2
A9
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
DQ16
DQ8
VSS
WE
A15
A14
CE2
CE1
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
模块选项
无铅SIM卡： AK63264AW
13
14
15
16
PD
0
=打开
PD
1
VSS =
订购信息
部件编码释义
位置
1
2
产品
AK = Accutek记忆
TYPE
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
4096 = 4 MEG
256 = 256K
8192 = 8 MEG
1024 = 1 MEG 16384 = 16
MEG
套餐类型
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
10 = 10纳秒
70 = 70纳秒
12 = 12纳秒
80 = 80 ns的
15 = 15纳秒
1
2
3
4
5
6
7
8
机械尺寸
英寸
0.600
最大
0.425
0.375
3
0.250
4
0.090
0.070
5
CC
L L
6
0.050
典型值
3.840
3.860
CC
L L
7
.130
.120
8
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用的，但显示为最广泛使用的变型的例子。
联系Accutek如果需要其他信息。
示例：
AK63264AW-12
64K ×32 ， 12纳秒， SRAM模块， SIM卡配置，低高度
0.200
最大
.053
.047
ACCUTEK微型电路股份有限公司
商务中心纽伯里波特
2新的草地ROAD ， SUITE 1
纽伯里波特， MA 01950-4054
电话：
978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
sales@accutekmicro.com
互联网： www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK63232Z SRAM模块由快高perfor-的
曼斯静态存储器安装在低调， 64引脚ZIP局。该
模块采用4引脚28 32K ×8 SRAM的300万SOJ包装
与安装在一个前侧4的去耦电容
印刷电路板。
所用的SRAM具有通用I / O功能和单输出恩
能功能。此外，四个独立片选（ CE ）连接
用于独立地使所述四个字节。这些模块可以是
从8毫微秒中的各种访问时间值提供到45毫微秒
在CMOS或BiCMOS技术。
该Accutek模块被设计为具有一个最大落座高度
0.500英寸。该模块符合JEDEC标准的尺寸和
引出脚配置。这，与使用两个引脚模块
存储密度的识别， PD
0
和PD
1
，最小化
更改时的互换性和设计考虑
一个模块的尺寸与其它的客户应用程序。
AK63232Z
32,768 ×32位CMOS / BiCMOS工艺
静态随机存取存储器
顶视图
64引脚ZIP
1
32
33
64
·
用64K ×32 （ AK63264 ） ，向上兼容256K ×32
（ AK632256 ） ， 512K ×32 （ AK632512 ）和梅格1 ×32
(AK6321024)
·
设备检测， PD
0
和PD
1
识别模块密度
·
快速访问时间从8纳秒的BiCMOS到45纳秒
CMOS
·
TTL兼容的输入和输出
·
单5伏电源 - AK63232Z
·
单3.3伏电源 - AK63232Z / 3.3
·
工作温度范围在自由空气中， 0
0
C至70
0
C
特点
·
32,768 ×32位的组织
·
JEDEC标准的64引脚ZIP格式
·
通用I / O ，具有四个独立的单芯片OE功能
选择（ CE）
·
高度低， 0.500英寸的最大高度就座
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
14
CE
1
- CE
4
DQ
1
- DQ
32
OE
PD
0
- PD
1
VCC
VSS
WE
地址输入
芯片使能
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源
地
写使能
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
A0
-
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VSS
PD0
PD1
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
DQ4
DQ12
VCC
A0
A7
A1
A8
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A2
A9
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
DQ16
DQ8
VSS
WE
NC
A14
CE2
CE1
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
CE4
CE3
NC
NC
OE
VSS
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
DQ28
DQ20
A3
A10
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
DQ24
DQ32
VSS
15
AO-
A14
OE
WE
OE
WE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
CE
CE1
AO-
DQ1
A14
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
CE
CE2
AO-
DQ1
A14
模块选项
含铅邮编： AK63232Z
12
13
14
15
16
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
CE
CE3
AO-
DQ1
A14
PD0 =打开
PD1 =打开
CE4
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
CE
订购信息
部件编码释义
位置
1
产品
1 2 3 4 5 6 7 8
机械尺寸
英寸
顶视图ZIP
1
2
AK = Accutek记忆
4
3
2
TYPE
6
5
3
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
256 = 256K
1024 = 1 MEG
套餐类型
4096 =
8192 =
16384 =
4兆
8兆
16 MEG
59
60
61
62
64
63
.100 x .100
角切迹
4
0.125
0.155
0.500
最大
5
6
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
12 = 12纳秒
70 = 70纳秒
15 = 15纳秒
80 = 80 ns的
20 = 20纳秒
1
C
L
0.125
0.135
CC
LL
32
0.050
典型值
7
3.590
3.610
33
C C
L L
0.100
典型值
8
64
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用但被示出为最广泛使用的杂物 - 实例
系统蒸发散。联系Accutek如果需要其他信息。
0.100
典型值
示例：
AK63232Z-12
32K ×32 ， 12纳秒SRAM模块ZIP
ACCUTEK微型电路股份有限公司
商务中心纽伯里波特
2新的草地ROAD ， SUITE 1
纽伯里波特， MA 01950-4054
电话：
978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
sales@accutekmicro.com
互联网：
www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
C C
L L
0.200
最大
Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK63232W SRAM模块由快高perfor-的
曼斯静态存储器安装在低调， 64管脚SIM局。该
模块采用4引脚28 32K ×8的SRAM在SOJ包装和
4去耦电容器的芯片上的电路板的一侧。
销1
AK63232W
32,768 ×32位CMOS / BiCMOS工艺
静态随机存取存储器
销1
销1
销1
所用的SRAM具有通用I / O功能和单输出恩
能功能。此外，四个独立片选（ CE ）连接
用于独立地使所述四个字节。这些模块可以是
从12毫微秒中的各种访问时间值提供给
45纳秒的CMOS或BiCMOS技术。
该Accutek模块是专为高度最低落板，
与常用的SRAM SOJ的可用性一致
封装配置。每个符合JEDEC - 标准尺寸
和引脚配置。这，与使用两个引脚用于模
ULE存储密度的识别， PD
0
和PD
1
，最小化
更改时的互换性和设计考虑
一个模块的尺寸与其它的客户应用程序。
1
特点
·
32,768 ×32位的组织
·
JEDEC标准化的64针SIM格式
·
通用I / O ，具有四个独立的单芯片OE功能
选择（ CE）
·
高度低， 0.600英寸最大，安装在直线上升或
倾斜的SIM卡插槽
·
向上兼容64K ×32 ， AK63264W ， 256K ×32 ，
AK6322W和1兆×32 ， AK6321024W设计
·
设备检测， PD
0
和PD
1
识别模块密度
·
快速访问时间为12纳秒的BiCMOS到45纳秒
CMOS
·
TTL兼容的输入和输出
·
单5伏电源 - AK63232W
·
单3.3伏电源 - AK63232W / 3.3
·
工作温度范围在自由空气中， 0
0
C至70
0
C
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
14
CE
1
- CE
4
DQ
1
- DQ
32
OE
PD
0
- PD
1
VCC
VSS
WE
地址输入
芯片使能
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源
地
写使能
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
A0
-
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VSS
PD0
PD1
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
DQ4
DQ12
VCC
A0
A7
A1
A8
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A2
A9
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
DQ16
DQ8
VSS
WE
NC
A14
CE2
CE1
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
CE4
CE3
NC
NC
OE
VSS
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
DQ28
DQ20
A3
A10
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
DQ24
DQ32
VSS
15
AO-
A14
OE
WE
OE
WE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
CE
CE1
AO-
DQ1
A14
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
CE
CE2
AO-
DQ1
A14
模块选项
无铅SIM卡： AK63232W
含铅SIP ： AK63232G
12
13
14
15
16
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
CE
CE3
AO-
DQ1
A14
PD0 =打开
PD1 =打开
CE4
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
CE
订购信息
部件编码释义
位置
1
产品
AK = Accutek记忆
2
TYPE
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
256 = 256K
1024 = 1 MEG
套餐类型
4096 =
8192 =
16384 =
4兆
8兆
16 MEG
1 2 3 4 5 6 7 8
机械尺寸
英寸
0.600
最大
0.245
0.255
3
0.075
0.085
1
4
销1
0.050
典型值
5
CC
LL
6
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
12 = 12纳秒
70 = 70纳秒
15 = 15纳秒
80 = 80 ns的
20 = 20纳秒
R = 0.062
典型值
C C
L L
0.125
典型值
销1
3.585
销1
3.840
3.860
7
销1
8
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用但被示出为最广泛使用的杂物 - 实例
系统蒸发散。联系Accutek如果需要其他信息。
0.200
最大
0.047
0.053
示例：
AK63232W-12
32K ×32 ， 12纳秒SRAM SIM模块
ACCUTEK微型电路股份有限公司
商务中心纽伯里波特
2新的草地ROAD ， SUITE 1
纽伯里波特， MA 01950-4054
电话：
978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
sales@accutekmicro.com
互联网：
www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK63216Z SRAM模块由快高perfor-的
曼斯静态存储器安装在低调， 64引脚ZIP局。该
模块采用4引脚28 32K ×8 SRAM的300万SOJ包装
与安装在一个前侧4的去耦电容
印刷电路板。消除了30针，使一个16K ×32位MOD-
ULE采用四32K ×8的SRAM 。
所用的SRAM具有通用I / O功能和单输出恩
能功能。此外，四个独立片选（ CE ）连接
用于独立地使所述四个字节。这些模块可以是
从8毫微秒中的各种访问时间值提供到45毫微秒
在CMOS或BiCMOS技术。
该Accutek模块被设计为具有一个最大落座高度
0.500英寸。该模块符合JEDEC标准的尺寸和
引出脚配置。这，与使用两个引脚模块
存储密度的识别， PD
0
和PD
1
，最小化
更改时的互换性和设计考虑
一个模块的尺寸与其它的客户应用程序。
AK63216Z
16,384 ×32位CMOS / BiCMOS工艺
静态随机存取存储器
顶视图
64引脚ZIP
1
32
33
64
·
用32K ×32 （ AK63232 ） 64K ×32向上兼容
（ AK63264 ） ， 256K ×32 （ AK632256 ） ， 512K ×32 （ AK632512 ）
1梅格×32 （ AK6321024 ）
·
设备检测， PD
0
和PD
1
识别模块密度
·
快速访问时间从8纳秒的BiCMOS到45纳秒
CMOS
·
TTL兼容的输入和输出
·
单5伏电源 - AK63216Z
·
单3.3伏电源 - AK63216Z / 3.3
·
工作温度范围在自由空气中， 0
0
C至70
0
C
特点
·
16,384 ×32位的组织
·
JEDEC标准的64引脚ZIP格式
·
通用I / O ，具有四个独立的单芯片OE功能
选择（ CE）
·
高度低， 0.500英寸的最大高度就座
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
13
CE
1
- CE
4
DQ
1
- DQ
32
OE
PD
0
- PD
1
VCC
VSS
WE
地址输入
芯片使能
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源
地
写使能
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
CE4
CE3
NC
NC
OE
VSS
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
DQ28
DQ20
A3
A10
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VSS
PD0
PD1
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
DQ4
DQ12
VCC
A0
A7
A1
A8
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A2
A9
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
DQ16
DQ8
VSS
WE
NC
NC
CE2
CE1
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
A0
-
A13
14
敖 -
DQ1
A13
OE
WE
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
CE
CE1
敖 -
A13
OE
WE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
CE
CE2
敖 -
A13
模块选项
含铅邮编： AK63216Z
12
13
14
15
16
DQ31
DQ24
DQ32
VSS
WE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
CE
CE3
敖 -
DQ1
A13
DQ2
PD0 =打开
PD1 =打开
CE4
OE
WE
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
CE
订购信息
部件编码释义
位置
1
产品
1 2 3 4 5 6 7 8
机械尺寸
英寸
顶视图ZIP
1
2
AK = Accutek记忆
4
3
2
TYPE
6
5
3
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
256 = 256K
1024 = 1 MEG
套餐类型
4096 =
8192 =
16384 =
4兆
8兆
16 MEG
59
60
61
62
64
63
.100 x .100
角切迹
4
0.125
0.155
0.500
最大
5
6
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
12 = 12纳秒
70 = 70纳秒
15 = 15纳秒
80 = 80 ns的
20 = 20纳秒
1
C
L
0.125
0.135
CC
LL
32
0.050
典型值
7
3.590
3.610
33
C C
L L
0.100
典型值
8
64
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用但被示出为最广泛使用的杂物 - 实例
系统蒸发散。联系Accutek如果需要其他信息。
0.100
典型值
示例：
AK63216Z-12
16K ×32 ， 12纳秒SRAM模块ZIP
ACCUTEK微型电路股份有限公司
商务中心纽伯里波特
2新的草地ROAD ， SUITE 1
纽伯里波特， MA 01950-4054
电话：
978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
sales@accutekmicro.com
互联网：
www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
C C
L L
0.200
最大
Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK48256高密度内存模块是一个随机
组织了256K ×8位字存取存储器。装配
由八个标准256K ×1的DRAM中的塑料有引线芯片
载体（ PLCC）安装在印刷电路板的前侧。
该模块可以被配置为一个无引线30垫SIM或含铅
30引脚SIP 。这种包装方法提供了一个6比1的密度IN-
抗皱超过标准DIP封装。
该AK48256的操作等同于8 256K ×1的DRAM 。
所述数据输入连接到该数据输出，并分别引出
每个设备，与普通RAS ， CAS和WE控制。这
通用I / O功能要求使用的早期写周期，以防止
D和Q的争自写使能（ WE）信号必须始终
如何去低CAS之前，在写周期，读写和
读 - 修改 - 写操作是不可能的。
AK48256S / AK48256G
262,144 ×8位MOS
动态随机存取存储器
前视图
30引脚SIM卡
1
30
30引脚SIP
1
特点
·
262,144 8位机构
·
可选的30焊盘的无铅SIM （单列直插模块）或30
含铅引脚SIP （单列直插封装）
·
JEDEC标准引脚
·
每个设备都有共同的D和Q线与普通RAS ，
CAS和WE控制
·
2.8瓦有源和180 mW的待机（最大值）
·
工作自由的空气温度0
0
C至70
0
C
·
与AK481024 ， AK581024 ， AK584096和向上兼容
AK5816384
·
在功能上与AK58256A引脚兼容
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
8
DQ
1
- DQ
8
CAS
RAS
WE
VCC
VSS
NC
地址输入
数据输入/出
列地址选通
行地址选通
写使能
5V电源
地
无连接
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
DQ5
A8
NC
NC
DQ6
WE
VSS
DQ7
NC
DQ8
NC
RAS
NC
NC
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VCC
CAS
DQ ！
A0
A1
DQ2
A2
A3
VSS
DQ3
A4
A5
DQ4
A6
A7
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
模块选项
无铅SIM卡： AK48256S
含铅SIP ： AK48256G
12
13
14
15
订购信息
部件编码释义
位置
1
2
产品
AK = Accutek记忆
TYPE
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
4096 = 4 MEG
256 = 256K
8192 = 8 MEG
1024 = 1 MEG 16384 = 16 MEG
套餐类型
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
10 = 10纳秒
70 = 70纳秒
12 = 12纳秒
80 = 80 ns的
15 = 15纳秒
1
2
3
4
5
6
7
8
机械尺寸
英寸
3
0.685
0.635
4
0.425
0.375
.100
.060
0.100
典型值
0.685
0.635
0.325
0.275
5
1
1
0.100
典型值
0.100
T.P.
6
3.100
3.090
3.525
3.475
7
0.024
0.016
30
8
0.100
典型值
0.053
0.047
0.200"
最大
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用的，但显示为最广泛使用的变型的例子。
联系Accutek如果需要其他信息。
示例：
AK48256SP-10
256K ×8 ， 100纳秒DRAM 30引脚SIM配置，页面模式
AK48256GK-80
256K ×8 ， 80纳秒DRAM 30引脚SIP配置，静态列模式
ACCUTEK微型电路股份有限公司
商务中心纽伯里波特
2新的草地ROAD ， SUITE 1
纽伯里波特， MA 01950-4054
VOICE ： 978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
sales@accutekmicro.com
互联网： www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何responsibil-
性对使用上述任何电路的;任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含最小和马克西 -
根据设计目标妈咪的限制，这是受
经鉴定全改过来了具体的操作条件
系统蒸发散。
