Burr Brown的产品
德州仪器（TI）
ADS8472
SLAS514 - 2006年12月
16位， 1 MSPS的，伪双极全差动输入，微
采样模拟数字转换器，并行接口，
参考
特点
应用
医疗器械
0至1 MHz的采样率
光网络
±0.4
LSB的典型值，
±0.65
LSB INL最大值
传感器接口
±0.3
LSB的典型值，
±0.5
LSB DNL最大值
高精度数据采集系统
16位NMC有保证的过热
磁力
±0.1-mV
偏移误差
±0.05-PPM/°C
失调误差漂移
描述
±0.035
％ FSR增益误差
该ADS8472是16位， 1 MSPS A / D转换器
±0.4-PPM/°C
增益误差漂移
有内部4.096 V参考和
信噪比可达95dB ，总谐波失真-120dB ， SFDR 123分贝
伪双极全差动输入。该装置
包括一个16位基于电容的SAR A / D转换器
零延迟
与固有的采样和保持。该ADS8472报价
低功耗： 225 mW的1 MSPS
一个完整的16位接口或者使用两个8位总线选
单极性差分输入范围： V
REF
到-vref
读周期。
板载参考6 PPM / ° 漂移
该ADS8472可在一个48引脚QFN 7x7的
板载基准缓冲器
封装，其特征在于在工业
-40 ° C至85° C温度范围。
高速并行接口
宽数字电源2.7 V至5.25 V
8位/ 16位总线传输
48引脚的7x7 QFN封装
高速SAR转换器系列
类型/速度
500千赫
ADS8383
= 600千赫
ADS8381
ADS8380 （S）
750千赫
1兆赫
ADS8481
1.25兆赫
2兆赫
3兆赫
4MHz
18位伪的Diff
18位伪双极全的Diff
ADS8327
16位伪的Diff
ADS8328
16位伪双极全的Diff
ADS8406
14位伪的Diff
12位伪的Diff
ADS7886
ADS7890 （S）
ADS7883
ADS8413 （S）
ADS7891
ADS7881
ADS8372 （S）
ADS8472
ADS8405
ADS8402
ADS8410 （S）
ADS8412
ADS8422
ADS8382 （S）
ADS8370 （S）
ADS8371
ADS8482
ADS8471
ADS8401
ADS8411
特区
+ IN
In
REFIN
4.096-V
国内
参考
+
_
华助会
比较
产量
锁存器
和
3-State
DRIVERS
字节
16-/8-Bit
并行DA TA
输出总线
REFOUT
时钟
转变
和
控制逻辑
CONVST
忙
CS
RD
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
ADS8472
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订购信息
(1)
模型
最大
积分
线性
（ LSB ）
最大
迪FF erential
线性度（ LSB ）
无失码
分辨率（位）
包
TYPE
包
代号
回火 - ATURE
范围
订购
信息
TRANS -PORT
媒体数量。
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
ADS8472IRGZT
ADS8472I
±1
±0.75
16
7x7的48脚
QFN
罗格列酮
-40 ° C至85°C
ADS8472IRGZR
ADS8472IBRGZT
ADS8472IB
±0.65
±0.5
16
7x7的48脚
QFN
罗格列酮
-40 ° C至85°C
ADS8472IBRGZR
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
+ IN至AGND
-IN至AGND
电压
+ VA至AGND
+ VBD到BDGND
+ VA至+ VBD
数字输入电压BDGND
数字输出电压BDGND
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
结温（T
J
MAX ）
QFN封装
焊接温度，焊接
(1)
功耗
θ
JA
热阻抗
气相（60秒）
红外（ 15秒）
-0.4 + VA + 0.1
-0.4 + VA + 0.1
-0.3 7
-0.3 7
-0.3 2.55
-0.3 + VBD + 0.3
-0.3 + VBD + 0.3
-40到85
-65到150
150
(T
J
马克斯 - T的
A
)/θ
JA
22
215
220
° C / W
°C
°C
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
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特定网络阳离子
T
A
= -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 3 V或5 V ，V
REF
= 4.096 V，F
样品
= 1 MSPS的（除非另有说明）
参数
模拟量输入
满量程输入电压
(1)
绝对输入电压
共模输入范围
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
(2)
测试条件
民
典型值
最大
单位
+在 - （ -In ）
+ IN
In
–V
REF
–0.2
–0.2
(V
REF
)/2 – 0.2
(V
REF
)/2
65
1
V
REF
V
REF
+ 0.2
V
REF
+ 0.2
(V
REF
)/2 + 0.2
V
V
V
pF
nA
16
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
在DC （ ± 0.2 V左右V
REF
/2)
+ IN - （ -IN ） = 1 VPP在1 MHz
V
REF
= 4.096 V
V
REF
= 4.096 V
–0.1
–0.1
16
16
–1
–0.65
–0.75
–0.5
–0.5
–0.5
±0.4
±0.4
±0.3
±0.3
±0.1
±0.1
±0.05
±0.05
±0.035
±0.035
±0.4
±0.4
65
55
25
在1FFFFH输出代码
60
0.1
0.1
1
0.65
0.75
0.5
0.5
0.5
位
位
最低位
（16位）
(3)
最低位
（16位）
mV
积分线性度
差分线性
偏移误差
(4)
失调误差温度漂移
增益误差
(4) (5)
PPM /°C的
％ FS
％ FS
PPM /°C的
增益误差温度漂移
共模抑制比
噪音
电源抑制比
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
dB
V
RMS
dB
625
320
350
650
ns
ns
1
4
5
150
150
兆赫
ns
ps
ns
ns
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
理想的输入范围，不包括增益或失调误差。
这是端点INL ，不是最合适的。
LSB表示至少显著位
测得的相对理想的满量程输入 - 的8.192 V [ + IN（ -IN ）
本规范不包括内部基准电压误差和漂移。
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3
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规格（续）
T
A
= -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 3 V或5 V ，V
REF
= 4.096 V，F
样品
= 1 MSPS的（除非另有说明）
参数
动态特性
ADS8472I
ADS8472IB
总谐波失真（ THD ）
(1)
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
信噪比（SNR）的
(1)
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
信号与噪声+失真比（SINAD ）
(1)
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
无杂散动态范围（ SFDR ）
(1)
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
-3dB小信号带宽
V
IN
= 8 V
pp
在2kHz的
V
IN
= 8 V
pp
在20千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在2kHz的
V
IN
= 8 V
pp
在20千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在2kHz的
V
IN
= 8 V
pp
在20千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在2kHz的
V
IN
= 8 V
pp
在20千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
94
94
94
94
–120
–121
-105
-110
-100
-103
95.1
95.3
95
95.1
93
94.5
95
95.2
94.5
95
92
94
120
123
107
113
102
105
15
兆赫
dB
dB
dB
dB
测试条件
民
典型值
最大
单位
(1)
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
4
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规格（续）
T
A
= -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 3 V或5 V ，V
REF
= 4.096 V，F
样品
= 1 MSPS的（除非另有说明）
参数
参考电压输入
参考电压REFIN ，V
REF
参考阻力
(1)
参考电流消耗
内部基准电压
内部基准电压源启动时间
参考电压范围，V
REF
源出电流
线路调整
漂移
数字输入/输出
逻辑系列-CMOS
V
IH
逻辑电平
V
IL
V
OH
V
OL
数据格式 - 直二进制
电源要求
电源
电压
电源电流
(2)
功耗
(2)
温度范围
工作自由空气
–40
85
°C
+ VBD
+ VA
f
s
= 1兆赫
f
s
= 1兆赫
2.7
4.75
3.3
5
45
225
5.25
5.25
50
250
V
V
mA
mW
I
IH
= 5
A
I
IL
= 5
A
I
OH
= 2 TTL负载
I
OL
= 2 TTL负载
+ VBD - 1
–0.3
+ VBD - 0.6
+ VBD + 0.3
0.8
V
从95％ （ + VA） ，用1μF存储电容器
I
O
= 0
静载荷
+ VA = 4.75 V 5.25 V
I
O
= 0
60
±6
4.081
4.096
120
4.111
10
ms
V
A
V
PPM /°C的
f
s
= 1兆赫
3.0
4.096
500
1
+ VA - 0.8
V
k
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
(1)
(2)
可以改变
±20%
这仅包括+ VA电流。 + VBD电流是典型的1毫安对所有输出引脚5 pF负载电容。
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5
QQ：2881677436 复制
