初步
Am29LV008T/Am29LV008B
8兆位（ 1,048,576 ×8位） CMOS 3.0伏只，
扇形闪存
3.0 V-仅限于Flash
特色鲜明
s
单电源工作
- 扩展电压范围： 2.7 3.6伏读
写电池供电操作
应用
- 标准电压范围： 3.0 3.6伏读
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
高性能
- 扩展电压范围：存取时间快
100纳秒
- 标准电压范围：存取时间快
90纳秒
s
超低功耗
- 自动休眠模式： 200 nA的典型
- 待机模式： 200 nA的典型
- 读取模式：2毫安/ MHz的典型
- 编程/擦除模式：20 mA典型
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64 KB的行业
- 支持对控制代码和数据存储
单设备
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 自动嵌入式擦除算法
预编程和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
编写和验证，在特定网络版字节或字
地址
s
每次最少100,000次写周期保证
扇形
s
封装选项
- 40针TSOP
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据轮询和切换位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙脚
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复功能
- 提供暂停擦除的能力
在任何扇区的操作，从读数据或
节目数据的任何其他扇区，然后返回到
原来的部门和完成初始擦除
手术
s
硬件复位引脚（ RESET）
- 硬件方法的设备复位到读
模式
概述
该Am29LV008是8兆， 3.0伏只闪存存储器
储器组织为512 KB的每个8位。对于灵活的
擦除和编程能力，在512 Kbits的数据是
分为19个扇区1个16字节的，两个8字节，
1个32字节，而网络fteen 64字节。出现数据
在DQ0 - DQ7 。该Am29LV008提供了40针
TSOP封装。此装置的设计是亲
编程在系统的标准系统3.0伏
V
CC
供应量。该设备也可以在重新编程
标准EPROM编程器。
该Am29LV008提供两个级别的性能。
在网络连接第一个层面提供存取时间快100纳秒用
A V
CC
的范围内可低至2.7伏，这是最佳的
电池供电的应用。第二个层次提供
出版＃
20511
启：
C
Amendment/+1
发行日期：
1997年5月
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
P L I M I N A R
90 ns访问时间，优化的系统性能
其中，电源是在3.0的规定范围内
3.6伏。消除总线竞争，该设备具有
独立的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE） ，和
输出使能（ OE ）控制。
该Am29LV008完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
该Am29LV008通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
程序算法，它是一个内部算法，该算法
自动时间的编程脉冲宽度和veri-
科幻ES适当的细胞保证金。该设备由execut-擦除
荷兰国际集团擦除命令序列。这将调用
嵌入式擦除算法，它是一种内部algo-
rithm自动preprograms数组，如果是
尚未编程，执行擦除前
操作。在擦除，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
范围在1.0秒。该Am29LV008完全擦除
出厂的时候。
该Am29LV008器件还具有硬件部门
保护，通过外部编程来实现
设备，禁用这两个编程和擦除OP-
操作中的存储器扇区的任意组合。
擦除挂起功能允许用户暂停
在擦除操作中，对于任意的时间内，读取数据
从或程序数据到一个扇区为没有被
删除。因此，真正的背景擦除就可以实现。
该器件采用3.0伏特，单电源能操作
ATION的读写功能。内部gen-
erated并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚。 DQ7数据查询，或通过触发位
（ DQ6 ） 。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
完成后，设备会自动重置为
阅读模式。
该Am29LV008也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低，执行
DED编程或擦除算法将被终止。
内部状态机随后被重置成
阅读模式。重置设备将使系
TEM的微处理器读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该Am29LV008内存电擦除
通过福勒同时一个扇区内的所有位
Nordheim隧穿。该字节编程1
在时刻字节使用EPROM编程机器人 -
NISM热电子注入。
2
Am29LV008T/Am29LV008B
P L I M I N A R
引脚配置
A0–A19
DQ0–DQ7
CE
OE
WE
RESET
RY / BY
V
CC
= 20个地址
= 8个数据输入/输出
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=硬件复位引脚，低电平有效
=就绪/忙输出
=标准电压范围
（ 3.0 V至3.6 V）的-90R
扩展电压范围
（2.7 3.6 V ）为-100 ， -120 ， -150
V
SS
NC
=设备接地
=引脚内部没有连接
逻辑符号
20
A0–A19
DQ0–DQ7
3.0 V-仅限于Flash
8
CE （ E）
OE （ G）
WE （W）的
RESET
RY / BY
20511C-3
Am29LV008T/Am29LV008B
5
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