【集成的合成器和VCOADF4360-6特点输出频率范围： 1050 MHz至1250 MHz的除以2】,IC型号ADF4360-6BCPZRL,ADF4360-6BCPZRL PDF资料,ADF4360-6BCPZRL经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成的合成器和VCO

ADF4360-6

特点

输出频率范围： 1050 MHz至1250 MHz的

除以2输出

3.0 V至3.6 V电源供电

1.8 V逻辑兼容

整数N分频合成器

可编程双模前置分频器8/9 ， 16/17 ， 32/33

可编程输出功率水平

3线串行接口

模拟和数字锁定检测

硬件和软件省电模式

概述

该ADF4360-6是一款完全集成的整数N分频合成器和

压控振荡器（VCO）。该ADF4360-6是DE-

签署的1150 MHz的中心频率。此外，二

韦迪×2选项可用，因此用户收到的RF

输出的525 MHz和625 MHz之间的。

所有片内寄存器均通过简单的3线

界面。该器件工作的电源电压范围为

3.0 V至3.6 V和可以关断不使用的时候。

应用

无线手持设备（DECT ，GSM， PCS ，DCS， WCDMA）的

测试设备

无线局域网

有线电视设备

功能框图

SET

ADF4360-6

多路复用器

REF

14位R

计数器

LOCK

检测

CLK

数据

24-BIT

数据寄存器

24-BIT

功能

LATCH

相

比较

VCO

TUNE

MUTE（静音）

MUXOUT

收费

泵

整

VCO

CORE

产量

舞台

OUT

13位乙

计数器

预分频器

P/P+1

负载

5位A

计数器

OUT

N = （ BP + A）

多路复用器

DIVSEL = 1

÷2

AGND

DGND

CPGND

图1 。

REV 。一

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传真： 781.326.8703

04440-001

DIVSEL = 2

ADF4360-6

规格................................................. .................................... 3

时序特性................................................ ..................... 5

绝对最大额定值............................................... ............. 6

晶体管数量................................................ ........................... 6

ESD注意事项................................................ .................................. 6

引脚配置和功能说明............................. 7

典型性能特征............................................. 8

电路说明................................................ ........................... 9

参考输入部分............................................... ................ 9

预分频器（P / P + 1 ） .......................................... .............................. 9

A和B计数器.............................................. ........................... 9

v计数器................................................ ...................................... 9

PFD和电荷泵.............................................. .................. 9

MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10

输入移位寄存器............................................... ...................... 10

VCO ................................................. ............................................ 10

输出级................................................ ................................ 11

锁存结构................................................ ........................... 12

上电............................................... ...................................... 16

控制锁存................................................ .............................. 18

N计数器锁存............................................... .......................... 19

v计数器锁存............................................... .......................... 19

应用................................................. .................................... 20

直接变频调制器............................................... ... 20

固定频率LO ............................................... .................... 21

接口................................................. .................................. 21

PCB设计指南芯片级封装........................... 22

输出匹配................................................ ........................ 22

外形尺寸................................................ ....................... 23

订购指南................................................ .......................... 23

修订历史

12月4日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

更改规格............................................... ................. 3

更改时序特性.............................................. 5 ..

更改加电科............................................ .......... 16

添加表10 ............................................... ................................ 16

补充图16 ............................................... ............................... 16

更改订购指南.............................................. ............ 23

更新的外形尺寸............................................... ........ 23

11月3日 - 修订版0 ：初始版

版本A |页24 2

ADF4360-6

特定网络阳离子

= V

VCO

= 3.3 V± 10 ％ ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表1中。

参数

REF

特征

REF

输入频率

REF

输入灵敏度

REF

输入电容

REF

输入电流

相位检测器

鉴相器频率

电荷泵

吸入/源

高价值

低价值

SET

范围

三态泄漏电流

漏极和源极电流匹配

与V

与温度的关系

逻辑输入

INH

，输入高电压

INL

，输入低电压

INH

INL

，输入电流

，输入电容

逻辑输出

，输出电压高

，高输出电流

，输出低电压

电源

VCO

DD4

VCO4 ， 5

RFOUT4

低功耗睡眠模式

RF输出特性

VCO的输出频率

VCO灵敏度

锁定时间

频推（开环）

频率牵引（开环）

谐波含量（二）

谐波含量（三）

输出功率

5, 7

输出功率变化

VCO调谐范围

B版本

10/250

0.7/AV

0至AV

5.0

±100

单位

MHz的最小/最大

V P-P最小/最大

V最大

pF的最大

μA（最大值）

兆赫最大

有R

SET

= 4.7 k.

2.5

0.312

2.7/10

0.2

1.5

0.6

±1

3.0

– 0.4

500

0.4

3.0/3.6

2.5

19.0

3.5至11.0

1050/1250

400

13.5/4.5

±3

1.25/2.5

毫安（典型值）

nA的典型值

％（典型值）

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的最大

V分钟

μA（最大值）

V最大

V MIN / V最大

CMOS输出选择。

= 500 A.

条件/评论

对于f < 10兆赫，采用直流耦合的CMOS兼容

方波，转换速率> 21 V / μs的。

AC耦合。

CMOS兼容。

1.25 V ≤ V

≤ 2.5 V.

1.25 V ≤ V

≤ 2.5 V.

= 2.0 V.

毫安（典型值）

μA （典型值）

MHz的最小/最大

兆赫/ V （典型值）

微秒（典型值）

兆赫/ V （典型值）

kHz的典型值

dBc的典型值

dBm的典型值

dB典型值

V最小/最大

CORE

= 10 mA的电流。

RF输出级是可编程的。

CORE

= 10 mA的电流。

要在最终的频率为10赫兹。

到2.00 VSWR负载。

可编程3 dB的步长。见表7 。

对于调整负载，请参阅输出匹配部分。

版本A |第24 3

ADF4360-6

参数

噪声特性

VCO相位噪声性能

B版本

110

132

141

147

172

163

147

0.64

单位

dBc的/赫兹（典型值）

度（典型值）

dBc的典型值

dBm的典型值

条件/评论

@ 100千赫从载波偏移。

@ 1兆赫的载波偏移。

@ 3兆赫的载波偏移。

@ 10兆赫的载波偏移。

@ 25 kHz的PFD频率。

@ 200kHz的PFD频率。

@ 8 MHz的PFD频率。

@ 1 kHz的从载波偏移。

100赫兹至100千赫兹。

合成器的相位噪声楼

在带内相位噪声

10, 11

RMS集成相位误差

由于PFD频率杂散信号

11, 13

解锁信号MTLD的级别启用

工作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证。样品测试，以确保合规性。

在内部修改，以维持恒定环路增益的频率范围内。

= 25°C ; AV

= V

VCO

= 3.3 V ; P = 32 。

这些特性都保证了VCO核心动力= 10 mA的电流。

跳1.0 GHz到1.25 GHz的。 PFD频率为200千赫;环路带宽= 10 kHz的。

采用50 Ω电阻， V

VCO

，到50Ω负载。对于调整负载，请参阅输出匹配部分。

VCO的噪声测量的是开环的条件。

合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出，并减去20日志N（其中N为N分频器值）。

相位噪声测量与EVAL- ADF4360 - xEB1评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REF

对于

合成;偏移频率= 1千赫。

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫; N = 5000;环路B / W = 10千赫。

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 1 MHz的; N = 1000;环路B / W = 25千赫。

杂散信号测量与EVAL- ADF4360 - xEB1评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REF

为

合成; F

REFOUT

= 10 MHz的@ 0 dBm的。

版本A |第24 4

ADF4360-6

时序特性

= V

VCO

= 3.3 V± 10 ％ ; AGND = DGND = 0 V ; 1.8 V和3 V逻辑电平使用;牛逼

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表2中。

参数

在T限制

民

给T

最大

（B版）

单位

ns（最小值）

测试条件/评论

LE建立时间

数据时钟的建立时间

数据时钟保持时间

时钟高时间

时钟低电平持续时间

时钟到LE建立时间

LE脉冲宽度

参见上电部分此设备的推荐的上电过程。

时钟

数据

DB23 （MSB）

DB22

DB2

DB1

（控制位C2 ）

DB0 （ LSB ）

（控制位C1 ）

04440-002

图2.时序图

版本A |第24 5