【逻辑控制，高侧电源开关ADP190/ADP191特点低RDSON在1.8 V 105毫欧内部输出放电】,IC型号ADP191CB-EVALZ,ADP191CB-EVALZ PDF资料,ADP191CB-EVALZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

逻辑控制，

高侧电源开关

ADP190/ADP191

特点

低RDS

在1.8 V 105毫欧

内部输出放电电阻（ ADP191 ）

开启压摆率限制（ ADP191 ）

低输入电压范围： 1.1 V至3.6 V

500毫安连续工作电流

内置电平移动来控制逻辑可被操作

1.2 V逻辑

低2 μA （最大值）接地电流

超低停机电流： <1 μA

超小型0.8毫米×0.8毫米， 4球，0.4 mm间距WLCSP

–

GND

典型应用电路

VIN

ADP190

VOUT

关闭

电平转换

而摆

速率控制

负载

图1 。

VIN

–

GND

电平转换

而摆

速率控制

和负载

放电

ADP191

VOUT

应用

手机

数码相机和音频设备

便携式和电池供电设备

负载

关闭

07874-001

图2中。

概述

该ADP190 / ADP191是高端负载开关设计

从1.1 V至3.6 V的操作，这些交换机的负载提供电源

域隔离，延长了动力电池的使用寿命。该器件

包含一个支持低导通电阻的P沟道MOSFET

连续超过500 mA的电流，并降低功耗

损失。接地电流和超低的低2 μA （最大值）

关断电流使ADP190 / ADP191非常适合电池

供电的便携式设备。内置电平移动器，用于使

逻辑使得拥有现代化的ADP190 / ADP191兼容

处理器和GPIO控制器。

该ADP191控制导通所述开关的转换速率来

降低输入浪涌电流。该ADP191还集成

一个内部输出放电电阻放电，输出

电容时， ADP191的输出被禁用。

除了经营业绩时， ADP190 / ADP191占用

最小的印刷电路板（ PCB）上以小于一个区域空间

0.64 mm

和0.60毫米的高度。它可在一个超小

0.8毫米×0.8毫米， 4球，0.4 mm间距WLCSP封装。

Rev. D的

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07874-102

ADP190/ADP191

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

典型应用电路............................................... ............. 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

时序图................................................ ........................... 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

热数据................................................ ................................ 5

热阻................................................ ...................... 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述.............................. 6

典型性能特征.............................................. 7

工作原理............................................... .......................... 9

应用信息................................................ .............. 10

地电流................................................ .......................... 10

启用功能................................................ ............................ 10

定时................................................. ........................................ 10

散热注意事项................................................ ............ 12

PCB布局考虑............................................... ....... 14

外形尺寸................................................ ....................... 15

订购指南................................................ .......................... 15

修订历史

11/10 -REV 。 C到Rev. D的

改变4 mΩ至4 MΩ的操作第9 ..........理论

3月10日 - 修订版。 B到C版

切换到低输入电压范围值................整个

1月10日 - 修订版。 A到版本B

加入ADP191 ................................................ ..............整个

更改表1 .............................................. .............................. 3

更改表3 .............................................. .............................. 5

更改订购指南.............................................. ............ 15

9月9日 - 修订版。 0到版本A

更改订购指南.............................................. ............ 13

1月9日 - 修订版0 ：初始版

修订版D |第16页2

ADP190/ADP191

特定网络阳离子

= 1.8 V, V

= V

, I

负载

= 200毫安，T

= 25 ℃，除非另有说明。

表1. ADP190

参数

输入电压范围

EN输入

EN输入阈值

符号

EN_TH

测试条件

= -40 ° C至+ 85°C

1.1 V ≤ V

≤ 1.3 V，T

= -40 ° C至+ 85°C

1.3 V < V

< 1.8 V ，T

= -40 ° C至+ 85°C

1.8 V ≤ V

= 3.6 V ，T

= -40 ° C至+ 85°C

1.1 V ≤ V

≤ 3.6 V

1.1 V ≤ V

≤ 3.6 V

民

1.1

0.3

0.4

0.45

1.1

= 3.6 V ， VOUT开放，T

= -40 ° C至+ 85°C

EN = GND

EN = GND ，T

= -40 ° C至+ 85°C

= 3.6 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V

= 2.5 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V

= 1.8 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V

= 1.5 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V

= 1.2 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1 V

VOUT时间

导通延迟时间

典型值

最大

3.6

1.0

1.2

0.3

单位

MΩ

μA

mΩ

μs

逻辑高电压

逻辑低电压

EN输入下拉电阻

当前

地电流

关断电流

VIN至VOUT电阻

GND

关闭

RDS

0.1

105

125

160

1.5

130

ON_DLY

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V ，C

负载

= 1 μF

= 3.6 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V ，C

负载

= 1 μF

接地电流包括EN下拉电流。

表2. ADP191

参数

输入电压范围

EN输入

EN输入阈值

符号

EN_TH

测试条件

= -40 ° C至+ 85°C

1.1 V ≤ V

≤ 1.3 V，T

= -40 ° C至+ 85°C

1.3 V < V

< 1.8 V ，T

= -40 ° C至+ 85°C

1.8 V ≤ V

= 3.6 V ，T

= -40 ° C至+ 85°C

1.1 V ≤ V

≤ 3.6 V

1.1 V ≤ V

≤ 3.6 V

民

1.1

0.3

0.4

0.45

1.1

= 3.6 V ， VOUT开放，T

= -40 ° C至+ 85°C

EN = GND

EN = GND ，T

= -40 ° C至+ 85°C

= 3.6 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V

= 2.5 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V

= 1.8 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V

= 1.5 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V

= 1.2 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1 V

VOUT放电电阻

VOUT时间

导通延迟时间

典型值

最大

3.6

1.0

1.2

0.3

单位

MΩ

μA

mΩ

μs

逻辑高电压

逻辑低电压

EN输入下拉电阻

当前

地电流

关断电流

VIN至VOUT电阻

GND

关闭

RDS

0.1

105

125

160

215

130

DIS

ON_DLY

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V ，C

负载

= 1 μF

= 3.6 V，I

负载

= 200毫安， EN = 1.5 V ，C

负载

= 1 μF

接地电流包括EN下拉电流。

修订版D |第16页3

ADP190/ADP191

时序图

开启

延迟

打开-O FF

延迟

90%

OUT

10%

开启

上升

打开-O FF

秋天

07874-003

图3.时序图

修订版D |第16页4

ADP190/ADP191

绝对最大额定值

表3中。

参数

VIN至GND引脚

VOUT到GND引脚

EN到GND引脚

连续漏电流

= 25°C

= 85°C

连续二极管电流

存储温度范围

工作结温范围

焊接条件

等级

0.3 V至4.0 V

0.3 V到V

0.3 V至4.0 V

±1 A

± 500毫安

-50毫安

-65 ° C至+ 150°C

-40 ° C至+ 125°C

JEDEC J- STD- 020

结点至环境热阻（ θ

）的包

基于使用4层板的建模和计算。该

结点至环境热阻高度依赖

应用和电路板布局。在应用中，高

最大功率耗散存在，密切关注热

电路板设计是必需的。 θ的值

可能会发生变化，这取决于

PCB材料，布局和环境条件。这个说明

θ的值田间

是基于一个4层， 4英寸×3英寸的板。

见JESD51-7和JESD51-9了解有关详细信息，

板施工。有关更多信息，请参阅AN- 617

应用笔记，

MicroCSP

晶圆级芯片规模封装。

是结到电路板的热特性参数

与℃/单位W的Ψ

包是基于建模和

使用4层板的计算。该JESD51-12文件，

准则报告和使用电子封装的热

资料显示，

说热特性参数

不一样的热阻。 Ψ

测量组件

电源流经多个热路径，而不是通过

一个单一的路径，如在热阻（ θ

）。因此， Ψ

热

路径包括对流从封装的顶部，以及

从包装中，这些因素使得Ψ辐射

更实用

在现实世界的应用。最高结温（T

)

从电路板温度计算（T

）和功率

功耗（P

）用下式

+ (P

× Ψ

)

见JESD51-8 ， JESD51-9和JESD51-12更详细

关于Ψ信息

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

热数据

绝对最大额定值仅适合单独应用，而不是在

组合。该ADP190 / ADP191can被损坏时，

结温度超过极限。环境监测

温度不保证那件T

是在规定的

温度限制。在高功耗应用

和PCB散热性差，最大环境

温度可能需要降额。

在功耗适中，低PCB应用

耐热性，最高环境温度可以

超过最大限制，只要结温

在规定范围内限制。结温（T

）的

该装置是取决于环境温度（T

），则

该装置的功率消耗（P

），和结点到环境

封装的热阻（ θ

最高结温（T

）从所计算的

环境温度（T

）和功耗（P

）使用

公式

+ (P

)

热阻

和

对于最坏情况的条件下被指定，也就是一个

器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。

表4.热阻

套餐类型

4球，0.4 mm间距WLCSP

260

58.4

单位

° C / W

ESD警告

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