特点
低电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V ）
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至3.6V ）
内部分为16,384 ×8和32,768 ×8
两线串行接口
施密特触发器滤波输入抑制噪声
双向数据传输协议
1兆赫（ 5V ） ， 400千赫（ 2.7V ， 2.5V ）和100kHz （ 1.8V ）的兼容性
写保护引脚用于硬件和软件数据保护
64字节页写模式（部分页写允许）
自定时写周期（ 5 ms以下）
高可靠性
- 耐力：一百万次擦写循环
- 数据保存： 40年
扩展温度和无铅/无卤
可用设备
8引脚PDIP JEDEC ，8引脚JEDEC和EIAJ SOIC ， 8引脚（MAP）， 8引脚TSSOP封装， 8引脚
SAP和8球dBGA2包
模具销售：晶圆形式，松饼包，撞到晶圆
两线串行
EEPROM的
128K （ 16,384 ×8 ）
256K （ 32,768 ×8 ）
描述
该AT24C128 / 256提供131072 / 262144位串行电可擦除和
可编程只读存储器（EEPROM）组织为8 16384 / 32768字
每个位。该器件的级联功能允许最多4个设备共享一个共同的
两线总线。所述装置被用于许多工业和商业应用程序的优化
其中，阳离子低功耗和低电压操作是必不可少的。该装置是
采用节省空间的8引脚PDIP JEDEC ，8引脚SOIC JEDEC ，提供8引脚EIAJ
SOIC和8引脚MAP（ 24C128 ） ， 8引脚TSSOP ， 8引脚SOIC封装阵列和8球
dBGA2包。另外，全家人都在2.7V可（ 2.7V至5.5V ）和
1.8V （ 1.8V至3.6V ）版本。
表1中。
引脚配置
引脚名称
功能
AT24C128
(1)
AT24C256
(2)
注意事项：
1.不推荐
新的设计;请
参考AT24C128B
数据表。
2.不建议
新的设计;请
参考AT24C256B
数据表。
8引脚PDIP
A0
A1
NC
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
8引脚TSSOP
A0
A1
NC
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
A0 - A1
SDA
SCL
WP
NC
GND
地址输入
串行数据
串行时钟输入
写保护
无连接
地
8引脚SOIC
A0
A1
NC
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
8引线地图
VCC
WP
SCL
SDA
8
7
6
5
1
2
3
4
A0
A1
NC
GND
底部视图
8球dBGA2
VCC
WP
SCL
SDA
8
7
6
5
1
2
3
4
8引脚SAP
VCC
WP
SCL
SDA
8
7
6
5
1
2
3
4
A0
A1
NC
GND
A0
A1
NC
GND
底部视图
底部视图
0670T–SEEPR–3/07
1
绝对最大额定值*
工作温度.................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面.................................... -1.0V至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
图1 。
框图
2
AT24C128/256
0670T–SEEPR–3/07
AT24C128/256
引脚说明
串行时钟（ SCL ） ：
在SCL输入用于上升沿时钟将数据送入
EEPROM器件，并在时钟的下降沿将数据读出装置。
串行数据（ SDA ） ：
SDA引脚是双向的串行数据传输。该引脚为开
漏输出，可能是线或任意数量的其他漏极开路或集电极开路
设备。
DEVICE /地址（ A1 ， A0 ） ：
A1和A0引脚为器件地址输入硬
有线或左未连接与其他AT24CXX设备的硬件兼容性。当
销是硬连接，多达四个128K / 256K设备可以在一个单一的总线寻址
系统（器件寻址详见器件寻址章节内容） 。如果
引脚悬空， A1和A0引脚在内部下拉至GND如果电容
耦合到所述电路板V
CC
平面<3 pF的。如果耦合>3 PF，爱特梅尔建议CON-
necting地址引脚GND 。
写保护（WP ） ：
写保护输入端，当连接到GND ，允许正常的写
操作。当WP接高电平到V
CC
，所有的写操作的存储器都是inhib-
资讯科技教育。如果引脚悬空， WP引脚在内部被拉低到GND如果电容
耦合到所述电路板V
CC
平面<3 pF的。如果耦合>3 PF，爱特梅尔建议CON-
necting引脚与GND 。
内存
组织
AT24C128 / 256 ， 128K / 256K串行EEPROM ：
在128K / 256K内部组织为
256/512页，每页64字节。随机字寻址需要14 /15- bit数据字
地址。
3
0670T–SEEPR–3/07
表2中。
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= +1.8V.
符号
C
I / O
C
IN
注意：
测试条件
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（A
0
, A
1
， SCL ）
1.此参数的特点，而不是100％测试。
最大
8
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
表3中。
DC特性
(1)
推荐参数的适用工作条件：T已
AI
=
–
40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ;牛逼
AE
=
–
40℃下，以
+125° C
(2)
, V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V （除非另有说明） 。
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC1
I
CC2
I
SB1
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电流
电源电流
待机电流
（ 1.8V选项）
待机电流
（ 2.5V选项）
待机电流
（ 5.0V选项）
输入漏电流
输出漏
当前
输入低电平
(1)
输入高电平
(1)
输出低电平
输出低电平
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 1.8V
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 0.15毫安
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.5V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5 - 5.5V
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
OUT
= V
CC
或V
SS
–0.6
V
CC
x 0.7
READ ，在400千赫兹
写在400千赫
V
IN
= V
CC
或V
SS
测试条件
民
1.8
2.5
4.5
1.0
2.0
典型值
最大
3.6
5.5
5.5
2.0
3.0
0.2
2.0
0.5
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
IN
= V
CC
或V
SS
0.10
0.05
6.0
6.0
3.0
3.0
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
0.2
A
A
A
V
V
V
V
A
单位
V
V
V
mA
mA
A
I
SB2
I
SB3
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL2
V
OL1
注意事项：
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考，未经测试。
2. AT24C128 / 256轴承的过程中的字母“B ”上的包（标记位于在顶级右下角
包的一侧）是在宽温度范围批准用于操作。
4
AT24C128/256
0670T–SEEPR–3/07
AT24C128/256
表4 。
AC特征 - 工业温度
适用在推荐的工作范围从T
AI
=
–
40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ， CL = 100 pF的（除非oth-
erwise说明） 。试验条件列于附注2 。
1.8-volt
符号
f
SCL
t
低
t
高
t
AA
t
BUF
t
HD.STA
t
SU.STA
t
HD.DAT
t
SU.DAT
t
R
t
F
t
SU.STO
t
DH
t
WR
耐力
(1)
注意事项：
参数
时钟频率， SCL
时钟脉冲宽度低
时钟脉冲宽度高
时钟低到数据输出有效
时间总线必须是自由的前一
新的传输开始
(1)
开始保持时间
启动建立时间
数据保持时间
数据在建立时间
输入上升时间
(1)
输入下降时间
(1)
停止建立时间
数据输出保持时间
写周期时间
25°C时，页面模式
4.7
100
20
or
5
(3)
4.7
4.0
0.1
4.7
4.0
4.7
0
200
1.0
300
0.6
50
10
or
5
(3)
10万或百万
(4)
4.5
民
最大
100
1.3
0.6
0.05
1.3
0.6
0.6
0
100
0.3
300
0.25
50
10
or
5
(3)
0.9
民
2.5-volt
最大
400
0.4
0.4
0.05
0.5
0.25
0.25
0
100
0.3
100
0.55
民
5.0-volt
最大
1000
单位
千赫
s
s
s
s
s
s
s
ns
s
ns
s
ns
ms
写
周期
1.此参数的特点，而不是100％测试。
2.交流参数测试条件：
R
L
（连接到V
CC
） ： 1.3千欧（ 2.5V ， 5V ） ，为10kΩ （ 1.8V ）
输入脉冲电压： 0.3 V
CC
0.7 V
CC
输入上升和下降时间：
≤
50纳秒
输入和输出时序参考电压： 0.5 V
CC
3. 5毫秒写周期只适用于AT24C128 / 256设备轴承的过程中字母“B”上的包（
标记位于包装上的顶侧）的右下角。
4. AT24C128 / 256轴承的过程中的字母“B ”中的包（标记位于顶部的右下角
包边条） ，保证了百万写周期耐力（ 1.8 - 3.6V ） 。
5
0670T–SEEPR–3/07
QQ：2881677436 复制
