APM9424
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 10A ，R
DS （ ON）
=为10mΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
R
DS （ ON）
= 15MΩ （典型值） @ V
GS
= 2.5V
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
SO
8
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
G
D D D D
S
S S
订购和标识信息
APM 9424
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
N沟道MOSFET
P ackage 颂歌
K： S 0 -8
P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
APM 9424 K：
APM 9424
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±16
T
A
= 25°C
10
30
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 七月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM9424
典型特征
源极 - 漏极二极管正向电压
30
10
80
单脉冲功率
I
S
- 源电流（ Α ）
60
1
功率（W）的
0.1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
40
0.01
20
1E-3
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
0
0.01
0.1
1
10
100
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归一化瞬态热阻抗，结到环境
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D= 0.2
D= 0.1
0.1
D= 0.05
D= 0.02
单脉冲
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表面安装
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 七月， 2003
5
www.anpec.com.tw
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