【a特点5.5 （最大值）导通电阻0.9 （最大）导通电阻平坦度2.7 V至5.5 V单电源供电2.7】,IC型号ADG622BRM,ADG622BRM PDF资料,ADG622BRM经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

5.5 （最大值）导通电阻

0.9 （最大）导通电阻平坦度

2.7 V至5.5 V单电源供电

2.7 V至5.5 V双电源供电

轨到轨工作

10引脚SOIC封装

典型功耗（ <0.01 W）

TTL / CMOS兼容输入

应用

自动测试设备

电源布线

通信系统

数据采集系统

采样和保持系统

航空电子学

继电器更换

电池供电系统

CMOS 5 V / 5 V

4双通道SPST开关

ADG621/ADG622/ADG623

功能框图

ADG621

IN1

IN2

IN1

ADG622

ADG623

IN1

IN2

开关所对于逻辑"0"输入

概述

产品亮点

该ADG621 ， ADG622和ADG623均为单芯片，

CMOS的SPST （单刀单掷）开关。每个开关

该ADG621的， ADG622和ADG623导电性能相同，

在两个方向上时接通。

该ADG621 / ADG622 / ADG623包含两个独立的

开关。该ADG621和ADG622的区别仅在于两者

开关是常开的，并分别常闭。在

ADG623 ，开关1是常开开关2是常

封闭。该ADG623展品先开后合式开关动作。

该ADG621 / ADG622 / ADG623提供低导通电阻的

这是匹配到内0.25

通道之间。

这些交换机还提供了低功耗，

高开关速度。该ADG621 ， ADG622和ADG623

在一个10引脚可用

μSOIC

封装。

1.低导通电阻（R

) (4

典型值）

2.双

2.7 V至

5.5 V或单2.7 V至5.5 V

3.低功耗。 CMOS结构确保了低

功耗。

4.小型10引脚

μSOIC

包

第0版

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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

ADG621/ADG622/ADG623–SPECIFICATIONS

双电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

关闭

突破前先延时，T

BBM

（仅ADG623 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

（上）

电源要求

5.5

0.25

0.35

0.9

= +5 V

10%, V

= –5 V

10 ％， GND = 0 V，所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。）

B版本

-40 ℃

+25 C

+85 C

到V

单位

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

典型值

最大

典型值

最大

测试条件/评论

= +4.5 V, V

= –4.5 V

4.5 V，I

= -10毫安，

测试电路1

4.5 V，I

= -10毫安

3.3 V，I

= -10毫安

= +5.5 V, V

= –5.5 V

4.5 V, V

= 4.5 V,

测试电路2

4.5 V, V

= 4.5 V,

测试电路2

= V

4.5 V ，测试电路3

0.4

0.9

1.5

0.01

0.25

0.01

0.25

0.01

0.25

2.4

0.8

0.005

0.1

120

110

–65

–90

230

0.001

1.0

0.001

1.0

= V

INL

或V

INH

155

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的，

= V

= 3.3 V ，测试电路5

= 0 V ，R

= 0

= 1 nF的，

测试电路7

= 50

= 5 PF， F = 1MHz时，

测试电路8

= 50

= 5 PF， F = 1MHz时，

测试电路10

= 50

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

= +5.5 V, V

= –5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

笔记

温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

第0版

ADG621/ADG622/ADG623

单电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

关闭

突破前先延时，T

BBM

（仅ADG623 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.5

0.75

0.5

= +5 V

10%, V

= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。）

B版本

- 40℃

+25 C

+85 C

0 V至V

12.5

单位

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

典型值

最大

测试条件/评论

= 4.5 V, V

= 0 V

= 0 V至4.5 V，I

= -10毫安，

测试电路1

= 0 V至4.5 V，I

= -10毫安

= 1.5 V至3.3 V，I

= -10毫安

= 5.5 V

= 1 V/4.5 V, V

= 4.5 V/1 V,

测试电路2

= 1 V/4.5 V, V

= 4.5 V/1 V,

测试电路2

= V

= 1 V/4.5 V,

测试电路3

0.5

0.01

0.25

0.01

0.25

0.01

0.25

2.4

0.8

0.005

0.1

120

210

–65

–90

230

0.001

1.0

= V

INL

或V

INH

260

100

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的，

= V

= 3.3 V ，测试电路5

= 0 V ;

= 0

= 1 nF的，

测试电路6

= 50

= 5 PF， F = 1MHz时，

测试电路7

= 50

= 5 PF， F = 1MHz时，

测试电路9

= 50

= 5 pF的，测试电路8

F = 1 MHz的

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

笔记

温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

ADG621/ADG622/ADG623

绝对最大额定值

= + 25 ° C除非另有说明）

表Ⅰ真值表为ADG621 / ADG622

到V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至6.5 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V至-6.5 V

模拟输入

. . . . . . . . . . . . . . . . . V

- 0.3 V到V

+ 0.3 V

数字输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V或

30毫安，以先到为准

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50毫安

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -40∞C至+ 85∞C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

μSOIC

包

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 206 ° C / W

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 44 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。 300℃

IR回流焊峰值温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件

系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大

评级可以在任一时刻被应用。

过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

ADG621 INx的

ADG622 INx的

交换机X条件

关闭

表II中。真值表为ADG623

IN1

IN2

开关S1

关闭

开关S2

关闭

订购指南

型号选

ADG621BRM

ADG622BRM

ADG623BRM

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

描述

μSOIC

（ MicroSmall外形集成电路）

μSOIC

（ MicroSmall外形集成电路）

μSOIC

（ MicroSmall外形集成电路）

包

RM-10

品牌信息*

SXB

SYB

SZB

*品牌

μSOIC

包被限制为三个字符由于空间的限制。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADG621 / ADG622 / ADG623具有专用ESD保护电路，造成永久性损坏

可能会发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

第0版

ADG621/ADG622/ADG623

引脚配置

10引脚SOIC

(RM-10)

IN2

GND

IN1

ADG621/

ADG622/

ADG623

顶视图

（不按比例）

NC =无连接

术语

GND

平（ON）的

（关闭）

, I

（上）

)

INL

INH

INL

INH

)

（关闭）

, C

（上）

关闭

BBM

电荷注入

相声

关断隔离

带宽

插入损耗

最积极的供电潜力。

最负电源的双电源应用。在单电源应用中，这应该是绑

到地的设备。

接地（ 0 V ）参考

正电源电流

负电源电流

源终端。可以是输入或输出。

漏极。可以是输入或输出。

逻辑控制输入

D和S之间的欧姆电阻

导通电阻匹配之间的任意两个通道，即，R

马克斯 - R的

分钟。

测量平直度被定义为对电阻的最大值和最小值之间的差

在指定的模拟信号范围。

源漏电流与开关“OFF”。

漏极漏电流与开关“OFF”。

信道的泄漏电流与开关“ON”。

在端D ，S模拟电压

最大输入电压为逻辑“0”。

最小输入电压为逻辑“ 1”。

数字输入的输入电流

“OFF”开关源极电容

“OFF”开关漏电容

“开”开关电容

运用数字控制输入和输出开关上的延迟。

运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟。

“ON”的两个开关的90 ％的点之间测得的时间为“OFF”时，或者，从一个切换时

解决状态到另一个状态。

的毛刺脉冲的措施，从数字输入到模拟输出开关时转移。

度量无用信号是从一个信道通过耦合到另一个作为寄生的结果

电容。

度量耦合的无用信号，通过一个“关”的开关。

“ON”的开关的频率响应。

由于在开关的电阻损失。

第0版

–5–