HVIC / IGBT半桥变换器
评估电路
应用说明
1992年5月
AN-7508
作者：乔治·丹茨
该HVIC高压集成电路设计用于驱动
n沟道型的半桥式配置IGBT或MOSFET
高达500V
DC
。电源和电机控制逆变器可以
用电压不超过230V配置
AC
使用HVIC ，
IGBT和其他一些部件。
一些应采取预防措施使用的电路。铅
外部电源电路之间的长度（包括门
和试点领导） ，在15V旁路电容（C
DD
） ，所述自举
举二极管（D
F
）和电容（C
F
）和HVIC应
最小化。
评价的功能所需的基本部件
在SP601中显示了简化的示意图。该市盈率
ommended负载主要是阻性，使最大电流
组件将流经IGBT的， IGT1和IGT2 。
回扫二极管D1和D2 ，在额定8A，将携带多
较小的反激式电流分量。少量负载
电感将引起开关波形模拟
一般来说，这可以与马达观察到的情况
或变压器负载，同时限制了电流通过进行
较低的额定反激式二极管，在这条赛道。
对于R中的值
PUA
, R
PUB
等，已被选择为导致
在过电流跳闸25Apk约。在这种程度的
目前，散热的IGT酒和反激式二极管的
所需。上下导频的串联电阻
电阻分压器将约为1KΩ ;分频器
比应引起0.1V的水龙头在所需的跳闸电流。
当第一次激励你的评估电路，以一个
约20V降低母线电压
DC
至30V
DC
验证
进入到更高的电压之前电路正常工作。
更具体的信息可以在文件编号2428被发现
和文件编号2429半桥500V
DC
驱动数据
床单和应用笔记AN- 8829.1 。
/标题
AN75
8)
SUB -
ECT
HVIC
IGBT
ALF-
岭
导通
ERTER
有价值
化
IR-
UIT ）
Autho
()
键盘
ords
)
cre-
器（ ）
DOC
NFO
东菱
ARK
简化的原理图
25
VDC
≤
V
链接
3 500V
DC
D
F
IGT1
D1
V
DF
VBS
D1U
G1U
+
15V
脉冲
根
+15V
上/下
V
BIAS
G2U
相
V
OUT
TRIPU
R
PUB
C1
50
100
V
链接
2
R
L
20
3KW
L
L
1mH
+
0.22 +
C
F
R
PBA
页面 -
ODE
使用 -
UT-
INE
DOC-
IEW
东菱
ARK
故障
故障
LED
+15V
CL2
D1L
IGT2
D2
50
100
R
解放军
+
HVIC
启用
V
DD
V
SS
G1L
G2L
CL1
TRIPL
V
链接
2
R
PLB
C
DD
≤
10F
HVIC - 仙童零件编号SP601 （原
GS601)
IGT1 ， 2 - 仙童零件编号HGTA24N60D1C
D1 ， 2 - 仙童零件编号
RUR860
D
F
- 仙童零件编号A114M
R
PUA
, R
解放军
- 910, 1.8W
R
PUB
, R
PLB
- 68, 1.8W
C1 - 0.1μF ， 600V
DC
R
L
- 20Ω ， 3KW 13 -50
2002仙童半导体公司
应用注意牧师A1
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ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
UHC
SMART START
UltraFET
SPM
VCX
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隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
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TruTranslation
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支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
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没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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