a
特点
500 MHz的驱动程序操作（ 1 GB /秒）
驱动禁止功能
100 ps的边缘匹配
担保行业规范
20输出阻抗
5 V / ns的压摆率
可变输出电压为ECL ， TTL和CMOS
高速差分输入提供最大的灵活性
超小型100引脚LQFP封装，配有
散热器
应用
自动测试设备
半导体测试系统
电路板测试系统
仪器仪表和表征设备
四核超高速引脚驱动器
高-Z和V
TERM
模式
AD53513
功能框图
VCC
VCC1
VCC2
VEE
VCC3
VCC4
VEE3
VEE1
VEE2
VEE4
RLD1
VBB
VH1
DATA1
DATAB1
INH1
INHB1
VL1
VT1
VH2
DATA2
DATAB2
INH2
INHB2
VL2
VT2
VBB
RLD2
RLD3
VBB
VH3
DATA3
DATAB3
INH3
INHB3
VL3
VT3
VH4
DATA4
DATAB4
INH4
INHB4
VL4
VT4
VBB
RLD4
GND
VHDCPL1 39nF
20
大败
VOUT1
VLDCPL1
30
39nF
50
DRIVER 1
VHDCPL2 39nF
20
大败
VOUT2
VLDCPL2
30
39nF
50
司机2
产品说明
AD53513
VHDCPL3 39nF
20
大败
VOUT3
VLDCPL3
30
39nF
50
该AD53513是一款四高速引脚驱动器，设计用于
在数字或者混合信号的测试系统。结合一个高速
整体进程，方便表面贴装封装，
该产品达到一流的电气性能，同时保留
最佳的包装密度和长期可靠性的
100引脚， LQFP封装内置有散热器。
-2.5 V至具有单位增益可编程的输出电平
+5.5 V，小于200 mV的输出摆幅能力
8 V时， AD53513的目的是刺激ECL ，TTL和
CMOS逻辑系列，以及高速内存。该
1.0 Gb / s的数据速率容量和匹配的输出阻抗
允许这些数字逻辑系列的实时刺激。
测试I / O设备，针脚驱动器可以切换到一个高
阻抗状态（禁止模式），电卸载驱动程序
从路径。在抑制引脚驱动器的泄漏电流典型值为
100 nA和输出电荷转移进入抑制通常小于
超过20件。
从HI / LO或抑制AD53513过渡控制
通过数据和抑制输入。输入电路的用途
用的共模范围的高速差分输入
±
2五，这样就可以直接连接到差分精度
ECL时序。模拟逻辑HI / LO输入端都同样容易
对接。通常需要10
A
偏置电流，所述
AD53513可以直接耦合到一个digital-的输出
到模拟转换器。
该AD53513的每个通道都有一个模式选择引脚RLD ，
这是一个单面逻辑输入。逻辑阈值是通过设置
DRIVER 3
VHDCPL4 39nF
20
大败
VOUT4
VLDCPL4
30
39nF
50
DRIVER 4
TVCC
GND
GND
GND
GND
1.0 / K
THERM
在VBB输入是通用于所有四个通道。该RLD
模式选择控制抑制是否使驱动器在高Z
或V
TERM
模式。 （请参考表一）所有的数字逻辑输入
（ DATA ，数据B ， INH ， INHB ， RLD ， VBB ） ，必须共享
组通用的逻辑电平。在VBB阈值应设定为
的逻辑电平的中端。的，例如，如果ECL电平
-0.8 V至-1.8 V时， VBB应设置为-1.3 V.
该AD53513可在一个100引脚， LQFP封装，
内置散热器和被指定为工作在环境
商业级温度范围为-25 ° C至+ 85°C 。
第0版
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ADI公司， 2002年
3 ％，除非另有说明。所有的温度系数测量
在T
J
= 75°C - 95°C ） 。 （ A 39 nF的电容必须连接V之间
CC
和V
HDCPL
和V之间
EE
和V
LDCPL
.)
J
S
S
AD53513–SPECIFICATIONS
–V = –6 V
（所有规格均在T = 85℃ 5℃ ， + V = + 9V 3 ％ ，
民
典型*
参数
差分输入特性
（数据以
数据显示，
INH到
INH ） ，
RLD ， VBB
输入电压
差分输入范围
偏置电流
VBB阈值输入
基准输入（V
L
, V
H
, V
T
)
偏置电流
输出特性
逻辑高电平范围
逻辑低量程
振幅（V
H
–V
L
)
绝对精度
V
H
OFFSET
V
H
增益和线性误差
V
L
OFFSET
V
L
增益和线性误差
V
T
OFFSET
V
T
增益和线性误差
失调TC ，V
H
或V
L
或V
TERM
输出电阻
输出漏
动态限流
静态电流限制
最大
单位
测试条件
V
BB
= –1.3 V
–2
ECL
–1
中端
–50
–2.3
–2.5
0.2
–100
±
0.3
±
5
–100
±
0.3
±
5
–100
±
0.3
±
5
±
0.5
20
–1.0
130
±
85
0
+1
伏
mA
V
A
伏
伏
伏
mV
％V的
H
+ MV
mV
％V的
L
+ MV
mV
％V的
T
+ MV
毫伏/°C的
A
mA
mA
V
IN
= –2 V, 0.0 V
设置逻辑电平为中端
V
L
, V
H
= 2 V
DATA = H
DATA = L
+50
+5.5
+5.3
8.0
+100
+100
+100
+1.0
PSRR ，驱动模式
动力性能，驱动器
(V
H
和V
L
)
传播延迟时间
传播延迟TC
延迟匹配，边缘到边缘
上升和下降时间
1 V秋千
2 V秋千
3 V秋千
上升和下降时间TC
1 V秋千
2 V秋千
3 V秋千
冲，下冲和前冲
35
dB
DATA = H ，V
H
= 0 V, V
L
= –2 V, V
T
= +3 V
DATA = H ，V
H
= -2 V至+5 V ，V
L
= –2.5 V,
V
T
= +3 V
数据= L，V
L
= 0 V, V
H
= +5 V, V
T
= +4.5 V
数据= L，V
L
= -2 V至+5 V ，V
H
= +5.5 V,
V
T
= +4.5 V
TERM模式，V
T
= 0 V, V
L
= –1 V, V
H
= +3 V
TERM模式，V
T
= -2.0 V至+5.0 V ，V
L
= 0,
V
H
= +3 V
V
L
, V
H
= 0 V
DATA = H ，V
H
= 3 V, V
L
= 0 V，I
OUT
= 45毫安
V
OUT
= -2 V至+5 V
C
BYP
= 39 nF的，V
H
= +5 V, V
L
= –2 V
输出到-2.5 V ，V
H
= +5.5 V, V
L
= –2.5 V,
V
T
= 0; DATA = H ，并输出到5.5 V ，
V
H
= +5.5 V, V
L
= –2.5 V, V
T
= 0
V
L
= -3 V ， DATA = L
V
S
= V
S
±
3%
0.3
±
0.5
100
1.1
ns
PS /°C的
ps
测得的50％ ，V
H
= 800 mV时， 50
负载，
V
L
= -800 mV的
测得的50％ ，V
H
= 800 mV时， 50
负载，
V
L
= -800 mV的
测得的50％ ，V
H
= 800 mV时， 50
负载，
V
L
= -800 mV的
测得的20％-80 ％以下，V
L
= 0 V, V
H
= 1 V, V
T
= –2 V
测得的10％-90 ％以下，V
L
= 0 V, V
H
= 2 V, V
T
= –2 V
测得的10％-90 ％以下，V
L
= 0 V, V
H
= 3 V, V
T
= –2 V
测得的20％-80 ％以下，V
L
= 0 V, V
H
= 1 V, V
T
= –2 V
测得的10％-90 ％以下，V
L
= 0 V, V
H
= 2 V, V
T
= –2 V
测得的10％-90 ％以下，V
L
= 0 V, V
H
= 3 V, V
T
= –2 V
A. V
L
, V
H
= 0 V, +1 V, V
T
= –2 V, 50
B 。 V
L
, V
H
= 0 V, +3 V, V
T
= –2 V, 50
。 V
L
, V
H
= 0 V, +5 V, V
T
= –2 V, 50
V
L
= 0 V, V
H
= +0.5 V, V
T
= –2 V
V
L
= 0 V, V
H
= +0.5 V, V
T
= –2 V
V
L
= 0 V, V
H
= +2 V, V
T
= –2 V,
脉宽/周期= 1.0纳秒/ 4.0纳秒， 30纳秒/ 120纳秒
700 ps的输入，10％ / 90 ％的输出，V
T
= –2 V,
V
L
= 0 V, V
H
= +2 V, 50
终止
V
L
= –1.8 V, V
H
= –0.8 V, V
T
= –2 V,
V
OUT
> 300毫伏峰 - 峰值，在50
终止
300
450
650
±
1
±
1
±
1
±
（6％ 50毫伏）
ps
ps
ps
PS /°C的
PS /°C的
PS /°C的
步骤％ + MV的
建立时间
到15毫伏
4毫伏
延迟变化与脉宽
最小脉宽
2 V秋千
切换率
50
10
10
ns
s
ps
700
3.2
ps
GHz的
–2–
第0版
AD53513
参数
动态性能，抑制
延迟时间，有效抑制
延迟时间，禁止以激活
I / O斯派克
输出电容
动力性能， V
TERM
延迟时间，主动到V
TERM
延迟时间，V
TERM
活跃
冲，下冲和前冲
V
TERM
到V
L
或V
H
电源
总电源电压范围
正电源
负电源
正电源电流
负电源电流
总功耗
温度传感器增益因子
民
1.5
0.7
<200
6
0.50
0.45
±
6%/± 75
1.30
1.25
典型*
最大
2.5
1.7
单位
ns
ns
mV的P-P
pF
ns
ns
mV
测试条件
测得的50％ ，V
H
= +2 V, V
L
= –2 V, V
T
= –2 V
测得的50％ ，V
H
= +2 V, V
L
= –2 V, V
T
= –2 V
V
H
= 0 V, V
L
= 0 V, V
T
= –2 V
司机Inhibited（禁用）
测得的50％ ，V
H
= +0.8 V, V
L
= –0.8 V, V
T
= 0 V
50
终止
V
L
= –2 V, V
H
= +2 V, V
T
= 0 V
V
L
= –0.8 V, V
H
= +0.8 V, V
T
= 0 V
输出端接50
15
9
–6
570
570
8.6
1.0
V
V
V
mA
mA
W
μA / K
R
负载
= 4.2千欧，V
来源
= 9 V
笔记
连接或短路的去耦电容至地会导致器件的破坏。
*典型
参数不生产测试，而是通过特性保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
绝对最大额定值
1
电源电压
+V
S
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11 V
–V
S
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7 V
+V
S
为±V
S
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
输入
数据显示，
数据显示，
INH ，
INH ，
RLD ， VBB 。 。 。 。 。 。 。 +5 V， -3 V
DATA TO
数据显示，
INH到
INH ，
RLD ， VBB 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
3 V
V
H
, V
L
, V
T
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +7 V， -2 V
V
H
到V
L
(V
H
– V
T
）和（Ⅴ
T
– V
L
) . . . . . . . . . . . . . . . .
±
9 V
输出
V
OUT
短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
2
V
OUT
在禁止模式范围
V
HDCPL
。 。 。 。 。不要连接除电容V
CC
V
LDCPL
。 。 。 。 。不要连接除电容V
EE
THERM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11 V ， 0 V
环境的
工作温度（结） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒）
3
. . . . . . . . . . . 260°C
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。绝对最大限制
个别地，而不是在组合。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
2
输出短路保护功能，保证只要适当的散热是
用来确保遵守操作温度限制。
3
为了保证引脚共面性（ ±0.002英寸），可焊性，处理与裸
手应避免与该设备应在24被存储在环境
°C
±
5 ° C（ 75 °F
±
10 °F），相对湿度不超过65％。
订购指南
包
描述
100引脚LQFP- CDQUAD
装运方法，
单位数量
中海集装箱
托盘90件
包
选项
SQ-100
模型
AD53513JSQ
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD53513具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–3–
QQ：2880707522 复制
