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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1759页 > ADG1406
9.5 Ω R
ON
， 16通道，差分8通道，
±15 V/+12 V/±5 V
iCMOS工艺
多路复用器
ADG1406/ADG1407
特点
9.5 Ω的电阻@ 25°C
到连续电流为300mA
在± 15 V / + 12 V / ± 5 V完全指定
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
先开后合式开关动作
28引脚TSSOP和32引脚，5个10mm×5mm的LFCSP_VQ
功能方框图
ADG1406
S1
D
应用
医疗设备
音频和视频路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
S16
1-OF-16
解码器
07419-001
A0 A1 A2 A3 EN
图1 。
ADG1407
S1A
DA
S8A
概述
该ADG1406和ADG1407均为单芯片
iCMOS
类似物
多路复用器包含16个单声道和8差
通道。该ADG1406开关16的一个输入
到共同的输出，如由4位二进制地址确定
线（A0 ， A1，A2和A3 ） 。该ADG1407开关的八分之一
差分输入至公共差分输出，作为测定
由3位二进制地址线（ A0，A1和A2） 。提供EN输入
在两台设备上启用或禁用该设备。禁用时，
所有通道关闭。当打开时，每个通道的导电性能相同
在两个方向的，并且具有扩展的输入信号范围
在耗材。
该
iCMOS工艺
（工业CMOS ）模块化制造
工艺结合高电压CMOS （互补金属
氧化物半导体）与双极性技术。它使
范围广泛的高性能模拟集成电路发展
可33 V工作电压的足迹，没有其他代
高电压部分已经能够实现。不像模拟IC
采用传统CMOS工艺，
iCMOS工艺
组件可以
承受高电源电压，同时还能提升perfor-
曼斯，大大降低了功耗，并降低了
封装尺寸。
对这些电阻和导通电阻的平坦度的超低
开关使其成为数据采集和理想的解决方案
增益开关应用中的低失真是重要的。
iCMOS工艺
建设，确保超低功耗，
因而非常适合于便携式和电池 - 零件
电动器械。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
S1B
DB
S8B
1-OF-8
解码器
07419-002
A0 A1 A2 EN
图2中。
表1.相关设备
产品型号
ADG1206/ADG1207
描述
低电容，低电荷注入，
和低泄漏8位/ 16通道± 15 V
多路复用器
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2008 ADI公司保留所有权利。
ADG1406/ADG1407
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... .............. 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
± 15 V双电源............................................. .......................... 3
12 V单电源.............................................. .......................... 4
± 5 V双电源............................................. ............................ 6
每通道连续电流.............................................. 7
绝对最大额定值............................................... ............. 8
热阻................................................ ....................... 8
ESD注意事项................................................ ................................... 8
引脚配置和功能描述............................ 9
典型性能特征........................................... 13
术语................................................. ................................... 17
测试电路................................................ ..................................... 18
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
8月8日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
ADG1406/ADG1407
特定网络阳离子
± 15 V双电源供电
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
过渡时间，t
过渡
突破前先延时，T
BBM
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
-3 dB带宽
ADG1406
ADG1407
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG1406
ADG1407
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
1
V
SS
到V
DD
9.5
11.5
0.55
1
1.6
1.9
±0.01
±0.25
±0.01
±0.5
±0.05
±0.5
±1
±3
±3
±4
±20
±20
2.0
0.8
±0.002
±0.1
3
105
160
40
83
110
98
120
10
73
70
0.07
14
1.5
2.15
16
1.7
2.3
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
测试条件/评论
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V, V
S
= ±10 V,
I
S
= -10毫安;参见图27
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V , V
S
= -10 V，I
S
=
= 10毫安
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V, V
S
= -10 V，I
S
=
= 10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
D
=
10 V ;参见图28
V
S
= ±10 V, V
D
=
10 V ;参见图28
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图29
V
IN
= V
GND
或V
DD
200
225
10
140
145
155
165
R
L
= 100 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ，见图30
R
L
= 100 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图31
R
L
= 100 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图32
R
L
= 100 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图32
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;见图33
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图34
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图35
R
L
= 110 Ω ， 15 V P-P中，f = 20 Hz至20 kHz ;看
图37
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;见图36
60
110
0.6
8
90
45
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图36
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
第0版|第20页3
ADG1406/ADG1407
参数
C
D
, C
S
（上）
ADG1406
ADG1407
电源要求
I
DD
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
1
2
+25°C
115
70
0.002
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
1
单位
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
测试条件/评论
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 0 V ， 5 V或V
DD
1
280
400
0.002
1
±4.5/±16.5
温度范围为B版本
40°C
至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
12 V单电源供电
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
1
0到V
DD
18
21.5
0.55
1.2
5
6
±0.01
±0.25
±0.01
±0.5
±0.01
±0.5
±1
±4
26
1.6
6.9
28.5
1.8
7.3
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
测试条件/评论
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V; V
S
= 0 V至10 V ，
I
S
= -10毫安;参见图27
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V; V
S
= 0 V至10 V ，
I
S
= -10毫安
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V; V
S
= 0 V至10 V ，
I
S
= -10毫安
V
DD
= 10.8 V
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;看
图28
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;看
图28
V
S
= V
D
= 1伏或10伏;参见图29
流掉泄漏，我
D
（关闭）
±3
±3
±20
±20
2.0
0.8
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
过渡时间，t
过渡
突破前先延时，T
BBM
±0.002
±0.1
4
170
250
75
V
IN
= V
GND
或V
DD
310
350
30
R
L
= 100 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图29
R
L
= 100 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;参见图31
第0版|第20页4
ADG1406/ADG1407
参数
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
ADG1406
ADG1407
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG1406
ADG1407
C
D
, C
S
（上）
ADG1406
ADG1407
电源要求
I
DD
I
DD
V
DD
1
2
+25°C
145
205
112
150
10
73
70
-40 ° C至
+85°C
250
175
-40 ° C至
+125°C
1
285
200
单位
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
测试条件/评论
R
L
= 100 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图31
R
L
= 100 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图31
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;看
图33
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图34
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图35
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;见图36
35
70
0.6
12
145
72
166
93
0.002
1
150
240
5/16.5
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图36
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 13.2 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
V
SS
= 0 V ， GND = 0 V
温度范围为B版： -40°C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
第0版|第20页5
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