模拟电源
AM4543C
& P通道40 -V （D -S ）的MOSFET
主要特点：
低R
DS （ ON）
沟槽技术
低热阻
开关速度快
典型应用：
白光LED升压转换器
- 汽车系统
工业DC / DC转换电路
产品概述
r
DS （ ON）
(mΩ)
V
DS
(V)
42 @ V
GS
= 10V
40
60 @ V
GS
= 4.5V
30 @ V
GS
= -10V
-40
40 @ V
GS
= -4.5V
I
D
(A)
5.8
4.8
-6.9
-6.0
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号N沟道P沟道限限制
V
DS
漏源电压
40
-40
V
GS
栅源电压
±20
±20
T
A
=25°C
5.8
-6.9
I
D
连续漏电流
a
T
A
=70°C
4.5
-5.4
b
I
DM
漏电流脉冲
30
-30
a
I
S
2.6
-2.7
连续源电流（二极管传导）
T
A
=25°C
2.1
2.1
P
D
功耗
a
T
A
=70°C
1.3
1.3
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
-55到150
单位
V
A
A
W
°C
最大结点到环境
a
热电阻额定值
参数
吨< = 10秒
稳定状态
符号最大
62.5
R
θJA
110
单位
° C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
初步=
1
出版订单号：
DS_AM4543C_1A
模拟电源
典型电气特性 - N沟道
10
VGS栅 - 源极电压（ V）
2
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
（归一化）
V
DS
= 20V
I
D
= 5.3A
AM4543C
8
1.5
6
4
1
2
0.5
0
0
2
4
6
QG - 总栅极电荷（ NC）
8
TJ -JunctionTemperature （ ° C）
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
7.栅极电荷
100
瞬态峰值功率（ W）
10我们
8.归一化导通电阻VS
结温
30
25
20
15
10
5
0
0.001
10
ID电流（A ）
100美
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1秒
10秒
100秒
0.1
1
0.1
1
10
100
DC
IDM限制
受
RDS
0.01
1000
VDS漏极至源极电压（ V）
0.01
0.1
1
10
100
1000
T1时间（秒）
9.安全工作区
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
10.单脉冲最大功率耗散
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 110 ° C / W
P（ PK）
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1时间（秒）
1
10
100
1000
11.归热瞬态结到环境
初步=
4
出版订单号：
DS_AM4543C_1A
MC74VHC1G32
单路2输入或门
该MC74VHC1G32是一种先进的高速CMOS 2输入或
门制造与硅栅CMOS技术。
该内部电路由多个级的，包括一个
缓冲输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该MC74VHC1G32输入结构时提供保护
电压为7V的施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74VHC1G32接口5伏的电路到3V
电路。
特点
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记号
图表
5
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
V4 M
G
G
M
高速：吨
PD
= 3.7纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 60
这些器件是无铅和符合RoHS标准
NLV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC -Q100
合格的，有能力PPAP
1
TSOP - 5 / SOT - 23 / SC- 59
DT后缀
CASE 483
V4
M
G
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
V4 MG
G
IN B
1
5
V
CC
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
IN A
2
引脚分配
GND
3
4
输出Y
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
功能表
IN A
IN B
≥
1
输出Y
A
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
H
图2.逻辑符号
L
L
H
H
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
订购信息
半导体元件工业有限责任公司， 2013
二月， 2013
启示录19
1
出版订单号：
MC74VHC1G32/D
MC74VHC1G32
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中，在85°C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数：28 34
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SC70-5 / SC- 88A （注1 ）
TSOP5
SC705/SC88A
TSOP5
参数
价值
*0.5
to
)7.0
0.5
到+7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
20
$20
$12.5
$25
*65
to
)150
260
)150
350
230
150
200
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
不适用
$500
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
mW
I
闭锁
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸， 2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
归一化故障率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
2.0
0.0
0.0
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图3.故障率与时间
结温
http://onsemi.com
2
MC74VHC1G32
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
*50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
*4
mA
I
OH
=
*8
mA
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
$0.1
1.0
2.0
3.0
4.5
T
A
= 255C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
$1.0
10
典型值
最大
T
A
v
855C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
0.52
0.52
$1.0
40
mA
mA
V
最大
*555C
到1255C
民
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
最大
单位
V
V
IL
最底层
输入电压
V
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
民
T
A
= 25°C
典型值
4.8
6.1
3.7
4.4
5.5
T
A
≤
85°C
55
≤
T
A
≤
125°C
民
最大
11.5
15.5
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
10
民
最大
单位
ns
最大传播
延迟，
输入A或B与Y
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
9.5
13.0
6.5
8.5
10
8.0
10.0
10
C
IN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
11
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
3
MC74VHC1G32
输入A或B
50%
t
PLH
输出y
50% V
CC
50% V
CC
GND
t
PHL
V
OH
V
OL
图4.开关波形
V
CC
输入
产量
C
L*
*包括所有探测和夹具电容。
A 1 - MHz方波输入推荐
对于传播延迟测试。
图5.测试电路
订购信息
设备
MC74VHC1G32DFT1G
NLVVHC1G32DFT1G*
MC74VHC1G32DFT2G
NLVVHC1G32DFT2G*
MC74VHC1G32DTT1G
SOT235/TSOP5/SC595
（无铅）
SC705/SC88A/SOT353
（无铅）
包
航运
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* NLV前缀为汽车和独特的要求和现场控制需求变更的其他应用程序; AEC - Q100认证和PPAP
有能力的。
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4
MC74VHC1G32
包装尺寸
SC- 88A （ SC - 70-5 / SOT- 353 ）
CASE 419A -02
ISSUE
A
G
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419A -01过时。新标准
419A02.
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边，突出物，或门
毛刺。
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026 BSC
---
0.004
0.004
0.010
0.004
0.012
0.008 REF
0.079
0.087
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
---
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
5
4
S
1
2
3
B
D
5 PL
0.2 (0.008)
M
B
M
N
J
C
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
H
K
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
