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高压

电荷泵， PLL合成器

ADF4113HV

特点

高压电荷泵（ 15V）

2.7 V至5.5 V电源供电

200兆赫至4.0千兆赫的频率范围内

引脚与ADF4110 ， ADF4111 ， ADF4112 ， ADF4113兼容

ADF4106 ， ADF4002和合成器

两个可选的电荷泵电流

数字锁定检测

掉电模式

环路滤波器的设计可以利用ADIsimPLL

概述

该ADF4113HV是一个整数N频率合成器具有

高压电荷泵（ 15V）。该合成器的设计

用于与压控振荡器（VCO）具有利用

高调谐电压（最高15V）。有源环路滤波器通常是

用于实现高的调谐电压，但ADF4113HV

电荷泵可以直接与一个驱动器的高电压的VCO

无源环路滤波器。该ADF4113HV可以用来实现

中的上变频和下变频的本地振荡器

无线接收机和发射机的部分。它包括一个

低噪声数字鉴频鉴相器（PFD ），精密

高电压电荷泵，可编程参考分频器，

可编程A和B计数器以及双模预置分频器

(P/P + 1).

一个简单的三线接口控制所有的片内寄存器。

该器件的电源电压范围为2.7 V操作

5.5 V，并且可以关断不使用的时候。

应用

采用高压VCO的应用

中频/射频本地振荡器（LO）生成在基站

点至点无线电LO产生

时钟对模拟 - 数字和数字 - 模拟转换器

无线局域网， PMR

通信测试设备

功能框图

CPGND

参考

SET

REF

14-BIT

v计数器

LATCH

相

频率

探测器

收费

泵

CLK

数据

LOCK

检测

24-BIT

输入寄存器

功能

LATCH

当前

环境

OUT

从

功能

LATCH

N = BP + A

A， B计数器

LATCH

13-BIT

B计数器

负载

6-BIT

计数器

M3 M2 M1

OUT

MUX

高Z

MUXOUT

预分频器

P/P + 1

ADF4113HV

AGND

DGND

06223-001

图1 。

第0版

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ADF4113HV

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

时序特性................................................ ................ 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

晶体管数量................................................ ........................... 5

热阻................................................ ...................... 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述........................... 6

典型性能特征............................................. 7

电路说明................................................ ........................... 9

参考输入部分............................................... ................ 9

RF输入级............................................... ................................ 9

预分频器（P / P + 1 ） .......................................... .............................. 9

A和B计数器.............................................. ............................ 9

v计数器................................................ ....................................... 9

相位频率检测器（ PFD）和电荷泵............ 10

MUXOUT和锁定检测.............................................. ............. 10

输入移位寄存器............................................... ..................... 10

功能锁存................................................ ............................ 13

应用................................................. .................................... 15

使用Digitial - 模拟转换器来驱动

第r

SET

销................................................. ................................. 15

接口................................................. .................................. 15

对于芯片级封装PCB设计指南.................... 16

外形尺寸................................................ ....................... 17

订购指南................................................ .......................... 17

修订历史

1月7日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第20页2

ADF4113HV

特定网络阳离子

= 3V ±10％， 5伏±10％ ; 13.5 V < V

≤ 16.5 V ; AGND = DGND = CPGND = 0 V ;

SET

= 4.7kΩ的; dBm的简称50 Ω ;

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。工作温度范围为B版： -40°C至+ 85°C 。

表1中。

参数

射频特性（ 3 V ）

RF输入灵敏度

RF输入频率

预分频器输出频率

射频特性（ 5 V ）

RF输入灵敏度

RF输入频率

预分频器输出频率

REF

特征

REF

输入频率

参考输入灵敏度

REF

输入电容

REF

输入电流

鉴相器频率

电荷泵

吸入/源

高价值

低价值

绝对精度

SET

范围

三态泄漏电流

漏极和源极电流匹配

与V

与温度的关系

逻辑输入

INH

，输入高电压

INL

，输入低电压

INH

INL

，输入电流

，输入电容

逻辑输出

，输出电压高

，输出低电压

电源

DD 5

（ AI

+ DI

)

低功耗睡眠模式

噪声特性

归一化相位噪声楼

B版本

15/0

0.2/3.7

165

10/0

0.2/3.7

0.2/4.0

200

5/150

0.4/AV

1.0/AV

±100

B芯片

15/0

0.2/3.7

165

10/0

0.2/3.7

0.2/4.0

200

5/150

0.4/AV

1.0/AV

±100

单位

dBm的最小/最大

GHz的最小/最大

兆赫最大

dBm的最小/最大

GHz的最小/最大

兆赫最大

MHz的最小/最大

V P-P最小/最大

pF的最大

μA（最大值）

兆赫最大

测试条件/评论

对于较低的频率，确保SR > 130 V / μs的

输入电平= -5 dBm的

对于f < 5兆赫，确保SR > 100 V / μs的

= 3.3 V ，偏置AV

对于f ≥ 10 MHz时， AV

= 5 V ，偏置AV

3, 4

SET

= 4.7 kΩ

640

2.5

3.9/10

1.5

0.8 × DV

0.2 × DV

±1

0.4

2.7/5.5

13.5/16.5

0.25

212

640

2.5

3.9/10

1.5

0.8 × DV

0.2 × DV

±1

0.4

2.7/5.5

13.5/16.5

0.25

212

μA （典型值）

％（典型值）

千欧（典型值）

nA的最大

％（典型值）

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的最大

V分钟

V最大

V MIN / V最大

最大mA

μA （典型值）

dBc的/赫兹（典型值）

= 500 μA

1 V ≤ V

≤ V

– 1 V

1 V ≤ V

≤ V

– 1 V

= V

11毫安典型

= 25°C

在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。

这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保RF输入进行分频，其频率

小于该值。

AC耦合确保AV

/ 2偏置。

通过特性保证。

= 25

℃; AV

= 5.5 V ; P = 16 ; RF

= 900兆赫。

该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO， PN的输出

合计

和减去20logN （其中N是N分频器

值）和10logF

PFD

： PN

SYNTH

= PN

合计

- 10logF

PFD

- 20logN 。

第0版|第20页3

ADF4113HV

时序特性

通过设计保证，但未经生产测试。 AV

= 3 V ± 10%, 5 V ± 10%; 13.5 V ≤ V

≤ 16.5 V;

AGND = DGND = CPGND = 0 V ;

SET

= 4.7kΩ的;牛逼

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表2中。

参数

在T限制

民

给T

最大

（B版）

单位

ns（最小值）

测试条件/评论

LE建立时间

DATA到CLK建立时间

DATA到CLK保持时间

CLK高时间

CLK低时间

CLK到LE建立时间

LE脉冲宽度

时序图

CLK

数据

DB23 （MSB）

DB22

DB2

DB1

（控制位C2 ）

DB0 （ LSB ）

（控制位C1 ）

06223-002

图2.时序图

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ADF4113HV

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

到GND

以DV

到GND

数字I / O电压为GND

模拟量I / O电压为GND

REF

中，Rf

A， RF

B到GND

A到RF

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

最高结温

焊接温度，焊接

气相（60秒）

红外（ 15秒）

晶体管数量

晶体管数量为12150 （ CMOS ）和348 （双极）。

等级

-0.3 V至+7 V

-0.3 V至+0.3 V

-0.3 V至+18 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

± 320 mV的

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

215°C

220°C

热阻

表4.热阻

套餐类型

TSSOP

LFCSP （桨焊接）

LFCSP （桨没有焊接）

150.4

122

216

单位

° C / W

ESD警告

GND = AGND = DGND = 0V。

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

这个装置是一个高性能的RF集成电路用

的<1千伏ESD额定值，它是ESD敏感。适当的预防措施

应采取的处理和装配。

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