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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1328页 > AD7785BRUZ
3通道,低噪声,低功耗, 20位
∑-Δ
ADC具有片上仪表放大器和基准
AD7785
特点
高达20位有效分辨率
RMS噪声
40纳伏@ 4.17赫兹
85纳伏@ 16.7赫兹
电流: 400 μA的典型
省电: 1 μA最大
低噪声可编程增益仪表放大器
与4ppm的带隙基准电压/ °C典型漂移
更新速率: 4.17 Hz至470 Hz的
3差分输入
内部时钟振荡器
同时50赫兹/ 60 Hz抑制
可编程电流源
片上的偏置电压发生器
熔断电流
电源: 2.7 V至5.25 V
-40 ° C至+ 105 °C温度范围
独立接口供电
16引脚TSSOP封装
接口
3线串行
SPI , QSPI , MICROWIRE 和DSP兼容
在SCLK施密特触发器
工业过程控制
仪器仪表
便携式仪表
血液分析
智能变送器
液体/气体色谱法
6位DVM
概述
该AD7785是一款低功耗,低噪声,完整模拟前端
结束了高精度测量应用。在AD7785
包含一个低噪声20位Σ- Δ型ADC有三个差速器
模拟输入。片上低噪声仪表放大器
意味着,小振幅的信号可以直接输入
到ADC。随着64的增益设置,均方根噪声为40 nV
当更新速率为4.17 Hz 。
该器件内置一个精密低噪声,低漂移内部
带隙基准,可以接受外部差分
参考。其他片上功能包括可编程
激励电流源,熔断电流控制和偏置电压
发电机。偏置电压产生器设定共模
一个信道为AV电压
DD
/2.
该AD7785可以采用内部时钟工作
或外部时钟。来自设备的输出数据速率是
软件可编程的,并且可以从4.17赫兹变化到470
赫兹。该器件采用2.7 V至电源
5.25 V,功耗为400 μA的电流典型,坐落在
16引脚TSSOP封装。
应用
热电偶测量
RTD测量
热敏电阻测量
气体分析
GND
AV
DD
功能框图
REFIN (+)/ AIN3 (+) REFIN ( - ) / AIN3 ( - )
V
BIAS
AV
DD
AIN1(+)
AIN1(–)
AIN2(+)
AIN2(–)
带隙
参考
GND
DOUT / RDY
DIN
SCLK
CS
DV
DD
国内
时钟
MUX
BUF
仪表放大器
Σ-Δ
ADC
串行
接口
控制
逻辑
AV
DD
GND
IOUT1
IOUT2
CLK
AD7785
06721-001
图1 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2007 ADI公司保留所有权利。
AD7785
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ..................... 6
时序图................................................ .......................... 7
绝对最大额定值............................................... ............. 8
ESD注意事项................................................ .................................. 8
引脚配置和功能说明............................. 9
输出噪声和分辨率规格.............................. 11
外部参考................................................ ...................... 11
内部基准................................................ ...................... 12
典型性能特征........................................... 13
片内寄存器.............................................. ............................ 14
通信寄存器................................................ ......... 14
状态寄存器................................................ ............................. 15
模式寄存器................................................ ............................. 15
配置寄存器................................................ .............. 17
数据寄存器................................................ ............................... 18
ID寄存器................................................ ................................... 18
IO登记................................................ ................................... 18
偏移寄存器................................................ ............................ 19
满量程注册.............................................. ........................ 19
ADC电路信息............................................... ............... 20
概述................................................. .................................... 20
数字接口................................................ .......................... 21
电路说明................................................ ......................... 25
模拟量输入通道............................................... ................ 25
仪表放大器................................................ ........ 25
双极性/单极性配置.............................................. 25
数据输出编码............................................... ................... 25
熔断电流................................................ ....................... 26
励磁电流................................................ .................... 26
偏置电压产生............................................... ............... 26
参考................................................. .................................... 26
复位................................................. ............................................ 26
AV
DD
监控................................................. ............................ 27
校准................................................. .................................. 27
接地和布局............................................... ............... 27
应用信息................................................ .............. 29
使用热电偶............... 29测温
使用RTD .............................. 30测温
外形尺寸................................................ ....................... 31
订购指南................................................ .......................... 31
修订历史
4月7日 - 修订版0 :初始版
第0版|第32 2
AD7785
特定网络阳离子
AV
DD
= 2.7 V至5.25 V ; DV
DD
= 2.7 V至5.25 V ; GND = 0 V ;所有规格牛逼
给T
最大
中,除非另有说明。
表1中。
参数
ADC通道
输出更新速率
无失码
2
决议
输出噪声和更新价格
积分非线性
偏移误差
3
失调误差漂移与温度的关系
4
满量程误差
3, 5
增益随温度漂移
4
电源抑制
模拟输入
差分输入电压范围
绝对AIN电压限制
2
无缓冲模式
缓冲模式
仪表放大器有源
共模电压,V
CM
模拟输入电流
缓冲模式下或仪表放大器的有源
平均输入电流
2
平均输入电流漂移
无缓冲模式
平均输入电流
平均输入电流漂移
正常模式抑制
2
内部时钟
@ 50赫兹, 60赫兹
@ 50 Hz的
@ 60 Hz的
外部时钟
@ 50赫兹, 60赫兹
@ 50 Hz的
@ 60 Hz的
共模抑制
@ DC
@ 50赫兹, 60赫兹
2
@ 50赫兹, 60赫兹
2
AD7785B
1
4.17到470
20
单位
赫兹NOM
比特分
见输出噪声和分辨率规格
见输出噪声和分辨率规格
±15
±1
±10
±10
±1
±3
100
±V
REF
/ GAIN
PPM FSR最大的
μV (典型值)
内华达州/ ℃的典型值
μV (典型值)
PPM /°C的典型值
PPM /°C的典型值
分贝分钟
V NOM
测试条件/评论
增益= 1至16,外部基准
增益= 32至128 ,外部参考
AIN = 1V /增益,增益≥ 4 ,外部参考
V
REF
= REFIN ( + )
REFIN ( - )或内部参考,
增益= 1至128
增益= 1或2的
增益= 1或2的
增益= 4 128
V
CM
= ( AIN(+ )+ AIN( - ))/ 2 ,增益= 4 128
GND - 30 mV的
AV
DD
+ 30毫伏
GND + 100 mV的
AV
DD
= 100 mV的
GND + 300 mV的
AV
DD
– 1.1
0.5
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V分钟
±1
±250
±2
±400
±50
nA的最大
pA的最大
PA / ℃的典型值
NA / V (典型值)
PA / V /°C的典型值
增益= 1或2 ,更新速率< 100赫兹
增益= 4 128个,更新率< 100赫兹
增益= 1或2的
输入电流随输入电压
65
80
90
80
94
90
100
100
100
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
80分贝典型值, 50±1赫兹, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1010
6
90分贝典型值, 50±1赫兹,FS [3:0 ] = 1001
6
百分贝典型值, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1000
6
90分贝典型值, 50±1赫兹, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1010
6
百分贝典型值, 50±1赫兹,FS [3:0 ] = 1001
6
百分贝典型值, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1000
6
AIN = 1 V /增益,增益≥ 4
50±1赫兹, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1010
6
50±1赫兹(FS [3:0 ] = 1001)
6
, 60 ± 1赫兹
(FS [3:0 ] = 1000)
6
第0版|第32 3
AD7785
参数
参考
内部参考
内部基准初始精度
内部参考电压漂移
2
电源抑制
外部参考
外部REFIN电压
参考电压范围
2
AD7785B
1
单位
测试条件/评论
1.17 ± 0.01%
4
15
85
2.5
0.1
AV
DD
GND
30毫伏
AV
DD
+ 30毫伏
400
±0.03
一样的模拟输入
100
V最小/最大
PPM /°C的典型值
PPM / ° C最大值
dB典型值
V NOM
V分钟
V最大
V分钟
V最大
NA / V (典型值)
NA / V /°C的典型值
AV
DD
= 4 V,T
A
= 25°C
REFIN = REFIN ( + )
REFIN ( - )
当V
REF
= AV
DD
中,差分输入必须
限于0.9 ×V
REF
/如果增益仪表放大器活跃
绝对REFIN电压限制
2
平均参考输入电流
平均参考输入电流
漂移
正常模式抑制
共模抑制
激励电流源
( IEXC1和IEXC2 )
输出电流
在25 ° C初始容差
漂移
电流匹配
漂移匹配
线路调整率(V
DD
)
负载调整率
输出合规
dB典型值
10/210/1000
±5
200
±0.5
50
2
0.2
AV
DD
0.65
AV
DD
1.1
GND
30毫伏
±2
0.81
AV
DD
/2
见图10
μA NOM
% (典型值)
PPM /°C的典型值
% (典型值)
PPM /°C的典型值
% / V (典型值)
% / V (典型值)
V最大
V最大
V分钟
℃,典型值
毫伏/°C的典型值
V NOM
MS / NF (典型值)
IEXC1和IEXC2之间的匹配; V
OUT
= 0 V
AV
DD
= 5 V ± 5%
10 μA和210 μA的电流选择
选择1毫安电流
温度传感器
准确性
灵敏度
偏置电压产生器
V
BIAS
V
BIAS
发电机启动时间
内部/外部时钟
内部时钟
频率
2
占空比
外部时钟
频率
适用于如果用户校准的温度传感器
适用于如果用户校准的温度传感器
依赖于AIN引脚的电容
64 ± 3%
50:50
64
千赫最小/最大
% (典型值)
千赫NOM
128 kHz的外部时钟,如果使用
除以2的功能是用来
(位= CLK1 CLK0 = 1 )
适用于外部64 kHz时钟; 128千赫
时钟可以具有较不严格的占空比
占空比
逻辑输入
CS
2
45:55至55:45
% (典型值)
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
0.8
0.4
2.0
V最大
V最大
V分钟
DV
DD
= 5 V
DV
DD
= 3 V
DV
DD
= 3 V或5 V
第0版|第32 4
AD7785
参数
SCLK , CLK和DIN (施密特
触发输入)
2
V
T
(+)
V
T
(–)
V
T
(+)
V
T
()
V
T
(+)
V
T
(–)
V
T
(+)
V
T
()
输入电流
输入电容
逻辑输出(包括CLK )
V
OH
,输出电压高
2
V
OL
,输出低电压
2
V
OH
,输出电压高
2
V
OL
,输出低电压
2
浮态泄漏电流
浮态输出电容
数据输出编码
系统校准
2
满量程校准极限
零刻度校准极限
输入范围
电源要求
7
电源电压
AV
DD
to
GND
DV
DD
to
GND
电源电流
I
DD
当前
AD7785B
1
单位
测试条件/评论
1.4/2
0.8/1.7
0.1/0.17
0.9/2
0.4/1.35
0.06/0.13
±10
10
DV
DD
0.6
0.4
4
0.4
±10
10
偏移二进制码
1.05 × FS
1.05
= FS
0.8 × FS
2.1 × FS
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
μA(最大值)
pF的典型值
V分钟
V最大
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的典型值
DV
DD
= 5 V
DV
DD
= 5 V
DV
DD
= 5 V
DV
DD
= 3 V
DV
DD
= 3 V
DV
DD
= 3 V
V
IN
DV
DD
或GND
所有数字输入
DV
DD
= 3 V,I
来源
= 100 μA
DV
DD
= 3 V,I
SINK
= 100 μA
DV
DD
= 5 V,I
来源
= 200 μA
DV
DD
= 5 V,I
SINK
= 1.6 MA( DOUT / RDY ) /
800 μA ( CLK )
V最大
V分钟
V分钟
V最大
2.7/5.25
2.7/5.25
140
185
400
500
V最小/最大
V最小/最大
μA(最大值)
μA(最大值)
μA(最大值)
μA(最大值)
μA(最大值)
110 μA (典型值) @ AV
DD
= 3 V , 125 μA (典型值) @ AV
DD
= 5 V,
非缓冲模式下,外部参考
130 μA (典型值) @ AV
DD
= 3 V , 165 μA (典型值) @ AV
DD
= 5 V,
缓冲模式下,增益= 1或2 ,外部基准
300 μA (典型值) @ AV
DD
= 3 V , 350 μA (典型值) @ AV
DD
= 5 V,
增益= 4 128 ,外部参考
400 μA (典型值) @ AV
DD
= 3 V , 450 μA (典型值) @ AV
DD
= 5 V,
增益= 4 128 ,内部参考
I
DD
(省电模式)
1
2
1
温度范围为-40 ° C至+ 105°C 。
规格未经生产测试,但支持产品初始发布时的特性数据。
3
以下的校准,这种错误是在噪声对选定的编程增益和更新速率的顺序。
4
校准在任何温度下去除这些误差。
5
满量程误差适用于正反两方面的全面应用,并在出厂时校准条件( AV
DD
= 4 V,增益= 1 ,T
A
= 25°C).
6
FS [ 3:0]是在模式寄存器用来选择输出字速率的4比特。
7
数字输入等于DV
DD
或GND与激励电流和偏置电压发生器禁用。
第0版|第32 5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD7785BRUZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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ADI(亚德诺)
22+
14310
原装原厂公司现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
AD7785BRUZ
Analog Devices
2429+
8400
TSSOP-16
代理Analog Devices专营,原装现货优势
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联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
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原装ADI
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6000
原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
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联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
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电话:0755-88917652分机801-83200050
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