【AP138300mA低压噪声CMOS LDO特点- 非常低的压差电压- 低电流消耗： Typ.30μ】,IC型号AP13818WA,AP13818WA PDF资料,AP13818WA经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP138

300mA低压噪声CMOS LDO

特点

- 非常低的压差电压

- 低电流消耗： Typ.30μA ，最大35μA

- 输出电压： 1.8V ， 2.5V ， 2.8V ， 3.0V和3.3V

- 高精度输出电压：

±1.5%

- 保证300毫安输出

- 输入范围可达7.0V

- 热关断

- 限流

- 低ESR电容的稳定性

- 工厂预先设定的输出电压

- 低温度系数

-

无铅

封装： SOT23-5L

一般说明

该AP138是正电压的线性调节器

利用CMOS技术。该功能

包括低静态电流（ 30μA典型值），低

低压差，高输出电压精度，

使其非常适用于电池供电的应用。 EN输入

连接到CMOS具有低偏置电流。该

节省空间的SOT23-5L封装是有吸引力

“口袋”和“手持式”的应用程序。

这个坚固耐用的设备既具有热关断及

电流限制保护，以防止设备故障

在“最差”的操作条件。

在一个低噪声，稳压电源应用，

1000pF的电容器必须被放置在

之间的旁路和接地。

该AP138是稳定的，低ESR输出

电容1.0μF或更大。

应用

- 电池供电设备

- 个人通信设备

- 家用电器/电子产品

- 电脑外设

引脚分配

（ TOP VIEW ）

引脚说明

BYP

4

V

OUT

5

AP138

针

名字

V

IN

GND

EN

BYP

V

OUT

针

号

1

2

3

4

5

功能

电源

地

使能引脚

旁路信号引脚

产量

1

2

3

V

IN

GND EN

SOT23-5

订购信息

AP138 XX X X

输出电压

18: 1.8V

25: 2.5V

28: 2.8V

30: 3.0V

33: 3.3V

包

W： SOT23-5L

填料

空白：管

答：大坪

该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果

此产品。在任何授权不得销售该产品。

1.0版2004年10月29日

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AP138

300mA低压噪声CMOS LDO

框图

V

IN

V

OUT

当前

极限

1uA

热

关闭

R1

EN

BYP

-

AMP

+

VREF

R2

GND

绝对最大额定值

符号

V

CC

I

OUT

V

OUT

T

A

T

J

参数

输入电压

输出电流

输出电压

ESD分类

环境温度范围

结温范围

等级

+7

P

D

/ (V

IN

-V

O

)

GND - 0.3 V

IN

+ 0.3

B

-40至+85

-40到+125

单位

V

mA

V

C

C

热信息

符号

θJC

P

D

T

J

T

领导

参数

热阻

内部功耗（ ΔT = 100 ℃）

最高结温

最大焊接温度（10秒）

SOT23-5L

SOT23-5L

最大

160

250

150

300

单位

摄氏度/ W

mW

C

C

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

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1.0版

2004年10月29日

AP138

300mA低压噪声CMOS LDO

电气特性

(T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。）

符号

参数

测试条件

V

IN

输入电压

V

OUT

输出电压精度我

O

= 1mA至300毫安

1.2V<V

O（ NOM ）

≤

2.0V

I

O

= 1mA至300毫安，

V

降

输入输出电压差

2.0V<V

O（ NOM ）

V

OUT

=V

O（ NOM ）

-1.5%

≤

2.5V

2.5V<V

O（ NOM ）

I

OUT

输出电流

V

OUT

＆ GT ; 1.2V

I

极限

电流限制

V

OUT

＆ GT ; 1.2V

I

Q

静态电流

I

O

=0mA

I

GND

接地引脚电流

I

O

= 1mA至300毫安

REG

LINE

线路调整

I

OUT

= 5毫安，V

IN

=V

OUT

1到V

OUT

+2

REG

负载

负载调整率

I

O

= 1mA至300毫安

过温

OTS

关闭

过温

OTH

迟滞

V

OUT

温度

TC

系数

f=1KHz

I

O

=100mA,

PSRR电源抑制

f=10KHz

C

O

= 2.2μF陶瓷

f=100KHz

f=1KHz

I

O

=100mA,

PSRR电源抑制

O

= 2.2μF陶瓷，

f=10KHz

C

BYP

=0.01F

f=100KHz

C

O

=2.2uF

F = 10Hz至100kHz ，

eN

输出电压噪声

I

O

= 10毫安，C

BYP

=0F

C

O

=100uF

C

O

=2.2uF

F = 10Hz至100kHz ，

eN

输出电压噪声

I

O

= 10毫安，C

BYP

= 0.01μF

O

=100uF

关断电源

I

SD

V

IN

=5.0V, V

OUT

=0V, V

EN

＆ LT ; V

EL

当前

I

EH

V

EN

=V

IN

, V

IN

= 2.6V至7V

EN输入偏置电流

I

EL

V

EN

=0V, V

IN

= 2.6V至7V

V

EH

V

IN

= 2.6V至7V

EN输入阈值

V

EL

V

IN

= 2.6V至7V

注1 ： V

IN（分钟）

=V

OUT

+V

降

分钟。

注1

-1.5

-

-

-

300

300

-

-

-0.1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

2

0

典型值。

-

-

-

-

-

-

450

30

30

0.02

0.2

150

30

40

60

50

40

75

55

30

30

20

30

20

2.0

-

2.0

-

-

马克斯。

7

1.5

1300

800

300

-

-

35

50

0.1

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

3.0

0.1

3.0

V

IN

0.4

单位

V

%

mV

mA

mA

A

A

%

%

o

C

C

o

PPM /

o

C

dB

dB

μVRMS

μVRMS

A

A

A

V

V

典型用途

IN

V

IN

AP138

BYP

C1

1uF

C2

1nF

GND

EN

C3

1uF

V

OUT

OUT

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1.0版

2004年10月29日

AP138

300mA低压噪声CMOS LDO

典型性能特性

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2004年10月29日

AP138

300mA低压噪声CMOS LDO

典型性能特性（续）

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