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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第556页 > ADF4106BRU
a
特点
6.0 GHz带宽
2.7 V至3.3 V电源供电
独立的电荷泵电源(V
P
)允许扩展
调谐电压3 V系统
可编程双模预分频器
8/9, 16/17, 32/33, 64/65
可编程电荷泵电流
可编程消隙脉宽
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
硬件和软件省电模式
应用
宽带无线接入
仪器仪表
无线局域网
基站无线电台
PLL频率合成器
ADF4106
概述
该ADF4106频率合成器可以用于实现
在上变频和下变频的本地振荡器
无线接收机和发射机的部分。它包括一个
低噪声数字PFD (相位频率检测器),精密
电荷泵,可编程参考分频器,可编程
A和B计数器以及双模预分频器(P / P + 1) 。该
A( 6位)和B ( 13位)计数器,与双联
预置分频器(P / P + 1 ) ,实现N分频器(N = BP + A) 。
此外, 14位参考分频器(R计数器) ,允许
可选择REFIN频率在PFD输入端。一个完整的
PLL(锁相环) ,如果synthe-可以实现
分级机用于与外部环路滤波器和VCO (电压
控制振荡器) 。它的非常高的带宽指
倍频器可以在许多高频被淘汰
系统,从而简化系统结构以及降低成本。
功能框图
AV
DD
DV
DD
V
P
CPGND
R
SET
参考
REF
IN
14-BIT
v计数器
频率
探测器
收费
CP
14
v计数器
LATCH
CLK
数据
LE
24位输入
注册
22
功能
LATCH
CPI3 CPI2 CPI1,判断
CPI6 CPI5 CPI4
LOCK
检测
当前
设置1
当前
设置2
功能
LATCH
AB计数器
LATCH
高Z
19
13
AV
DD
MUX
MUXOUT
N = BP + A
13-BIT
B计数器
负载
RF
IN
A
RF
IN
B
预分频器
P/P + 1
负载
6-BIT
计数器
SD
OUT
M3 M2 M1
ADF4106
6
第0版
CE
AGND
DGND
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2001
ADF4106–SPECIFICATIONS
参数
射频特性
RF输入频率( RF
IN
)
3
RF输入灵敏度
最大允许
预分频器输出频率
4
REFIN特性
REFIN输入频率
REFIN输入灵敏度
5
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
6
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OH
,输出电压高
I
OH
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD7
( AI
DD
+ DI
DD
)
I
P
掉电模式
8
( AI
DD
+ DI
DD
)
B版本
1
0.5/6.0
–10/0
300
20/250
0.8/AV
DD
10
±
100
56
1
( AV
DD
DV
DD
= 3 V 10 % ; AV
DD
V
P
5.5 V ; AGND = DGND = CPGND = 0 V ;
R
SET
= 5.1 K表; dBm的称为50;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
BChips
2
(典型值)
0.5/6.0
–10/0
300
20/250
0.8/AV
DD
10
±
100
56
单位
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
A
最大
兆赫最大
测试条件/评论
参见图3电路的输入
对于f < 20兆赫,采用直流耦合
方波, ( 0至V
DD
)
交流耦合;当直流耦合,
0到V
DD
马克斯( CMOS兼容)
5
625
2.5
2.7/10
1
2
1.5
2
1.4
0.6
±
1
10
1.4
1.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
15
0.4
10
5
625
2.5
2.7/10
1
2
1.5
2
1.4
0.6
±
1
10
1.4
1.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
13
0.4
10
毫安(典型值)
A
典型值
% (典型值)
千欧(典型值)
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V分钟
A
最大
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
A
典型值
可编程,见表V
有R
SET
= 5.1 k
有R
SET
= 5.1 k
见表5
0.5 V V
CP
0.5 V V
CP
V
CP
= V
P
/2
V
P
– 0.5 V
V
P
– 0.5 V
开漏输出选上1千欧
上拉至1.8 V
CMOS输出选择
I
OL
= 500
A
AV
DD
V
P
13毫安(典型值)
T
A
= 25°C
5.5 V
–2–
第0版
ADF4106
参数
噪声特性
ADF4106的相位噪声楼
9
相位噪声性能
10
900 MHz输出
11
5800 MHz输出
12
5800 MHz输出
13
杂散信号
900 MHz输出
11
5800 MHz输出
12
5800 MHz输出
13
B版本
1
–174
–166
–159
–93
–74
–84
–90/–92
–65/–70
–70/–75
BChips
2
(典型值)
–174
–166
–159
–93
–74
–84
–90/–92
–65/–70
–70/–75
单位
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
测试条件/评论
@ 25 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ 1 MHz的PFD频率
@ VCO输出
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@为1 MHz / 2 MHz和1 MHz的PFD频率
笔记
1
工作温度范围(B版)是-40 ° C至+ 85°C 。
2
该BChip规范给出的典型值。
3
使用方波对于较低频率,所述的mimimum下面。
4
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保在RF输入分频为频率
小于该值。
5
AV
DD
DV
DD
= 3 V
6
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
7
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3 V ; P = 16 ; RF
IN
= 6.0 GHz的
8
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3.3 V ; R = 16383 ; A = 63 ; B = 891 ; P = 32 ; RF
IN
= 6.0 GHz的
9
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN (其中N为N分频器值)。
10
相位噪声测量与EVAL- ADF4106EB1评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN
合成器(F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的) 。
11
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫
12
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 5800 MHz的; N = 29000 ;环路B / W = 20千赫
13
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 5800 MHz的; N = 5800 ;环路B / W = 100千赫
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特性
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
( AV
DD
DV
DD
= 3 V 10 % ; AV
DD
V
P
5.5 V ; AGND = DGND = CPGND = 0 V ;
SET
= 5.1 k ;
T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
在极限
T
给T
最大
(B版)
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉宽
通过设计保证,但未经生产测试。
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
2
DB2
DB1 ( CONTROL
BIT C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
图1.时序图
第0版
–3–
ADF4106
绝对最大额定值
1, 2
订购指南
AV
DD
到GND
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
P
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至5.3 V
V
P
以AV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+5.5 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
P
+ 0.3 V
REF
IN
中,Rf
IN
A, RF
IN
B至GND 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4∞C / W
CSP
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 122 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
<2千伏,它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理和
装配。
3
GND = AGND = DGND = 0 V
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
模型
ADF4106BRU
ADF4106BCP
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项*
RU-16
CP-20
* RU
=超薄紧缩小型封装( TSSOP )
CP =芯片级封装
联系工厂进行芯片的可用性。
需要注意的是铝的键合线,不应与ADF4106模具使用。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生ADF4106
经受高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
第0版
ADF4106
销刀豆网络gurations
TSSOP
R
设置1
CP
2
CPGND
3
AGND
4
16
V
P
15
DV
DD
14
MUXOUT
芯片级封装
20 CP
19 R
SET
18 V
P
17 DV
DD
16 DV
DD
CPGND 1
AGND 2
AGND 3
RF
IN
B 4
RF
IN
A 5
销1
指标
ADF4106
13
LE
顶视图
RF
IN
B
5
(不按比例)
12
数据
RF
IN
A
6
AV
DD 7
REF
在8
11
CLK
10
CE
9
DGND
ADF4106
顶视图
15 MUXOUT
14 LE
13 DATA
12 CLK
11 CE
注:晶体管数量6425 ( CMOS ) , 303 (双极)
引脚功能描述
助记符
R
SET
功能
在此引脚与CPGND之间的电阻设置最大电荷泵的输出电流。标称
电压电势在R
SET
销是0.6V。我的关系
CP
和R
SET
is
I
CP MAX
=
25.5
R
SET
所以,使用R
SET
= 5.1 kΩ的,我
cpMax则
= 5毫安。
电荷泵的输出。如果启用此规定
±
I
CP
到外部环路滤波器,其又驱动
外部VCO 。
电荷泵地面。这是用于电荷泵的接地返回路径。
模拟地。这是预分频器的接地回路。
互补输入到RF预分频器。这一点,必须去耦至地平面以小旁路
电容,典型值为100 pF的。参见图3 。
输入到RF预分频器。此小信号输入是交流耦合到外部VCO 。
模拟电源。这个范围可以从2.7 V至3.3 V去耦电容到模拟地平面
应放置在尽可能靠近此引脚。 AV
DD
必须是相同的值DV的
DD
.
参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值
DD
/ 2和一个直流等效输入电阻
100 kΩ的。参见图2 ,此输入可被驱动从一个TTL或CMOS晶体振荡器,或者它可以是交流耦合的。
数字地
芯片使能。在这个引脚关断器件和逻辑低电平时,电荷泵输出为三态
模式。服用引脚为高电平将启动该设备根据掉电位F2的状态。
串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据被锁存到
在CLK的上升沿的24位移位寄存器。这个输入是高阻抗CMOS输入。
串行数据输入。串行数据首先被载入MSB与两个最低有效位是控制位。该输入是一个
高阻抗CMOS输入。
负荷启用, CMOS输入。当LE变为高电平时,存储在移位寄存器中的数据被加载到4中的一个
锁存器,使用控制比特被选择的锁存器。
该多路输出允许使用的锁定检测,缩放RF或缩放参考频率是
外部访问。
数字电源。这个范围可以从2.7 V至3.3 V去耦电容到数字地平面
应放置在尽可能靠近此引脚。 DV
DD
必须是相同的值的AV
DD
.
电荷泵电源。这应该是大于或等于V
DD
。在系统中,其中V
DD
为3V时,它可以
设定为5V和用来驱动VCO,具有高达5 V的调谐范围
CP
CPGND
AGND
RF
IN
B
RF
IN
A
AV
DD
REF
IN
DGND
CE
CLK
数据
LE
MUXOUT
DV
DD
V
P
第0版
–5–
AV
DD
6
AV
DD
7
REF
IN
8
DGND 9
DGND 10
数据表
特点
6.0 GHz带宽
2.7 V至3.3 V电源供电
独立的电荷泵电源(V
P
)允许扩展
调谐电压3 V系统
可编程双模前置分频器
8/9, 16/17, 32/33, 64/65
可编程电荷泵电流
可编程反冲防回差脉冲宽度
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
硬件和软件省电模式
PLL频率合成器
ADF4106
概述
该ADF4106频率合成器可以用于实现
在上变频和下变频的本地振荡器
无线接收机和发射机的部分。它包括一个
低噪声,数字相位频率检测器(PFD ),精密
电荷泵,可编程参考分频器,可编程
计数器和B计数器以及双模预分频器(P / P + 1) 。
在A( 6位)计数器和B( 13位)计数器,中联
与双模预分频器(P / P + 1 ) ,实现N
分频器( N = BP + A) 。此外, 14位参考计数器
(R计数器)允许选择REF
IN
频率在PFD
输入。一个完整的锁相环( PLL)可实现
如果合成器与外部环路滤波器和电压
控制振荡器(VCO ) 。其非常高的带宽的手段
该倍频器可以在很多高被淘汰
高频系统,简化了系统结构和
降低了成本。
应用
宽带无线接入
卫星系统
仪器仪表
无线局域网
基站无线设备
AV
DD
DV
DD
功能框图
V
P
CPGND
参考
14-BIT
v计数器
14
v计数器
LATCH
CLK
数据
LE
24位输入
注册
功能
LATCH
A, B计数器
LATCH
13
13-BIT
B计数器
负载
预分频器
P/P + 1
负载
6-BIT
计数器
M3 M2 M1
SD
OUT
LOCK
检测
当前
设置1
CPI3 CPI2 CPI1,判断
当前
设置2
CPI6 CPI5 CPI4
高Z
19
AV
DD
MUX
MUXOUT
频率
探测器
R
SET
REF
IN
收费
CP
22
SD
OUT
功能
LATCH
N = BP + A
RF
IN
A
RF
IN
B
ADF4106
02720-001
6
CE
AGND
DGND
图1 。
英文内容
文档反馈
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
电话: 781.329.4700 2001-2012 ADI公司保留所有权利。
技术支援
www.analog.com
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
ADF4106
目录
规格................................................. .................................... 3
时序特性研究................................................ ............... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能描述........................... 7
典型性能特征............................................. 8
概述................................................ ....................... 10
参考输入部分............................................... .............. 10
RF输入级............................................... .............................. 10
预分频器(P / P +1 ) .......................................... ............................. 10
A计数器和B计数器............................................. ............ 10
v计数器................................................ .................................... 10
数据表
相位频率检测器( PFD)和电荷泵............ 11
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 11
输入移位寄存器............................................... ..................... 11
该功能锁存............................................... ..................... 17
初始化锁存............................................... .............. 18
应用................................................. .................................... 19
本地振荡器的LMDS基站发射机............ 19
接口................................................. .................................. 20
对于芯片级封装PCB设计指南.................... 20
外形尺寸................................................ ....................... 21
订购指南................................................ .......................... 22
修订历史
11/12 -REV 。 D钮英文内容
改变的EVAL- ADF4106EBZ1到
EV- ADF4106SD1Z ......通用
新增RF
IN
A到RF
IN
b参数,表3 .................................... 6
更新的外形尺寸............................................... ........ 21
更改订购指南.............................................. ............ 22
9月11日 - 修订版。 C到Rev. D的
变化归一化相位噪声层( PN
SYNTH
)参数,
表1 ................................................ ................................................ 4
加入归一化的1 / f噪声( PN
1_f
)参数和尾12 ,
表1 ................................................ ................................................ 4
更改订购指南.............................................. ............ 22
2月10日 - 修订版。 B到C版
图4的变化和表4 ........................................... .......... 6
图12 ..............................................变化.......................... 8
更新的外形尺寸............................................... ........ 20
更改订购指南.............................................. ............ 21
6月5日 - 修订版。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
图1 ..............................................变化............................. 1
更改表1 .............................................. ............................... 3
更改表2 .............................................. ............................... 4
更改表3 .............................................. ............................... 5
改变图3和图4 ........................................... 6 .........
变化图6 .............................................. ............................. 7
图10 ..............................................变化........................... 7
删除TPC 13和TPC 14 ............................................ ................ 8
图15 ..............................................变化........................... 8
变化图20标题............................................. ......... 10
更新的外形尺寸............................................... ........ 20
更改订购指南.............................................. ............ 21
5月3日 - 修订版。 0到版本A
编辑规格............................................... ........................ 2
编辑TPC 11 .............................................. .................................... 7
更新的外形尺寸............................................... ........ 19
10月1日 - 修订版0 :初始的版本
修订版E |页24 2
数据表
特定网络阳离子
ADF4106
AV
DD
DV
DD
= 3 V± 10 % , AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V , AGND = DGND = CPGND = 0 V ,R
SET
= 5.1 kΩ的, dBm的简称50 Ω ,T
A
= T
最大
给T
,
除非另有说明。
表1中。
参数
射频特性
RF输入频率( RF
IN
)
RF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
3
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
4
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
6
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
IH
,输入高电压
V
IL
,输入低电压
I
INH
, I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OH
,输出电压高
I
OH
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD7
( AI
DD
+ DI
DD
)
I
DD8
( AI
DD
+ DI
DD
)
I
DD9
( AI
DD
+ DI
DD
)
I
P
掉电模式
10
( AI
DD
+ DI
DD
)
B版本
1
0.5/6.0
–10/0
300
325
20/300
0.8/V
DD
10
±100
104
B芯片
2
(典型值)
0.5/6.0
–10/0
300
325
20/300
0.8/V
DD
10
±100
104
单位
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
测试条件/评论
请参阅图18为输入电路
对于较低频率,确保
压摆率( SR ) > 320 V / μs的
P=8
P = 16
对于f < 20兆赫,确保SR > 50 V / μs的
偏置AV
DD
/ 2 (见注5
5
)
ABP = 0 , 0 ( 2.9 ns的反冲脉冲宽度)
可编程,见表9
有R
SET
= 5.1 kΩ
有R
SET
= 5.1 kΩ
见表9
1 nA的典型;牛逼
A
= 25°C
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
0.5 V
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
0.5 V
V
CP
= V
P
/2
5
625
2.5
3.0/11
2
2
1.5
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
0.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
11
11.5
13
0.4
10
5
625
2.5
3.0/11
2
2
1.5
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
0.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
9.0
9.5
10.5
0.4
10
毫安(典型值)
μA (典型值)
% (典型值)
千欧(典型值)
nA的最大
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
V分钟
μA(最大值)
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
μA (典型值)
选择漏极开路输出, 1 kΩ上拉
电阻器1.8伏时
CMOS输出选择
I
OL
= 500 μA
AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5V
9.0毫安(典型值)
9.5毫安(典型值)
10.5毫安(典型值)
T
A
= 25°C
修订版E |第24 3
ADF4106
参数
噪声特性
归一化相位噪声楼
( PN
SYNTH
)
11
归一化的1 / f噪声( PN
1_f
)
12
相位噪声性能
13
900兆赫
14
5800兆赫
15
5800兆赫
16
杂散信号
900兆赫
14
5800兆赫
15
5800兆赫
16
1
2
数据表
B版本
1
–223
122
–92.5
76.5
83.5
–90/–92
–65/–70
–70/–75
B芯片
2
(典型值)
–223
122
92.5
76.5
83.5
–90/–92
–65/–70
–70/–75
单位
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
测试条件/评论
PLL环路B / W = 500千赫, 100千赫测量
OFFSET
10 kHz偏置;归一化到1 GHz
@ VCO输出
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@为1 MHz / 2 MHz和1 MHz的PFD频率
工作温度范围(B版)是-40 ° C至+ 85°C 。
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保RF输入进行分频,其频率
小于该值。
4
AV
DD
DV
DD
= 3 V.
5
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。
6
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
7
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3 V ; P = 16 ; RF
IN
= 900兆赫。
8
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3 V ; P = 16 ; RF
IN
= 2.0千兆赫。
9
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3 V ; P = 32 ; RF
IN
= 6.0千兆赫。
10
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3.3 V ; R = 16383 ; A = 63 ; B = 891 ; P = 32 ; RF
IN
= 6.0千兆赫。
11
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去20的日志N(其中N为N分频器
值)和图10的日志F
PFD
。 PN
SYNTH
= PN
合计
- 10日志F
PFD
- 20日志N.
12
该PLL相位噪声是由1 / F(闪烁)噪声加归PLL底噪声。式用于在RF频率,男计算1 / f噪声的贡献
RF
,
和在频率偏移中,f ,由PN = PN定
1_f
+10日志(10千赫/女) +20日志(六
RF
/ 1千兆赫) 。无论是归一化相位噪声层和闪烁噪声建模
ADIsimPLL可以。
13
相位噪声测量与EV- ADF4106SD1Z评估板和Agilent E4440A频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN
合成器(F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的) 。
14
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫。
15
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 5800 MHz的; N = 29000 ;环路B / W = 20千赫。
16
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 5800 MHz的; N = 5800 ;环路B / W = 100千赫。
时序特性研究
AV
DD
DV
DD
= 3 V± 10 % , AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V , AGND = DGND = CPGND = 0 V ,R
SET
= 5.1 kΩ的, dBm的简称50 Ω ,T
A
= T
最大
给T
,
除非另有说明。
表2中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
1
极限
1
(B版)
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉冲宽度
工作温度范围(B版)是-40 ° C至+ 85°C 。
修订版E |第24 4
数据表
t
3
时钟
ADF4106
t
4
t
1
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
2
DB2
DB1 ( CONTROL
BIT C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
02720-002
图2.时序图
修订版E |第2页5
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