2月2日
nd
, 2010
汽车级
AUIRS211(7,8)S
单通道驱动器
特点
产品概述
单高端
≤
600 V
10 V – 20 V
290毫安& 600毫安
140纳秒& 140纳秒
设计为引导操作浮动通道
拓扑
充分运作,以+600 V
耐负瞬态电压 - 的dV / dt免疫V
OFFSET
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
V
OUT
欠压锁定
CMOS施密特触发与下拉输入
I
o+
&放大器;我
o-
(典型值)
( AUIRS2117 )或拉( AUIRS2118 )
输出同相输入端( AUIRS2117 )或出
t
ON
&放大器;牛逼
关闭
(典型值)
相输入端( AUIRS2118 )
无铅,符合RoHS标准
汽车合格*
封装选项
直接/压电喷射
BLDC电机驱动
MOSFET和IGBT驱动器
典型应用
8引脚SOIC
典型连接图
*资格标准可在IR的网站ww.irf.com被发现
2010国际整流器
AUIRS211(7,8)S
描述
该AUIRS2117S / AUIRS2118S高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC
和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入兼容
与标准CMOS输出。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可
可用于驱动高侧或低侧配置,它运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT
高达600V。
www.irf.com
2008国际整流器
3
AUIRS211(7,8)S
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
IC闩锁测试
符合RoHS
汽车
(每AEC -Q100
)
点评:该系列芯片已经通过了一项汽车
资格。 IR的工业和消费资格
级别授予扩展更高的汽车
的水平。
MSL3
260°C
SOIC8N
(根据IPC / JEDEC J- STD- 020 )
一流的M2 (通过+/- 200V )
(每AEC- Q100-003 )
一流的H1B (通过+/- 1000V )
(每AEC- Q100-002 )
一流的C4 (通过+/- 1000V )
(每AEC- Q100-011 )
II级, A级
(每AEC- Q100-004 )
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
例外AEC -Q100标准要求标注在鉴定报告。
高等教育MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系您
国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
www.irf.com
2008国际整流器
4
AUIRS211(7,8)S
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对领先的电压。超越那些在"上市压力
绝对最大Ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出任何其他条件中的“显示推荐的功能操作
工作条件“是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。热电阻和功耗额定值下测板安装
而静止空气条件。环境温度(T
A
)是25℃ ,除非另有说明。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
可允许的偏移电压瞬变(图2)
封装的功率耗散@ TA
≤
25°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
0.3
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
50
0.625
200
150
150
300
V
单位
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图中示出图1.对于正确的操作设备应在该使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置15 V差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
逻辑电源电压
逻辑输入电压
环境温度
民
V
S
+10
V
S
10
0
-40
最大
V
S
+20
600
V
B
20
V
CC
125
单位
V
°C
逻辑运算的V
S
-5 V至+600 V.逻辑状态保持V
S
V - -5 V至
BS 。
(请参考设计提示DT97-3了解更多详情) 。
www.irf.com
2008国际整流器
5