【a特点8位CMOS DAC与输出放大器工作在单电源或双电源低总非调整误差：小于1 LSB过热扩展工作】,IC型号AD7224KNZ,AD7224KNZ PDF资料,AD7224KNZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

8位CMOS DAC与输出放大器

工作在单电源或双电源

低总非调整误差：

小于1 LSB过热

扩展工作温度范围

P-兼容双缓冲输入

标准的18针的DIP ，和20的终端表面

贴装封装和SOIC封装

LC MOS

8位DAC，输出放大器

AD7224

功能框图

概述

产品亮点

该AD7224是一种精密的8位电压输出数字 -

模拟转换器，其输出放大器和双缓冲

在一个单片CMOS芯片的接口逻辑。无需外部装饰

需要实现全部额定性能的一部分。

双缓冲接口逻辑由两个8位寄存器

TER值，输入寄存器和DAC寄存器。只有在保持的数据

DAC寄存器确定CON组的模拟输出

变频器。双缓冲允许在同步更新

包含多个AD7224s系统。这两个寄存器可以是

下三个外部控制线做成透明的，

CS ， WR

和

LDAC 。

与这两个寄存器透明的

RESET

LINE

功能，如零覆盖;一个有用的功能，用于系统卡利

bration周期。所有逻辑输入是TTL和CMOS （ 5V）的水平

兼容，并且该控制逻辑与大多数高速兼容

8位微处理器。

规定的性能保证输入参考电压

从2 V至12.5 V时，使用双电源供电。该部分也

使用的+ 10V参考单电源操作指定

输出放大器能够产生+10 V电压跨越的

2 kΩ的负载。

该AD7224是制作全离子注入高速

线性兼容CMOS （ LC

MOS）的方法，该方法已

专门开发，使高速数字逻辑电路

和精确的模拟电路被集成在同一芯片上。

1. DAC和放大器的CMOS芯片

的8位DAC和输出放大器的单芯片设计

本质上比多芯片设计更加可靠。 CMOS

制造意味着低功耗（ 35 mW的典型

单相供电）。

2.低总非调整误差

关于ADI公司线性的AD7224的制造

兼容CMOS （ LC

MOS）工艺加上一个新的

DAC开关对布置，让一个优秀的非共

小于1 LSB在整个工作温调节的误差

温度范围内。

3.单或双电源供电

在AD7224的电压模式配置允许操作

从化单电源轨。该部分也可以是OP-

erated采用双电源供电提供增强的性能

一些参数。

4.多功能接口逻辑

高速逻辑允许直接连接到大多数微

处理器。此外，双缓冲接口恩

ABLES在多个DAC的AD7224的同步更新

系统。该器件还具有零覆盖功能。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 617 / 329-4700

传真： 617 / 326-8703

AD7224–SPECIFICATIONS

双电源

参数

静态性能

决议

总非调整误差

相对精度

微分非线性

满量程误差

满量程温度系数

零代码错误

零代码误差温度系数

参考输入

电压范围

输入阻抗

输入电容

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入漏电流

输入电容

输入的码

动态性能

输出电压摆率

输出电压建立时间

正满量程变化

负满量程变化

数字馈通

最小负载电阻

电源

范围

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

开关特性

3, 4

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

= 11.4 V至16.5 V ，V

= -5V 10 ％ ; AGND = DGND = O V ; V

REF

= 2 V至（Ⅴ

– 4 V)

除非另有说明。

所有特定网络阳离子牛逼

民

给T

最大

除非另有说明）。

K，B ，T

版本

3/2

2至（Ⅴ

– 4)

100

2.4

0.8

二进制

2.5

11.4/16.5

4.5/5.5

L，C ，U

版本

1/2

2至（Ⅴ

– 4)

100

2.4

0.8

二进制

2.5

11.4/16.5

4.5/5.5

单位

位

LSB（最大值）

PPM / ° C最大值

毫伏最大

μV/°C

典型值

V MIN到V最大

kΩ的分

pF的最大

V分钟

V最大

最大

pF的最大

条件/评论

= +15 V

5%, V

REF

= +10 V

保证单调性

= 14 V至16.5 V ，V

REF

= +10 V

当DAC加载全1时发生。

= 0 V或V

V / μs的分

最大

纳伏秒（典型值）

kΩ的分

V MIN / V最大

最大mA

REF

= 10 V ;建立时间

1/2最低位

REF

= 10 V ;建立时间

1/2最低位

REF

= 0 V

OUT

= +10 V

对于指定的性能

输出空载; V

= V

INL

或V

INH

输出空载; V

= V

INL

或V

INH

输出空载; V

= V

INL

或V

INH

输出空载; V

= V

INL

或V

INH

ns（最小值）

片选/加载DAC脉宽

写/复位脉冲宽度

片选/加载DAC写建立时间

片选/加载DAC写保持时间

数据有效到写建立时间

数据有效到写保持时间

笔记

最大可能的基准电压。

温度范围如下：

K，L版本： -40 ° C至+ 85°C

B，C版本： -40°C至+ 85°C

T，U版本： -55 ° C至+ 125°C

在25 ° C样品通过测试的产品为保证，以确保合规性。

开关特性适用于单，双电源供电。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

版本B

AD7224

单电源

参数

静态性能

决议

总非调整误差

微分非线性

参考输入

输入阻抗

输入电容

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入漏电流

输入电容

输入的码

动态性能

输出电压摆率

输出电压建立时间

正满量程变化

负满量程变化

数字馈通

最小负载电阻

电源

范围

@ 25°C

民

给T

最大

开关特性

3, 4

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

@ 25°C

民

给T

最大

= +15 V 5%; V

= AGND = DGND = O V ; V

REF

= +10 V

除非另有说明。

所有特定网络阳离子牛逼

民

给T

最大

除非另有说明）。

K，B ，T

版本

100

2.4

0.8

二进制

14.25/15.75

L，C ，U

版本

100

2.4

0.8

二进制

14.25/15.75

单位

位

LSB（最大值）

kΩ的分

pF的最大

V分钟

V最大

最大

pF的最大

条件/评论

保证单调性

当DAC加载全1时发生。

= 0 V或V

V / μs的分

最大

纳伏秒（典型值）

kΩ的分

V MIN / V最大

最大mA

建立时间

1/2最低位

建立时间

1/2最低位

REF

= 0 V

OUT

= +10 V

对于指定的性能

输出空载; V

= V

INL

或V

INH

输出空载; V

= V

INL

或V

INH

ns（最小值）

片选/加载DAC脉宽

写/复位脉冲宽度

片选/加载DAC写建立时间

片选/加载DAC写保持时间

数据有效到写建立时间

数据有效到写保持时间

笔记

最大可能的基准电压。

温度范围如下：

AD7224KN ， LN ： 0 ° C至+ 70°C

AD7224BQ ， CQ ： -25°C至+ 85°C

AD7224TD ， UD ： -55 ° C至+ 125°C

参见术语。

在25 ° C样品通过测试的产品为保证，以确保合规性。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

–3–

AD7224

绝对最大额定值

订购指南

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ， 17 V

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ， 17 V

到V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V, +24 V

AGND至DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

数字输入电压至DGND 。。。。。。。 0.3 V ，V

+ 0.3 V

REF

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

+ 0.3 V

OUT

到AGND

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V

, V

功率耗散（任何套餐）到+ 75°C 。。。。。。。。 450毫瓦

额定值下降75℃以上通过。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6毫瓦/°C的

工作温度

商业（ K，L版本）。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

工业（ B，C版本）。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

扩展（ T，U版本）。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。 + 300℃

笔记

条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

该输出可以被缩短到AGND提供的功耗

不超出包。通常情况下，以AGND短路电流为60毫安。

模型

AD7224KN

AD7224LN

AD7224KP

AD7224LP

AD7224KR-1

AD7224LR-1

AD7224KR-18

AD7224LR-18

AD7224BQ

AD7224CQ

AD7224TQ

AD7224UQ

AD7224TE

AD7224UE

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

总

未经调整

错误（ LSB）的

2最大

1 MAX

2最大

1 MAX

2最大

1 MAX

2最大

1 MAX

2最大

1 MAX

2最大

1 MAX

2最大

1 MAX

包

选项

N-18

P-20A

R-20

R-18

Q-18

E-20A

笔记

如需订购MIL -STD- 883加工零件，添加/ 883B部件号。

请联系您当地的销售办事处为军事数据表。

E =无引线陶瓷芯片载体; N =塑料DIP ;

P =塑料有引线芯片载体; Q = CERDIP ; R = SOIC 。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD7224具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

销刀豆网络gurations

DIP和SOIC

OUT

REF

AGND

DGND

（MSB） DB7

DB6

DB5

DB4

RESET

OUT

REF

AGND

DGND

（MSB） DB7

DB6

DB5

DB4

警告！

ESD敏感器件

（ SOIC ）

RESET

（ SOIC ）

OUT

REF

AGND

DGND

（MSB） DB7

DB6

DB5

DB4

19 RESET

18 LDAC

16 LDAC

AD7224

DB0 （ LSB ）

AD7224

R-18

DB0 （ LSB ）

AD7224

R-20

17 WR

顶视图

（不按比例）

顶视图

（不按比例）

16 CS

顶视图

（不按比例） 15 DB0 （ LSB ）

14 DB1

13 DB2

12 DB3

11 NC

12 DB1

11 DB2

10 DB3

12 DB1

11 DB2

10 DB3

NC 10

LCCC

RESET

OUT

PLCC

RESET

NC =无连接

REF

AGND 5

DGND 6

（MSB） DB7 7

8 DB6

DB5

1 20 19

18 LDAC

REF

AGND

DGND

（MSB） DB7

DB6

20 19

18 LDAC

AD7224

顶视图

（不按比例）

17 WR

16 CS

15 DB0 （ LSB ）

14 DB1

AD7224

顶视图

（不按比例）

17 WR

16 CS

15 DB0 （ LSB ）

14 DB1

10 11 12 13

DB4

DB3

DB2

10 11 12 13

DB4

NC =无连接

–4–

DB5

DB3

DB2

版本B

AD7224

术语

总非调整误差

OUT

REF

哪里

是的数字输入码的分数表示

并且可以变化为0 255/256 。

OP -AMP节

总非调整误差是一个全面的规范，

包括满量程误差，相对精度和零代码错误。

最大输出电压为V

REF

- 1 LSB （理想），其中1 LSB

（理想）为V

REF

/ 256。 LSB的大小会有所不同比V

REF

范围内。

因此，零码误差，相对于LSB的大小，会提高

为V

REF

减小。因此，总非调整误差，

它包括零码错误时，也将变化在以下方面

最低有效位在V

REF

范围内。这样一来，总非调整误差

为+ 10V的固定参考电压指定

相对精度

所述电压模式的D / A转换器的输出由一个统一缓冲

同相增益放大器CMOS 。此缓冲放大器是

能够开发+10 V在一个2 kΩ的负载，并且可以驱动

3300 pF的容性负载。

该AD7224可以操作导致单电源或双电源

不同的性能在从输出部分参数上午

plifier 。在单电源供电（V

= 0 V = AGND）信宿

放大器，它通常是400的能力

减少

当输出电压接近AGND 。充分吸收能力

400

被保持在整个输出电压范围由捆扎

至-5 V.这被表示在图2中。

500

= –5V

400

相对精度或端点是非线性的措施

从一个直线穿过的最大偏差

DAC传递函数的端点。这是AL-后测

降脂零代码误差和满量程误差是正常

LSB表示或为满量程读数的百分比。

微分非线性

SINK

–

微分非线性是测得的差

更改任意两个相邻之间的理想的1 LSB变化

码。的额定微分非线性

1 LSB（最大值）过

在工作温度范围内确保单调性。

数字馈通

300

= 0V

200

= +15V

= 25°C

数字馈通传输到输出的毛刺脉冲

把因在数字输入码的变更。它是在指定的

纳伏秒和测量V

REF

= 0 V.

满量程误差

100

OUT

- 伏特

满量程误差定义为：

测量值 - 零代码错误 - 非常超值

图2.变异我

SINK

随着V

OUT

电路信息

D / A部分

的AD7224包含一个8位的电压模式的数字 - 模拟

转换器。来自转换器的输出电压有相同的

极性的基准电压时，允许单电源操作

化。在AD7224 AL-一种新型DAC开关对安排

低点的基准电压范围为2 V至12.5 V.

该DAC包括一个高度稳定的薄膜， R-2R梯形的和

8高速NMOS单刀双掷开关。

的简化电路图该DAC示于

图1 。

REF

AGND

DB0

将显示所有1的ON DAC

OUT

建立时间为负向输出信号逼近

AGND同样受到V

。负向建立时间

对于单电源操作比双电源再操作

化。正向建立时间不受V

另外，该负V

提供了更多的扩展空间到输出

放放大器其导致更好的零码的性能和

改进的转换速率在输出比可以在获得

单电源供电模式。

数字部分

在AD7224的数字输入与TTL或兼容

5 V CMOS电平。所有的逻辑输入静态保护的MOS

门具有小于1 nA的典型输入电流。内部IN-

把保护由一个片上分布二极管实现BE-

吐温DGND每个MOS栅极。为了尽量减少电源

电流时，则建议的数字输入电压是

驱动尽可能靠近电源轨（V

和DGND ）为practi-

美云成为可能。

接口逻辑信息

图1. D / A简化电路图

在V输入阻抗

REF

引脚码相关，并且可以

变化从8千欧最低为无穷大。最低输入阻抗

当DAC装有数字代码发生ANCE

01010101.因此，重要的是，基准礼物

在变化的负荷条件下的低输出阻抗。该

在参考终端节点的电容也是代码依赖新生

凹痕，通常从25 pF的变化到50 pF 。

在V

OUT

销可以被认为是数字可编程

电压源的输出电压：

版本B

表一显示了AD7224运算的真值表。部分

包含两个寄存器，一个输入寄存器和一个DAC寄存器。

和

控制输入寄存器中，而加载

LDAC

和

控制信息从输入传送寄存器

器DAC寄存器。仅在DAC寄存器中保存的数据

将确定转换器的模拟输出。

所有的控制信号电平触发的，因此一方或

两个寄存器都可以制成透明;由输入寄存器

保存

和

“LOW” ， DAC寄存器通过保持

LDAC

和

“低” 。输入数据被锁存的上升

边缘

WR 。

–5–