D
G
S
TO-247
ARF463A
ARF463B
常见
来源
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
125V
100W
100MHz
该ARF463A和ARF463B包括对称双共源的RF功率晶体管设计的推挽
拉科学，商业，医疗和工业RF功率放大器应用高达100兆赫。他们已经
对于线性和高效率运行的类进行了优化。
指定125伏， 81.36 MHz的特点：
输出功率为100瓦。
增益= 15分贝（ AB类）
EF网络效率= 75 ％ （ C类）
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
V
GS
P
D
R
θJC
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳
低成本的公共源的RF包。
低Vth的热COEF网络cient 。
低热阻。
优化SOA的卓越耐用性。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF463A/B
单位
伏
安培
伏
瓦
° C / W
°C
500
9
±30
180
0.70
-55到150
300
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电压
1
民
典型值
最大
单位
伏
500
5.0
25
A
(I
D
（ ON）= 4.5A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 4.5A)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
250
±100
4
3
6
5
nA
姆欧
伏
6-2003
050-5998修订版B
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
ARF463A/B
最大
单位
1200
140
9
5.1
4.1
12.8
4
1600
200
12
10
8
20
8
ns
pF
功能特点
符号
G
PS
η
ψ
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 10 ： 1
测试条件
F = 81.36 MHz的
I
dq
= 50毫安
V
DD
= 125V
民
典型值
最大
单位
dB
%
13
60
15
65
P
OUT
= 100W
在输出功率不降低
1
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
30
25
20
增益（dB ）
3000
C类
V
DD
= 150V
P
OUT
= 150W
电容（pF）
西塞
1000
500
科斯
100
50
15
10
5
CRSS
0
30
60
75
90
105
120
频率（MHz）
图1 ，典型增益与频率
45
10
.1
.5
1
5
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型的电容与漏 - 源极电压
12
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
36
TJ = -55°C
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
100uS
10
8
10
5
1mS
6
TJ = + 25°C
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
10
100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图4 ，典型的最大安全工作区
100mS
DC
6-2003
4
2
050-5998修订版B
TJ = + 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的传输特性
ARF463A/B
1.2
I
D
，漏极电流（安培）
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
25
VGS = 15 & 10V
8V
15
6V
5.5V
5V
5
4.5V
4V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
如图5所示，典型的阈值电压与温度
0.80
0.70
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图6 ，典型输出特性
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.9
0.60
0.50
0.40
0.30
0.3
0.20
0.10
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.7
0.5
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图9a ，典型的最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
遥控模型
连接点
温度。 （ “C ）
0.147
0.00259F
1.0
动力
（瓦特）
0.231
0.00818F
0.321
外壳温度
0.127F
图9b ，瞬态热阻抗模型
表1 - 典型的AB类大信号输入 - 输出阻抗
频率。 （兆赫）
2.0
13.5
27
40
65
80
100
寻（ Ω ）
24 - j 5.0
7.8 - j 11
2.1 - j 6.4
.74 - j 3.3
.30 + j .42
.46 + j 2.0
.87 + j 3.7
Z
OL
()
55 - j 4.8
41 - j 24
23 - j 26.2
13.6 - j 22
6.1 - j 14.2
4.2 - j 10.7
2.7 - j 7.1
寻 - 门分流与25Ω ！
I
DQ
= 50毫安
Z
OL
- 共轭最佳负载的电压Vdd = 125V， 100瓦输出
050-5998修订版B
6-2003
ARF463A/B
L4
C5
BIAS
0 - 12V
C7
R1
RF
输入
L2
C2
L1
DUT
C3
R2
C1
L3
C8
+
125V
-
C6
RF
产量
C4
C5
C1 - 820pF Unelco安装在
栅极引线
C2-C5 - 阿科463云母微调
C5 - C8 - 10nF电容500V COG芯片
L1 - 3吨＃ 18 0.3" ID .25"L 50NH
L2 - 3吨＃ 16 AWG 0.25" ID .3"L 58nH
L3 - 10吨＃ 18 AWG 0.25 ID 470nH
L4 - VK200-4B铁氧体扼流圈 3uH
R 1 -R 2 - 50欧姆1 / 2W碳
DUT = ARF463A / B
81.36 MHz的测试电路
有害材料警告
TO- 247封装外形
顶视图
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
20.80 (.819)
21.46 (.845)
间设备的陶瓷部
领导和安装表面氧化铍，
氧化铍。在 - 当氧化铍粉尘有毒
haled 。必须小心处理过程中采取
和安装，以避免损坏该区域。
这些设备必须永远不会被扔掉
与一般的工业或生活垃圾。
尺寸以毫米（英寸）
注意：
这两个部分包括一个对称的一对射频的
功率晶体管，并符合相同的电
规格。该器件引脚输出的镜像
彼此以允许易于使用作为推挽对。
来源
3.55 (.138)
3.81 (.150)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
设备
ARF - 一个
ARF - B
门
漏
来源
来源
漏
门
6-2003
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-5998修订版B
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
D
G
S
TO-247
ARF463A
ARF463B
常见
来源
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
125V
100W
100MHz
该ARF463A和ARF463B包括对称双共源的RF功率晶体管设计的推挽
拉科学，商业，医疗和工业RF功率放大器应用高达100兆赫。他们已经
对于线性和高效率运行的类进行了优化。
指定125伏， 81.36 MHz的特点：
输出功率为100瓦。
增益= 15分贝（ AB类）
EF网络效率= 75 ％ （ C类）
最大额定值
符号
V
DSS
V
DGO
I
D
V
GS
P
D
R
QJC
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
低成本的公共源的RF包。
低Vth的热COEF网络cient 。
低热阻。
优化SOA的卓越耐用性。
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
P
E
R
1
IM
L
A
IN
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF463A/B
单位
伏
Y
R
500
500
9
±30
180
0.50
-55到150
300
安培
伏
瓦
° C / W
°C
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电压
(I
D
（ ON）= 4.5A ，V
GS
= 10V)
民
典型值
最大
单位
伏
500
5.0
25
A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 4.5A)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
250
±100
2
3
3
5
nA
姆欧
050-5998冯 - 7-2001
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6W
民
典型值
ARF463A/B
最大
单位
670
173
52
5.6
4.3
13.5
4.2
ns
pF
功能特点
符号
G
PS
h
y
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 10 ： 1
测试条件
F = 81.36 MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 125V
民
典型值
最大
单位
dB
%
13
70
15
75
P
OUT
= 100W
在输出功率不降低
1
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
30
25
20
增益（dB ）
15
C类
V
DD
= 150V
电容（pF）
10
5
0
30
P
45
E
R
P
OUT
= 150W
IM
L
A
IN
3000
1000
500
100
50
Y
R
西塞
科斯
CRSS
60
75
90
105
120
频率（MHz）
图1 ，典型增益与频率
10
.1
.5 1
5 10
50
200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型的电容与漏 - 源极电压
8
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
36
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
100uS
6
10
5
1mS
4
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
10
100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图4 ，典型的最大安全工作区
100mS
DC
050-5998冯 - 7-2001
2
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的传输特性
TJ = -55°C
ARF463A/B
1.2
I
D
，漏极电流（安培）
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
16
VGS=15V
10V
12
1.1
9V
1.0
8
8V
7.5V
7V
0.9
4
6.5V
6V
5.5V
0.8
0.7
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
如图5所示，典型的阈值电压与温度
160
C类
V
DD
= 150V
P
OUT
，功率输出（瓦）
F = 81.36 MHz的
120
0
1
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图6 ，典型输出特性
G
PS
，共源放大器增益
（ dB）的
14
12
C类
V
DD
= 150V
80
10
40
0
0
4
6
8
10
P
IN
， POWER IN （瓦）
图7 ，典型的电源输出功率VS在
2
0.8
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
D=0.5
0.1
0.05
PDM
P
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
E
R
单脉冲
10
-4
IM
L
40
80
120
160
P
OUT
，功率输出（瓦）
图8 ，典型的共源放大器增益VS电源输出
A
IN
8
6
0
注意：
Y
R
F = 81.36 MHz的
0.01
0.005
t1
t2
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 /吨
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图9 ，典型的最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
表1 - 典型的AB类大信号输入 - 输出阻抗
频率。 （兆赫）
2.0
13.5
27
40
65
80
100
寻（ Ω ）
24 - j 5.0
7.8 - j 11
2.1 - j 6.4
.74 - j 3.3
.30 + j .42
.46 + j 2.0
.87 + j 3.7
Z
OL
()
55 - j 4.8
41 - j 24
23 - j 26.2
13.6 - j 22
6.1 - j 14.2
4.2 - j 10.7
2.7 - j 7.1
寻 - 门分流与25Ω
I
DQ
= 50毫安
Z
OL
- 共轭最佳负载的电压Vdd = 125V， 100瓦输出
050-5998冯 - 7-2001
ARF463A/B
L4
C5
BIAS
0 - 12V
C7
R1
RF
输入
L2
C2
L1
DUT
C3
R2
C1
L3
C8
+
125V
-
C6
RF
产量
C4
C5
C1 - 820pF Unelco安装在
栅极引线
C2-C5 - 阿科463云母微调
C5 - C8 - 10nF电容500V COG芯片
L1 - 3吨＃ 18 0.3" ID .25"L 50NH
L2 - 3吨＃ 16 AWG 0.25" ID .3"L 58nH
L3 - 10吨＃ 18 AWG 0.25 ID 470nH
L4 - VK200-4B铁氧体扼流圈 3uH
R 1 -R 2 - 50欧姆1 / 2W碳
DUT = ARF463A / B
81.36 MHz的测试电路
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
P
E
R
6.15 （ 0.242 ） BSC
4.50 （ 0.177 ）最大。
1.01 (.040)
1.40 (.055)
IM
L
顶视图
15.49 (.610)
16.26 (.640)
A
IN
Y
R
TO- 247封装外形
5.38 (.212)
6.20 (.244)
尺寸以毫米（英寸）
注意：
这两个部分包括一个对称的一对射频的
功率晶体管，并符合相同的电
规格。该器件引脚输出的镜像
彼此以允许易于使用作为推挽对。
来源
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
设备
ARF - 一个
ARF - B
门
漏
来源
来源
漏
门
050-5998冯 - 7-2001
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2880707522 复制
