APL3206/A
Li +电池充电器保护IC，集成P-MOSFET
特点
输入过电压保护
输入过电流保护
电池过电压保护
高免疫误触发的
高精度保护阈值
内置P-MOSFET
热关断保护
符合IEC61000-4-2 （4级）
具有±8kV （接触放电）
具有±15kV （空气放电）
概述
该APL3206 / A提供了完整的Li +电池充电器保护
针对输入过压，输入过电流和电池
过电压。当任何被监控参数是
超过阈值时，IC将删除的功率
通过关闭内部开关的充电系统。所有亲
tections也有对错误触发抗尖峰脉冲时间
由于电压尖峰或瞬态电流。
该APL3206 / A集成了一个P-MOSFET的体二
颂反向保护，以取代外部P -MOSFET
和肖特基二极管的手机充电功能“
s
PMIC 。当CHRIN电压降到低于V
BAT
+20mV,
内部电源选择电路将扭转身体
二极管'末端，以防止反向电流流过，从
s
电池回CHRIN引脚。
该APL3206 / A提供了完整的Li +电池充电器保护
tions和节省外部MOSFET和肖特基二极管
对于手机“ PMIC充电器。上述特征
s
和小封装使APL3206 / A为一个理想的一部分
手机应用程序。
可在一个TDFN2x2-8和TSOT- 23-6A
套餐
无铅和绿色设备可用
（符合RoHS ）
应用
手机
引脚配置
ACIN 1
8 OUT
7 OUT
EP
6 CHRIN
5 GATDRV
TDFN2x2-8
（ TOP VIEW ）
EP
PMIC
GATDRV
ISENS
简化应用电路
5V适配器或USB
ACIN
CHRIN
CHRIN
ACIN 2
GND 3
VBAT 4
APL3206/A
GATDRV
OUT
=裸焊盘（接地
平面更利于散热）
出1
GND
VBAT
李+
电池
VBAT
6 VIN
5 GND
4 VBAT
TSOT-23-6A
（ TOP VIEW ）
CHRIN 2
GATDRV 3
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知的权利，
建议客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
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APL3206/A
订购和标识信息
APL3206
APL3206A
大会材料
处理代码
温度范围
封装代码
L06
X
L6A
X
L06X
L6AX
封装代码
QB ： TDFN2x2-8 CT ： TSOT- 23-6A
工作环境温度范围
我： -40 85
o
C
处理代码
TR ：带卷&
大会材料
G：卤素和无铅设备
X - 日期代码
APL3206 QB ：
APL3206A QB ：
APL3206 CT ：
APL3206A CT ：
X - 日期代码
X - 日期代码
X - 日期代码
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成;哪
完全符合RoHS指令。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC的J- STD-020C标准的无铅要求
分类MSL在无铅峰值回流温度。 ANPEC定义“绿色”意味着无铅（符合RoHS标准）和卤素
免费（溴或氯不重量超过900ppm的均质材料溴和氯的总用不超过1500ppm的
的重量）。
绝对最大额定值
（注1 ）
符号
V
ACIN
V
CHRIN
V
GATDRV
V
BAT
V
OUT
I
OUT
T
J
T
英镑
T
SDR
CHRIN到GND电压
GATDRV到GND电压
VBAT和GND之间的电压
OUT到GND电压
OUT输出电流
最高结温
储存温度
最大的铅焊接温度， 10秒
参数
ACIN输入电压（ ACIN到GND）
等级
-0.3 ~ 30
-0.3 ~ 7
-0.3 ~ V
CHRIN
-0.3 ~ 7
-0.3 ~ 7
1.5
150
-65 ~ 150
260
单位
V
V
V
V
V
A
o
o
o
C
C
C
注1 ：绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能受到损害。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
热特性
符号
θ
JA
参数
结到环境阻力在自由空气
（注2 ）
TDFN2x2-8
TSOT-23-6A
80
235
o
典型的价值
单位
C / W
注2 ：
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。外露
TDFN2x2-8的垫在PCB上直接焊接。
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推荐工作条件
（注3）
符号
V
ACIN
I
OUT
T
A
T
J
ACIN输入电压
输出电流
环境温度
结温
参数
范围
4.5 ~ 5.5
0 ~ 700
-40 ~ 85
-40 ~ 125
单位
V
mA
o
o
C
C
注3 ：请参考典型应用电路
电气特性
除非另有说明，这些规格适用于V
ACIN
=5V, V
BAT
= 3.8V和T
A
= -40 ~ 85
o
C.典型值是在T
A
=25
o
C.
符号
参数
测试条件
分钟。
ACIN输入电流和上电复位（ POR ）
I
ACIN
V
ACIN
T
B（ ACIN ）
ACIN电源电流
ACIN POR阈值
ACIN POR迟滞
ACIN上电消隐时间
内部开关导通电阻
ACIN到OUT导通电阻
CHRIN放电导通电阻
输入过电压保护（ OVP ）
V
OVP
输入过压保护阈值
输入OVP迟滞
输入OVP传播延迟
T
ON （ OVP ）
输入OVP恢复时间
过电流保护（ OCP ）
I
OCP
T
B（ OCP ）
OCP阈值
OCP消隐时间
1
-
-
V
BAT
升起
V
BAT
= 4.4V
4.32
220
-
-
-
176
64
4.35
270
-
176
1.5
-
-
4.38
320
20
-
A
s
ms
V
mV
nA
s
V
ACIN
升起
APL3206
APL3206A
6
6.6
200
-
-
6.17
6.8
300
-
8
6.35
7
400
1
-
V
mV
s
ms
I
OUT
=0.7A
-
-
0.5
500
-
-
I
OUT
= 0A ，我
CHRIN
=0A
V
ACIN
升起
-
2.4
200
-
250
-
250
8
350
2.8
300
-
A
V
mV
ms
APL3206/A
典型值。
马克斯。
单位
T
开（ OCP）
OCP恢复时间
电池过电压保护
V
BOVP
I
VBAT
电池过压保护阈值
电池OVP滞后
VBAT引脚漏电流
T
B（ BOVP ）
电池OVP消隐时间
内部P -MOSFET （ CHRIN ，OUT和GATDRV销）
V
CHRIN
-V
BAT
锁定阈值
OUT输入电流
GATDRV漏电流
输出漏电流
V
CHRIN
从低到高， P-MOSFET的控制
通过GATDRV
V
CHRIN
从高分到低分， P- MOSFET关闭
V
CHRIN
=0V, V
OUT
= 4.2V ， GATDRV = GND
V
ACIN
=V
CHRIN
= V
OUT
=5V, V
GATDRV
=0V
V
ACIN
=V
CHRIN
= V
GATDRV
=5V, V
OUT
=0V
-
-
-
-
-
150
20
-
-
-
-
-
1
1
1
mV
A
A
A
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电气特性（续）
除非另有说明，这些规格适用于V
ACIN
=5V, V
BAT
= 3.8V和T
A
= -40 ~ 85
o
C.典型值是在T
A
=25
o
C.
符号
参数
测试条件
分钟。
内部P -MOSFET （ CHRIN ，OUT和GATDRV销） （续）
P- MOSFET的输入电容
GATDRV输入电阻
过温保护（ OTP ）
T
OTP
过温阈值
过温迟滞
T
J
升起
-
-
160
40
-
-
°C
°C
-
-
200
15
-
-
pF
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典型值。
马克斯。
单位
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