AAT9125
30V N沟道功率MOSFET
概述
该AAT9125 30V N沟道功率MOSFET是一种
AnalogicTech的TrenchDMOS 的精良成员
UCT的家庭。使用超高密度的专有
TrenchDMOS技术，这款产品demon-
strates高功率处理和小尺寸。
特点
PWMSwitch
V
DS （ MAX）
= 30V
I
D（最大）
= 12.5A @ 25°C
低R
DS （ ON）
:
= 9毫欧@V
GS
= 10V
14毫欧@ V
GS
= 4.5V
应用
的DC-DC转换器，用于在移动CPU
电池供电的便携式设备
高功率密度开关模式电源
电源使用点的
SOP8封装
初步信息
顶视图
D
8
D
7
D
6
D
5
1
S
2
S
3
S
4
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
价值
30
±20
±12.5
±10
±52
2.25
2.5
1.6
-55到150
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150°C
1
单位
V
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
漏电流脉冲
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
T
A
= 25°C
最大功率耗散
1
T
A
= 70°C
工作结存储温度范围
A
W
°C
热特性
符号
R
θJA
R
θJC
描述
典型的结到环境
典型的结到外壳
1
价值
50
25
单位
° C / W
° C / W
注1 ：安装在1 “×1”的FR4铜板，10秒脉冲宽度
9125.2001.12.0.9
1
AAT9125
30V N沟道功率MOSFET
订购信息
产品型号
包
SOP-8
记号
体积
AAT9125IAS-B1
磁带和卷轴
AAT9125IAS-T1
包装信息
SOP-8
暗淡
A
A1
A2
B
C
D
E
e
H
L
Y
θ1
ê
D
7 (4x)
A
A2
Q
c
MILLIMETERS
民
最大
1.35
1.75
0.10
0.25
1.45
0.33
0.51
0.19
0.25
4.80
5.00
3.80
4.00
1.27
5.80
6.20
0.40
1.27
0.00
0.10
0°
8°
英寸
民
最大
0.053
0.069
0.004
0.010
0.057
0.013
0.020
0.007
0.010
0.189
0.197
0.150
0.157
0.050
0.228
0.244
0.016
0.050
0.000
0.004
0°
8°
b
y
e
A1
L
注意：
1.包装体型排除毛边
突出或毛刺。
2.公差0.1000毫米（ 4mil的），除非
另有规定编
3.共面： 0.1000毫米
4.尺寸L是衡量GAGE平面。
5.控制尺寸为毫米;
翻新英制尺寸不
不一定是精确。
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4
9125.2001.12.0.9
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