79LV2040
20兆位（ 512K ×40位）低
低电压的EEPROM MCM
逻辑图
内存
F
EATURES
:
512K ×40位的EEPROM MCM
R
AD
-P
AK
抗辐射抗自然
空间辐射
总剂量硬度：
- >100拉德（SI ）
- 在相关轨道
优秀的单粒子效应
- SEL
TH
> 84兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 37兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 11.4兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
高耐用性
- 10,000次（页编程模式）
- 10年的数据保留
页写模式：双字128页
高速：
- 最大的200和250 ns访问时间
自动编程
- 15毫秒自动翻页/ DWORD写
低功耗
- 为100 mW / MHz的有功电流
- 1.5 mW的待机电流
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 79LV2040多芯片模块（ MCM ）
内存拥有超过100拉德（ Si）的总剂量耐受
ANCE ，取决于轨道。利用麦克斯韦技术'巳
ented抗辐射
AD
-P
AK
MCM封装
技术， 79LV2040是第一辐射加固8
兆MCM EEPROM空间应用。该79LV2040
采用20 1兆比特的高速CMOS裸片中得到20
兆品。该79LV2040能够在系统中elec-
Trical公司字节和页编程。它有一个128 ×40页
编程功能使擦除和写入操作
速度更快。它还具有数据查询和就绪/忙信号
表示完成擦除和编程操作。
在79LV2040 ，硬件数据保护设置有
RES引脚，除了噪声保护的WE信号
并写上抑制上电和关断。软件数据保护
使用JEDEC可选的标准算法实现。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选高达麦克斯韦技术自定义的类
K
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1
（ 858 ） 503-3300 - 传真： （ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com
2005麦克斯韦技术
版权所有。
20兆位（ 512K ×40位） EEPROM MCM
79LV2040
引脚说明
1, 11, 21, 30, 40, 50,
51, 61, 71, 80, 90, 100
2, 12, 22, 29, 39, 49,
52, 62, 72, 79, 89, 99
60 - 53, 41 - 48, 10 -
3, 91 - 98, 88 - 81
13, 14, 15, 16
23 - 28, 31, 32, 78 -73,
70 - 68
33
VSS - 接地
VCC - 正电源
D0到D39
数据I / O
CS0 \\ - CS3 \\
芯片使能
内存
A0到A16地址输入
RES \\ - 复位
34 - 38
WE \\ 0 - WE \\ 4
写入启用
66 - 63
RBSY \\ 0 - RBSY \\ 3就绪/忙
67
OE \\ - 输出使能
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20兆位（ 512K ×40位） EEPROM MCM
79LV2040
T
ABLE
1. 79LV2040一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
包装重量
工作温度范围
存储温度范围
1. V
IN
分= -3.0V脉冲宽度<50ns 。
S
YMBOL
V
CC
V
IN
RSP
T
OPR
T
英镑
-55
-65
M
IN
-0.6
-0.5
1
35
125
150
T
YP
M
AX
7.0
7.0
U
NIT
V
V
克
°
C
°
C
T
ABLE
2. 79LV2040
ECOMMENDED
DC
操作摄像机
C
ONDITIONS
内存
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
RES_PIN
工作温度范围
1. V
IL
分= -1.0V脉冲宽度< 50纳秒
S
YMBOL
V
CC
V
IL
V
IH
V
H
T
OPR
M
IN
3.0
-0.3
1
2.2
V
CC
-0.5
-55
M
AX
3.6
0.8
V
CC
+0.3
V
CC
+1
125
U
NIT
V
V
V
V
°
C
T
ABLE
3. 79LV2040
ELTA
L
IMITS1
P
ARAMETER
I
CC1A
I
CC1B
I
CC2A
I
LI
- ADDR ， CE ， OE ， WE
V
ARIATION2
+/- 10 %
+/- 10 %
+/- 10 %
+/- 10 %
I
LI
- D0-D39
+/- 10 %
1.参数进行测量，并符合MIL -STD- 883记录的K类设备
在表5中2，指定的值
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T
ABLE
4. 79LV2040
APACITANCE
(T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
P
ARAMETER
输入电容： V
IN
= 0V
1
S
YMBOL
C
IN
OE
C
IN
WE
C
IN
CE
0-30
C
IN
A0-A16
C
IN
水库
输出电容： V
OUT
= 0V
1
C
OUT
RDY / BSY
C
UT
D0-D39
1.设计保证。
--
M
IN
79LV2040
M
AX
6
6
30
6
120
60
48
pF
U
NIT
pF
T
ABLE
5. 79LV2040 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
输入漏电流
A0 - A16 ， WE ， OE
输入漏电流
CE
输入漏电流
D0-D39
输出漏电流
待机V
CC
当前
操作
V
CC
当前
1,2
T
美东时间
C
ONDITION
V
IN
= V
CC
& 0V
V
IN
= V
CC
& 0V
V
IN
= V
CC
& 0V
(V
CC
= 5.5V, V
OUT
= 5.5V/0.4V)
CE = ADDR = WE = OE = V
CC
CE = V
IH ;
ADDR = WE = OE = V
CC
OE = 0V ADDR = WE = V
CC
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 1我们在V
CC
= 5.5V
OE = ADDR = WE = 0V
I
OUT
= 0毫安，CE税= 100 ％ ，
周期= 150纳秒在V
CC
= 5.5V
输入电压
数据线： V
CC
分钟，我
OL
= 2.1毫安
数据线： V
CC
分钟，我
OH
= -400 A
所有输出： V
CC
分钟，我
OH
= -100uA
1.对于RES IIL = 2000uA最大。
2.只有一个芯片EnableActive （逻辑低电平）
3. RBSY是一个开漏输出。只有V
OL
适用于该引脚。
输出电压
3
I
LI
I
LO
I
CC1A
I
CC1B
I
CC2A
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
S
YMBOL
I
LI
S
UBGROUPS
1, 2, 3
M
IN
--
M
AX
1
1
10
8
8
640
21
30
U
尼特
内存
A
mA
A
A
A
mA
mA
I
CC2D
1, 2, 3
75
mA
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
OH
1, 2, 3
2.2
1, 2, 3
--
2.4
V
CC
- 0.3V
0.8
0.4
--
--
V
V
V
V
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20兆位（ 512K ×40位） EEPROM MCM
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
地址访问时间CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
芯片使能存取时间OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出启用访问时间CE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出保持到地址变更CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出禁止到高阻
2
CE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
RES到输出延迟CE = OE = V
IL
我们= V
IH3
-200
-250
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
t
CE
9, 10, 11
--
--
t
OE
9, 10, 11
0
0
t
OH
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
t
DF
0
0
t
DFR
0
0
t
RR
9, 10, 11
0
0
M
IN
79LV2040
M
AX
200
250
ns
200
250
ns
110
120
ns
--
--
ns
U
NIT
ns
T
ABLE
6. 79LV2040 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION 1
内存
50
50
ns
300
350
ns
525
600
1.测试条件：输入脉冲电平= 0.4V至2.4V ;输入上升和下降时间< 20纳秒;输出负载= 1 TTL门+ 100 pF的（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时间= 0.8 V / 1.8 V
2. t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
T
ABLE
7. 79LV2040 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
W
RITE
O
PERATION
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
地址建立时间
-150
-200
芯片使能写建立时间（我们控制）
-150
-200
S
YMBOL
t
AS
S
UBGROUPS
9, 10, 11
0
0
t
CS
9, 10, 11
0
0
--
--
--
--
ns
M
IN 1
M
AX
U
尼特
ns
05年7月9日版本1
所有数据表如有变更，恕不另行通知
5
2005麦克斯韦技术
版权所有
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