飞利浦半导体
产品speci fi cation
单路2输入或门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准:
- JESD8-7 ( 1.65 V至1.95 V)
- JESD8-5 ( 2.3 V至2.7 V )
- JESD8B / JESD36 ( 2.7 V至3.6 V ) 。
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护:
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
输入A,B为输出Y.
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每个缓冲区V电源耗散电容
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G32
该74LVC1G32是一款高性能,低功耗,
低电压,硅栅CMOS器件,优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。这
特征允许在混合使用这些设备的
3.3 V和5 V环境。
在所有输入施密特触发器动作使电路
宽容的输入速度较慢的上升和下降时间。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出,
防止损坏回流电流通过
设备时,电源断开。
该74LVC1G32提供了单路2输入或功能。
典型
3.1
2.1
2.5
2.1
1.7
5
16
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2004年9月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
单路2输入或门
74LVC1G32
32
B
1
6
V
CC
B
A
1
2
5
V
CC
32
4
001aab640
A
2
5
北卡罗来纳州
GND
3
Y
GND
3
4
Y
001aab641
透明的顶视图
Fig.1引脚配置SC -88A和SC- 74A 。
图2引脚配置XSON6 。
手册, halfpage
1
2
B
A
Y
4
手册, halfpage
1
2
≥1
4
MNA164
MNA165
图3逻辑符号。
图4 IEE / IEC逻辑符号。
B
Y
A
mna166
图5的逻辑图。
2004年9月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
单路2输入或门
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC1G32
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常的操作。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出二极管电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
& LT ; 0 V
注1
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式;注1和2
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
250
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2004年9月15日
5
74LVC1G32
单路2输入或门
牧师06 - 2007年8月2日
产品数据表
1.概述
该74LVC1G32提供1个2输入或功能。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。此功能允许使用这些
设备中混合3.3 V和5 V应用翻译。
在所有输入施密特触发器动作使得输入速度较慢的上升和下降的电路宽容
时间。
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出,防止损坏背溢流电流通过
设备时,它被断电。
2.特点
s
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准:
x
JESD8-7 ( 1.65 V至1.95 V)
x
JESD8-5 ( 2.3 V至2.7 V )
x
JESD8 -B / JESD36 ( 2.7 V至3.6 V )
s
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
s
CMOS低功耗
s
闭锁性能超过250毫安
s
直接接口与TTL电平
s
输入接收电压高达5 V
s
ESD保护:
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74LVC1G32
单路2输入或门
6.管脚信息
6.1钢钉
74LVC1G32
74LVC1G32
B
A
1
2
GND
GND
3
001aab640
B
5
V
CC
1
6
V
CC
B
A
74LVC1G32
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
A
2
5
北卡罗来纳州
3
4
Y
GND
4
Y
001aab641
001aaf000
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT353-1
和SOT753
图5.引脚CON组fi guration SOT886
图6.引脚CON组fi guration SOT891
6.2引脚说明
表3中。
符号
B
A
GND
Y
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1/SOT753
1
2
3
4
-
5
SOT886/SOT891
1
2
3
4
5
6
数据输入
数据输入
接地( 0 V )
数据输出
没有连接
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
输入
A
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
B
L
H
L
H
Y
L
H
H
H
H =高电压电平; L =低电压电平
74LVC1G32_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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3 14
恩智浦半导体
74LVC1G32
单路2输入或门
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
P
合计
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
总功耗
储存温度
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1][2]
[1][2]
最大
+6.5
-
+6.5
±50
+6.5
±50
100
-
250
+150
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
mW
°C
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
100
V
CC
+ 0.5 V
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常的操作。
对于TSSOP5和SC - 74A封装: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降速度V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
民
1.65
0
0
0
40
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74LVC1G32_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
单路2输入或门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准:
- JESD8-7 ( 1.65 V至1.95 V)
- JESD8-5 ( 2.3 V至2.7 V )
- JESD8B / JESD36 ( 2.7 V至3.6 V ) 。
±24
mA输出驱动(V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护:
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
输入A,B为输出Y.
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每个缓冲区V电源耗散电容
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G32
该74LVC1G32是一款高性能,低功耗,
低电压,硅栅CMOS器件,优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。这
特征允许在混合使用这些设备的
3.3 V和5 V环境。
在所有输入施密特触发器动作使电路
宽容的输入速度较慢的上升和下降时间。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出,
防止损坏回流电流通过
设备时,电源断开。
该74LVC1G32提供了单路2输入或功能。
典型
3.1
2.1
2.5
2.1
1.7
5
16
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
单路2输入或门
74LVC1G32
32
B
1
6
V
CC
B
A
1
2
5
V
CC
32
4
001aab640
A
2
5
北卡罗来纳州
GND
3
Y
GND
3
4
Y
001aab641
透明的顶视图
Fig.1引脚配置SC -88A和SC- 74A 。
图2引脚配置XSON6 。
手册, halfpage
1
2
B
A
Y
4
手册, halfpage
1
2
≥1
4
MNA164
MNA165
图3逻辑符号。
图4 IEE / IEC逻辑符号。
B
Y
A
mna166
图5的逻辑图。
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产品speci fi cation
单路2输入或门
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至5.5 V
主动模式
V
CC
= 0 V ;掉电模式
条件
0
0
0
40
0
0
分钟。
1.65
74LVC1G32
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
+125
20
10
V
V
V
V
单位
°C
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.当V
CC
= 0 V(掉电模式)时,输出电压可以是5.5 V,在正常的操作。
参数
电源电压
输入二极管电流
输入电压
输出二极管电流
输出电压
输出二极管电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
& LT ; 0 V
注1
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式;注1和2
V
O
= 0 V到V
CC
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+6.5
50
+6.5
±50
+6.5
±50
±100
+150
250
V
mA
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
掉电模式;注1和2
0.5
2004年9月15日
5