飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
宽的工作电压为2.0 6.0V下
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：公交车司机。
74HC1G126 ; 74HCT1G126
描述
该74HC1G / HCT1G126是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC1G / HCT1G126提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为低位
销OE使输出作为承担高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT126.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= r
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.对于HC1G的条件是V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT1G的条件是V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
OE
H
H
L
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
参数
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
注1和2
条件
HC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
9
1.5
30
HCT1G
10
1.5
27
ns
pF
pF
单位
2002年5月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC1G126 ; 74HCT1G126
74HC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
74HCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
1000
500
400
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注1和2 。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些值仅为
该设备在这些或超出在其他条件下的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下工作会影响器件的
可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注3
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
±35.0
±70
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
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产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
宽的工作电压为2.0 6.0V下
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：公交车司机。
74HC1G126 ; 74HCT1G126
描述
该74HC1G / HCT1G126是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC1G / HCT1G126提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为低位
销OE使输出作为承担高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT126.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= r
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.对于HC1G的条件是V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT1G的条件是V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
OE
H
H
L
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
参数
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
注1和2
条件
HC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
9
1.5
30
HCT1G
10
1.5
27
ns
pF
pF
单位
2002年5月15日
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产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC1G126 ; 74HCT1G126
74HC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
74HCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
1000
500
400
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注1和2 。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些值仅为
该设备在这些或超出在其他条件下的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下工作会影响器件的
可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注3
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
±35.0
±70
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月15日
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
宽的工作电压为2.0 6.0V下
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：公交车司机。
74HC1G126 ; 74HCT1G126
描述
该74HC1G / HCT1G126是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC1G / HCT1G126提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为低位
销OE使输出作为承担高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT126.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= r
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.对于HC1G的条件是V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT1G的条件是V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
OE
H
H
L
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
参数
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
注1和2
条件
HC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
9
1.5
30
HCT1G
10
1.5
27
ns
pF
pF
单位
2002年5月15日
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC1G126 ; 74HCT1G126
74HC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
74HCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
1000
500
400
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注1和2 。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些值仅为
该设备在这些或超出在其他条件下的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下工作会影响器件的
可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注3
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
±35.0
±70
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月15日
4
74HC1G126 ; 74HCT1G126
总线缓冲器/线路驱动器;三态
启示录04 - 2007年7月20日
产品数据表
1.概述
该74HC1G126和74HCT1G126是高速，硅栅CMOS器件。他们
提供3态输出一个非反相缓冲器/线路驱动器。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。一个低引脚OE引起的输出
假设高阻关断状态。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
总线驱动器输出电流等于那些74HC126和74HCT126的。
2.特点
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC1G126GW
74HCT1G126GW
74HC1G126GV
74HCT1G126GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
HN
TN
H26
T26
类型编号
74HC1G126GW
74HCT1G126GW
74HC1G126GV
74HCT1G126GV
恩智浦半导体
74HC1G126 ; 74HCT1G126
总线缓冲器/线路驱动器;三态
5.功能图
2
1
A
OE
Y
4
2
4
1
OE
A
Y
OE
mna125
mna126
mna127
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC1G126
74HCT1G126
OE
A
1
2
5
V
CC
GND
3
001aaf103
4
Y
图4.引脚CON组fi guration
6.2引脚说明
表3中。
符号
OE
A
GND
Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
描述
输出使能输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态
输入
OE
H
H
L
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
74HC_HCT1G126_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
启示录04 - 2007年7月20日
2 12
恩智浦半导体
74HC1G126 ; 74HCT1G126
总线缓冲器/线路驱动器;三态
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
[1]
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
民
0.5
-
-
-
-
70
65
最大
+7.0
±20
±20
±35.0
70
-
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
上述55
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
74HC1G126
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
民
4.5
0
0
40
-
-
-
74HCT1G126
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
参数
条件
40 °C
+85
°C
民
对于类型74HC1G126
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
典型值
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
74HC_HCT1G126_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
启示录04 - 2007年7月20日
3 12
恩智浦半导体
74HC1G126 ; 74HCT1G126
总线缓冲器/线路驱动器;三态
11.动态特性
表8 。
动态特性
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
≤
6.0纳秒;
L
= 50 pF的，除非另有规定ED 。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.对于测试
电路见
图7
符号参数
对于类型74HC1G126
t
pd
传播延迟为Y ;看
图5
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
V
CC
= 6.0 V
t
en
启用时间
OE为Y ;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
DIS
禁止时间
OE为Y ;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
功耗
电容
V
I
= GND到V
CC
[2]
[1]
[1]
[1]
条件
40 °C
+85
°C
民
典型值
最大
40 °C
+125
°C
单位
民
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24
10
9
9
24
10
8
16
12
11
30
125
25
-
21
155
31
26
155
31
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
-
26
190
38
32
190
38
32
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
对于类型74HCT1G126
t
pd
传播延迟为Y ;看
图5
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
t
en
t
DIS
C
PD
启用时间
禁止时间
功耗
电容
OE为Y ;看
图6 ;
V
CC
= 4.5 V
OE为Y ;看
图6 ;
V
CC
= 4.5 V
V
I
= GND到V
CC
1.5 V
[1]
[1]
[2]
[1]
-
-
-
-
-
11
10
10
12
27
30
-
35
31
-
-
-
-
-
-
36
-
42
38
-
ns
ns
ns
ns
pF
[1]
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
t
en
是相同为T
PZL
和T
PZH
.
t
DIS
是相同为T
PLZ
和T
PHZ
.
[2]
C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在电压=电源电压
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
74HC_HCT1G126_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
启示录04 - 2007年7月20日
5 12
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
宽的工作电压为2.0 6.0V下
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：公交车司机。
74HC1G126 ; 74HCT1G126
描述
该74HC1G / HCT1G126是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC1G / HCT1G126提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为低位
销OE使输出作为承担高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT126.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= r
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.对于HC1G的条件是V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT1G的条件是V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
OE
H
H
L
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
参数
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
注1和2
条件
HC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
9
1.5
30
HCT1G
10
1.5
27
ns
pF
pF
单位
2002年5月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC1G126 ; 74HCT1G126
74HC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
74HCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
1000
500
400
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注1和2 。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些值仅为
该设备在这些或超出在其他条件下的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下工作会影响器件的
可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注3
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
±35.0
±70
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
宽的工作电压为2.0 6.0V下
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：公交车司机。
74HC1G126 ; 74HCT1G126
描述
该74HC1G / HCT1G126是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC1G / HCT1G126提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为低位
销OE使输出作为承担高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT126.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= r
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.对于HC1G的条件是V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT1G的条件是V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
OE
H
H
L
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
参数
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
注1和2
条件
HC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
9
1.5
30
HCT1G
10
1.5
27
ns
pF
pF
单位
2002年5月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74HC1G126 ; 74HCT1G126
74HC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
74HCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
1000
500
400
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注1和2 。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些值仅为
该设备在这些或超出在其他条件下的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下工作会影响器件的
可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注3
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
±35.0
±70
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月15日
4
