规范
设备名称
型号名称
SPEC 。 NO 。
:
:
:
IGBT模块
6MBI75UB-120
MS5F 5497
富士电气有限公司。
松本厂
6月18日03 Y.Kobayashi
6月18日03 T.Miyasaka T.Fujihira
K.Yamada
MS5F 5497
1
13
H04-004-07
3.Absolute最大额定值（在Tc = 25 ℃除非另有规定
）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
VCES
VGES
Ic
集电极电流
ICP
-IC
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 1
电压
*热敏电阻和其他人之间的2
螺丝
力矩
MOUNTING
*3
-Ic脉冲
Pc
Tj
TSTG
VISO
-
AC： 1分钟。
1ms
1设备
连续
1ms
Tc=25℃
Tc=80℃
Tc=25℃
Tc=80℃
条件
最大
评级
1200
±20
100
75
200
150
75
150
390
150
-40½ +125
2500
3.5
A
单位
V
V
W
℃
VAC
N·m的
（* 1）所有的终端应该连接在一起时，隔离测试将被完成。
（* 2 ）两termistor端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起
和短路到基板上时，隔离测试将完成。
（ * 3 ）推荐值： 2.5 3.5米（ M5 ）
4.电气特性（在环境温度为25 ℃ ，除非另有规定）
项
零栅极电压
集电极电流
栅极 - 射极
漏电流
栅极 - 射极
阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
逆变器
输入电容
开启时间
符号
冰
IGES
VGE （ TH）
VCE （ SAT ）
（终奌站）
VCE （ SAT ）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
VF
（终奌站）
VF
（片）
½½½
R导线
R
B
条件
VGE = 0V
VCE = 1200V
VCE = 0V
VGE=±20V
VCE = 20V
IC = 75毫安
VGE=15V
IC = 75A
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
TJ = 25 ℃
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
2.05
2.30
1.75
2.00
8
0.36
0.21
0.03
0.37
0.07
1.90
2.00
1.60
1.70
-
3.4
5000
495
3375
1.0
200
8.5
2.40
-
2.10
-
-
1.20
0.60
-
1.00
0.30
2.20
-
1.90
-
0.35
-
-
520
3450
单位
mA
nA
V
V
Tj=125℃
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz
VCC = 600V
IC = 75A
VGE=±15V
nF
s
打开-O FF时间
RG = 9.1
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
VGE=0V
IF = 75A
IF = 75A
T = 25℃
T =100℃
T = 25/50℃
正向电压上
-
-
-
-
-
-
-
-
465
3305
V
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片*
热敏电阻
s
mΩ
K
阻力
B值
(*)
手臂中最大的内部终端电阻。
MS5F 5497
4
13
H04-004-03
5.热电阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备）
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
条件
IGBT
FWD
用导热膏（ ※ ）
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
-
-
-
0.05
0.32
0.49
-
单位
℃/W
※
这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值。
6.指出模块
6MBI75UB-120
75A 1200V
Lot.No.
7.Applicable类别
制造地点（代码）
本规范适用于名为6MBI75UB - 120 IGBT模块。
8.Storage和运输注意事项
该模块应存放在5至35 ℃的标准温度的4575％湿度。
商店模块与数温度变化的场所，以避免凝结在模块的表面上。
避免接触腐蚀性气体和灰尘。
避免在模块上过大的外力。
存储模块与未处理的终端。
不要掉落或以其他方式震荡运输时的模块。
切换时间9.定义
½
½
90%
0V
L
0V
V
GE
t
rr
I
rr
90%
½
½
V
CE
VCC
Ic
90%
R
G
V
GE
V
CE
Ic
0V
0A
t
r（下ⅰ）
t
r
t
on
t
关闭
½
½
Ic
10%
10%
V
CE
t
f
10%
10.包装和贴标签
显示屏上的包装盒
- 生产标志
- 型号名称
- 批号
- 在包装盒产品数量
MS5F 5497
5
13
H04-004-03
规范
设备名称
型号名称
SPEC 。 NO 。
:
:
:
IGBT模块
6MBI75UB-120
MS5F 5497
富士电气有限公司。
松本厂
6月18日03 Y.Kobayashi
6月18日03 T.Miyasaka T.Fujihira
K.Yamada
MS5F 5497
1
13
H04-004-07
3.Absolute最大额定值（在Tc = 25 ℃除非另有规定
）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
VCES
VGES
Ic
集电极电流
ICP
-IC
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 1
电压
*热敏电阻和其他人之间的2
螺丝
力矩
MOUNTING
*3
-Ic脉冲
Pc
Tj
TSTG
VISO
-
AC： 1分钟。
1ms
1设备
连续
1ms
Tc=25℃
Tc=80℃
Tc=25℃
Tc=80℃
条件
最大
评级
1200
±20
100
75
200
150
75
150
390
150
-40½ +125
2500
3.5
A
单位
V
V
W
℃
VAC
N·m的
（* 1）所有的终端应该连接在一起时，隔离测试将被完成。
（* 2 ）两termistor端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起
和短路到基板上时，隔离测试将完成。
（ * 3 ）推荐值： 2.5 3.5米（ M5 ）
4.电气特性（在环境温度为25 ℃ ，除非另有规定）
项
零栅极电压
集电极电流
栅极 - 射极
漏电流
栅极 - 射极
阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
逆变器
输入电容
开启时间
符号
冰
IGES
VGE （ TH）
VCE （ SAT ）
（终奌站）
VCE （ SAT ）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
VF
（终奌站）
VF
（片）
½½½
R导线
R
B
条件
VGE = 0V
VCE = 1200V
VCE = 0V
VGE=±20V
VCE = 20V
IC = 75毫安
VGE=15V
IC = 75A
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
TJ = 25 ℃
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
2.05
2.30
1.75
2.00
8
0.36
0.21
0.03
0.37
0.07
1.90
2.00
1.60
1.70
-
3.4
5000
495
3375
1.0
200
8.5
2.40
-
2.10
-
-
1.20
0.60
-
1.00
0.30
2.20
-
1.90
-
0.35
-
-
520
3450
单位
mA
nA
V
V
Tj=125℃
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz
VCC = 600V
IC = 75A
VGE=±15V
nF
s
打开-O FF时间
RG = 9.1
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
VGE=0V
IF = 75A
IF = 75A
T = 25℃
T =100℃
T = 25/50℃
正向电压上
-
-
-
-
-
-
-
-
465
3305
V
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片*
热敏电阻
s
mΩ
K
阻力
B值
(*)
手臂中最大的内部终端电阻。
MS5F 5497
4
13
H04-004-03
5.热电阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备）
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
条件
IGBT
FWD
用导热膏（ ※ ）
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
-
-
-
0.05
0.32
0.49
-
单位
℃/W
※
这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值。
6.指出模块
6MBI75UB-120
75A 1200V
Lot.No.
7.Applicable类别
制造地点（代码）
本规范适用于名为6MBI75UB - 120 IGBT模块。
8.Storage和运输注意事项
该模块应存放在5至35 ℃的标准温度的4575％湿度。
商店模块与数温度变化的场所，以避免凝结在模块的表面上。
避免接触腐蚀性气体和灰尘。
避免在模块上过大的外力。
存储模块与未处理的终端。
不要掉落或以其他方式震荡运输时的模块。
切换时间9.定义
½
½
90%
0V
L
0V
V
GE
t
rr
I
rr
90%
½
½
V
CE
VCC
Ic
90%
R
G
V
GE
V
CE
Ic
0V
0A
t
r（下ⅰ）
t
r
t
on
t
关闭
½
½
Ic
10%
10%
V
CE
t
f
10%
10.包装和贴标签
显示屏上的包装盒
- 生产标志
- 型号名称
- 批号
- 在包装盒产品数量
MS5F 5497
5
13
H04-004-03
QQ：2880707522 复制
