6MBI75VA-120-50
IGBT模块（ V系列）
1200V / 75A / 6在一个封装
特点
紧凑的封装
P.C.Board山
低V
CE
（SAT）
IGBT模块
应用
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械，如焊接机
最大额定值和特性
最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
Ic
ICP
-IC
-Ic脉冲
Pc
Tj
Tjop
Tc
TSTG
AC： 1分钟。
M5
条件
最大
评级
1200
±20
75
150
75
150
385
175
150
125
-40到+125
2500
3.5
VAC
Nm
单位
V
V
A
W
连续
1ms
1ms
1设备
Tc=80°C
Tc=80°C
集电极耗散功率
结温
工作温度junciton
（开关条件下）
外壳温度
储存温度
隔离电压
螺杆转矩
°C
终端和铜基底之间（* 1）
V
ISO
热敏电阻与其他人之间（* 2）
安装（* 3）
-
注* 1：在试验过程中所有端子应连接在一起。
注* 2 ：两个热敏电阻端子应连接在一起，另一端应连接在一起，并在试验过程中短路到基板上。
注* 3 ：值得推荐值： 2.5-3.5米（ M5 ）
1
6MBI75VA-120-50
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有规定编）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
（终奌站）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
（片）
逆变器
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
V
F
（终奌站）
正向电压上
V
F
（片）
反向恢复时间
热敏电阻
阻力
B值
TRR
R
B
I
F
= 75A
I
F
= ±20
中T = 25℃
T = 100℃
T =五十〇分之二十五℃，
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ，我
C
= 75毫安
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
V
GE
= 15V
Tj=125°C
I
C
= 75A
Tj=150°C
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
V
CC
= 600V
I
C
= 75A
V
GE
= +15 / -15V
R
G
= 2.2
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
IGBT模块
I
F
= 75A
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
1.0
-
-
200
6.0
6.5
7.0
-
2.25
2.70
-
2.60
-
-
2.65
-
-
1.85
2.30
-
2.20
-
-
2.25
-
-
6.0
-
-
0.39
1.20
-
0.09
0.60
-
0.03
-
-
0.53
1.00
-
0.06
0.30
-
2.10
2.55
-
2.25
-
-
2.20
-
-
1.70
2.15
-
1.85
-
-
1.80
-
-
-
0.1
-
5000
-
465
495
520
3305
3375
3450
单位
mA
nA
V
V
nF
s
V
s
K
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备） （* 4）
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
条件
逆变器的IGBT
变频器FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.39
-
-
0.55
-
0.05
-
单位
° C / W
*注4 ：这是是值去连接斯内德安装上额外的冷却科幻n，其中热复合。
等效电路示意
[逆变器]
25,26
15,16
[热敏电阻]
17
18
1
2
U
23,24
5
6
V
21,22
9
10
W
19,20
3
4
27,28
7
8
11
12
13,14
2
6MBI75VA-120-50
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25
o
C /片
150
V
GE
=20V
15V
12V
150
IGBT模块
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 150
o
C /片
V
GE
=20V
15V
12V
100
10V
集电极电流：I
C
[A]
100
10V
50
集电极电流：I
C
[A]
50
8V
8V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 15V /片
150
Tj=150°
C
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25
o
C /片
8
125°C
100
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
Tj=25°C
集电极电流：I
C
[A]
6
4
50
2
Ic=150A
Ic=75A
IC = 38A
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25
o
C
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
100.0
门 - 发射极电压： V
GE
[V]
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 75A ， TJ = 25°C
集电极 - 发射极电压： V
CE
[200V/div]
门 - 发射极电压：
V
GE
[5V/div]
10.0
资本投资者入境计划
V
GE
1.0
CRES
卓越中心
0.1
0
10
20
30
40
V
CE
0
250
500
750
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
3
6MBI75VA-120-50
IGBT模块
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 2.2Ω ， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
10000
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 2.2Ω ， TJ = 150℃
10000
1000
花花公子
吨
tr
tf
1000
花花公子
吨
tr
tf
100
100
10
0
50
100
150
200
10
0
50
集电极电流：I
C
[A]
[逆变器]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 75A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
10000
20
集电极电流：I
C
[A]
100
150
200
[逆变器]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
Vcc=600V，VGE=±15V，Rg=2.2Ω
Eon(150°C)
Eon(125°C)
15
Eoff(150°C)
Eoff(125°C)
Err(150°C)
Err(125°C)
1000
花花公子
吨
tr
10
100
tf
5
10
0.1
1.0
10.0
100.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
栅极电阻： RG [ Ω ]
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
Vcc=600V，Ic=75A，VGE=±15V
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
20
集电极电流：I
C
[A]
[逆变器]
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE < = 15V ， RG > = 2.2Ω ， TJ < = 125°C
200
集电极电流IC [ A]
15
Eon(150°C)
Eon(125°C)
Eoff(150°C)
Eoff(125°C)
Err(150°C)
Err(125°C)
150
10
100
RBSOA
（重复脉冲）
50
5
0
0
0
10
100
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
栅极电阻： RG [ Ω ]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
4
6MBI75VA-120-50
IGBT模块
[逆变器]
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
Tj=25°C
[逆变器]
反向恢复特性（典型值）。
Vcc=600V，VGE=±15V，Rg=2.2Ω
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
150
正向电流IF [ A]
100
Tj=150°C
Tj=125°C
100
trr(150°C)
trr(125°C)
Irr(150°C)
Irr(125°C)
50
10
0
0
1
2
3
4
1
0
50
100
正向电压： V
F
[V]
瞬态热阻抗（最大）
正向电流：我
F
[A]
[热敏电阻]
温度特性（典型值）。
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
10.00
100
1.00
电阻值：R [ kΩ的]
FWD [逆变器]
IGBT [逆变器]
10
0.10
1
0.01
0.001
0.010
0.100
1.000
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
脉冲宽度： PW [秒]
温度[° C]
外形图，毫米
5
QQ：2880707522 复制
