6MBI75S-120
IGBT模块（ S系列）
在单一包装1200V / 75A 6
特点
·小型封装
· P.C.board坐骑
低V
CE
（SAT）
IGBT模块
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
·工业机器，如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极连续TC = 25℃
当前
1ms
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
脉冲
-I
C
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
is
安装*
1
等级
1200
±20
100
75
200
150
75
150
520
单位
V
V
A
A
A
A
W
等效电路示意
21(P)
13(P)
1(Gu)
5(Gv)
9(Gw)
2(Eu)
19(U)
6(Ev)
17(V)
10(Ew)
15(W)
1ms
马克斯。功耗（ 1个设备）
工作温度
储存温度
隔离电压
螺杆转矩
3(Gx)
7(Gy)
11(Gz)
°C
+150
°C
-40到+125
AC 2500 （ 1分）V
N·m的
3.5
4(Ex)
20(N)
8(Ey)
12(Ez)
14(N)
*
1 :
推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ）
电气特性（ TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
特征
分钟。
–
–
5.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
7.2
2.3
2.8
9000
1875
1650
0.35
0.25
0.1
0.45
0.08
2.5
2.0
–
马克斯。
1.0
0.2
8.5
2.6
–
–
–
–
1.2
0.6
–
1.0
0.3
3.3
–
0.35
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1200V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=75mA
TJ = 25°C V
GE
= 15V ，我
C
=75A
Tj=125°C
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
C
=75A
V
GE
=±15V
R
G
=16
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=75A
I
F
= 75A ，V
GE
=0V
V
s
单位
mA
A
V
V
pF
s
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
热阻特性
项
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
2
特征
分钟。
热阻
–
–
–
典型值。
–
–
0.05
马克斯。
0.24
0.50
–
IGBT
FWD
基座到散热片
° C / W
° C / W
° C / W
条件
单位
*
2
：这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值
6MBI75S-120
特征
集电极电流与集电极 - 发射极电压
200
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压
200
TJ = 25℃ （典型值）。
o
TJ = 125℃ （典型值）。
o
VGE = 20V
150
集电极电流IC [ A]
15V
12V
150
集电极电流IC [ A]
VGE = 20V
15V
12V
100
10V
100
10V
50
50
8V
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
200
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V （典型值）。
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
10
TJ = 25℃ （典型值）。
o
TJ = 25℃
150
集电极电流IC [ A]
o
TJ = 125℃
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
o
8
6
100
4
IC = 150A
2
IC = 75A
IC = 37.5A
50
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
5
10
15
20
25
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25℃
20000
1000
o
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 75A ， TJ = 25℃
25
o
10000
资本投资者入境计划
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ pF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
800
20
门 - 发射极电压VGE [ V]
600
15
1000
卓越中心
CRES
400
10
200
5
100
0
5
10
15
20
25
30
35
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
200
400
栅极电荷：的Qg [ NC ]
600
0
800
6MBI75S-120
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
开关时间与集电极电流（典型值）。
Vcc=600V,V
GE ？
± 15V ， RG = 16Ω ， TJ = 25℃
1000
1000
o
Vcc=600V,V
GE ？
± 15V ， RG = 16Ω ， TJ = 125
o
C
花花公子
500
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
花花公子
吨
tr
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
500
吨
tr
tf
100
100
tf
50
0
50
100
150
集电极电流IC [ A]
50
0
50
100
150
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
开关损耗与集电极电流（典型值）。
Vcc=600V,Ic=75A,V
GE ？
±15V,Tj=25
o
C
5000
20
Vcc=600V,V
GE ？
± 15V ， RG = 16Ω ， TJ = 125
o
C
吨
花花公子
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
tr
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
15
李炎（ 125℃ ）
o
1000
李炎（ 25℃ ）
10
EOFF （ 125℃ ）
o
o
500
EOFF （ 25℃ ）
5
ERR （ 125℃ ）
o
o
100
tf
ERR （ 25℃ ）
o
50
5
10
50
100
500
门极电阻： RG [
]
0
0
50
100
150
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
反向偏置安全工作区
Vcc=600V,Ic=75A,V
GE ？
± 15V ， TJ = 125℃
50
宙
200
o
+V
GE
=15V,-V
GE<
15V ， Rg>16Ω ， Tj<125
o
C
=
=
=
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
40
150
集电极电流IC [ A]
EOFF
10
ERR
0
5
10
50
100
500
门极电阻： RG [
]
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
30
100
20
50
6MBI75S-120
IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
200
300
反向恢复特性（典型值）。
Vcc=600V,V
GE ？
± 15V ， RG = 16Ω ， TJ = 125
o
C
TRR （ 125℃ ）
TJ = 125℃
150
反向恢复时间： trr的[纳秒]
反向恢复电流： IRR [ A]
正向电流IF [ A]
100
TRR （ 25℃ ）
内部收益率（ 125℃ ）
内部收益率（ 25℃ ）
o
o
o
o
o
TJ = 25℃
o
100
50
0
0
1
2
正向电压： VF [ V]
3
4
10
0
50
100
150
正向电流IF [ A]
瞬态热阻
1
FWD
热resistanse ： Rth的（J -C ） [C / W]
IGBT
o
0.1
M626
0.01
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度：密码[秒]
外形图，毫米
122
±1
8-R2.25
±0.3
4-5.5
±0.3
13.09
19.05
19
110
±0.3
94.5
±0.3
19.05
18
19.05
17
19.05
16 15
11.5
+0.5
0
19.05 11.67
39.9
±0.3
3.81
3.81
+0.5
11.5
0
20
14
57.5
±0.3
50
±0.3
58.42
2.5
±0.1
1.5
2.1
±0.1
截面A-A
0.4
理论显示尺寸
0.8
±0.2
6
62
±1
99.6
±0.3
3.81
21
1
2
3
4
5
6
7
8
9
11
12
4.06
3.5
±0.5
1.5
±0.3
15
15.24 15.24 15.24 15.24 15.24
118.11
13
A
A
1.15
±0.2
20.5
±1
2.5
±0.3
17
±1
6.5
±0.5
1
±0.2
QQ：2881677436 复制
