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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC N沟道MOSFET晶体管
60NF06
特点
·漏
目前“我
D
= 60A @ T
C
=25℃
·漏
源电压 -
: V
DSS
= 60V （最小值）
“静态
漏源导通电阻
: R
DS （ ON）
= 0.016Ω （最大值）
·快速
开关
描述
适合作为先进的高效率的初级开关隔离
DC-DC转换器，电信和计算机应用。这是
也适用于具有低栅极电荷驱动的应用程序
要求。
应用
·高效率
DC- DC转换器
· UPS
和电机控制
- 汽车
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压，连续
漏电流连续
漏电流单时脉（T
p
≤10μs)
总功耗@T
C
=25℃
马克斯。工作结温
储存温度
价值
60
±20
60
240
110
175
-65~175
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
1.36
62.5
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC N沟道MOSFET晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
60NF06
最大
单位
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0; I
D
= 0.25毫安
60
V
V
GS
（日
)
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
2
4
V
Ω
R
DS （
on
)
I
GSS
漏源导通电阻
V
GS
= 10V ;我
D
= 30A
V
GS
=
±20V;V
DS
= 0
V
DS
= 60V; V
GS
=0
V
DS
= 60V; V
GS
=0; T
j
= 125℃
I
S
= 60A ; V
GS
=0
0.016
±100
1
10
1.3
门体漏电流
nA
μA
I
DSS
零栅极电压漏极电流
V
SD
在正向电压
V
·
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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60R025
60R025XPR
60R025XU
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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