UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
60N08
初步
功率MOSFET
60安培， 80伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
60N08
是一个N沟道功率MOSFET采用UTC的
先进的平面条形和DMOS技术，提供设计师
与完美，高开关速度和最低的通态电阻。
它也可以在雪崩承受高能量脉冲和
换模式。
在UTC
60N08
在低电压应用，如DC施加
电机控制，汽车和高效率的开关型DC / DC
转换器。
特点
* 60A ， 80V ，R
DS （ ON）
=0.024 @ V
GS
=10V
*高开关速度
* 100 ％的雪崩测试
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
60N08L-TA3-T
60N08G-TA3-T
60N08L-TF1-T
60N08G-TF1-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F1
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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1 6
QW-R502-521.a
60N08
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
=25°C,
除非另有规定编）
参数
符号
评级
单位
漏源极电压
V
DSS
80
V
栅极至源极电压
V
GSS
±25
V
连续
I
D
60
A
连续漏电流
脉冲
I
DM
176
A
单脉冲（注2 ）
E
AS
560
mJ
雪崩能量
8.5
mJ
重复（注1 ）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
6.5
V / ns的
TO-220
100
W
功耗
P
D
TO-220F1
70
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +175
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
TO-220
结到环境
TO-220F1
TO-220
结到外壳
TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
62.5
1.25
1.77
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
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QW-R502-521.a
60N08
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
=25°C,
除非另有规定编）
符号
测试条件
民
80
0.07
1
10
+100
-100
2.0
4.0
0.018 0.024
31
1450 1900
520
680
120
155
50
9.3
25
16.5
200
70
95
65
典型值
最大单位
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
μC
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
=80V, V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
= 64V ，T
C
=150°C
V
DS
=0V ,V
GS
=+25V
I
GSS
V
DS
=0V ,V
GS
=-25V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 30V ，我
D
= 30A （注4 ）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=64V, V
GS
= 10V ，我
D
=60A
栅极 - 源电荷
Q
GS
（注4,5 ）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 40V ，我
D
=60A,
R
G
= 25Ω （注4,5 ）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 60A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V时，我
S
=60A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的（注4 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 0.4mH ，我
AS
= 44A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤60A,
的di / dt
≤300A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
4.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
5.基本上是独立工作温度
45
410
150
200
60
176
1.5
73
185
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QW-R502-521.a
60N08
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
峰值二极管恢复的dv / dt测试电路波形&
DUT
R
G
+
V
DS
L
-
I
SD
V
GS
V
DD
司机
同一类型
作为DUT
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过脉冲周期控制
V
GS
（驱动器）
D=
门脉冲宽度
门脉冲周期
10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ DUT）的
I
RM
体二极管反向电流
V
DS
（ DUT）的
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
SD
V
DD
体二极管正向
电压降
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QW-R502-521.a
15N65
初步
功率MOSFET
测试电路和波形（续）
非钳位感应开关测试电路
V
DS
R
G
I
D
非钳位感应开关波形
E
AS
= 1李
AS2
2
BV
DSS
L
I
AS
I
D
(t)
BV
DSS
BV
DSS
-V
DD
10V
t
P
DUT
V
DD
V
DD
V
DS
(t)
时间
t
P
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