UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
60N05
初步
功率MOSFET
60A ， 50V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
60N05
是用一个N沟道功率MOSFET UTC的
先进的技术，为客户提供完美的
DS （ ON）
,
高开关速度，高电流能力和低栅极电荷。
在UTC
60N05
适合于电机控制，交流 - 直流或直流 - 直流
转换器和音频放大器等。
特点
* R
DS （ ON）
= 12mΩ @ V
GS
=10V,I
D
=30A
*高开关速度
*高电流容量
*低栅极电荷（典型值130nC ）
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
60N05L-TA3-T
60N05G-TA3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
包
TO-220
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-716.a
60N05
参数
漏源电压（V
GS
=0)
漏，栅极电压（R
GS
=20k
)
栅源电压
初步
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
功率MOSFET
绝对最大额定值
评级
单位
50
V
50
V
±20
V
60
A
T
C
=25°C
I
D
连续
漏电流
T
C
=100°C
50
A
脉冲（注1 ）
I
DM
240
A
雪崩电流
I
AR
60
A
E
AS
600
mJ
雪崩能量
E
AR
150
mJ
功耗
P
D
125
W
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
1
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅极 - 源极漏电流
反向
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=最大额定值，V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
最小典型最大单位
60
250
+100
-100
2
3
4
0.012 0.014
3900
950
250
V
A
nA
nA
V
pF
pF
pF
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
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QW-R502-716.a
60N05
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DD
= 40V ，我
D
=60A
门源费
Q
GS
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 25V ，我
D
= 30A ，R
G
=4.7,
V
GS
=10V
上升时间
t
R
下降时间
t
F
V
DD
= 40V ，我
D
= 60A ，R
G
=4.7,
V
GS
=10V
关闭电压上升时间
t
R（ OFF）
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
（注1 ）
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
SD
= 60A ，V
GS
= 0V （注2）
体二极管反向恢复时间
t
rr
I
SD
= 60A ，V
DD
= 30V ，T
J
=150°C,
di/dt=100A/s
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
最小典型最大单位
130
26
55
30
180
35
135
170
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
C
60
240
1.6
150
0.56
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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