V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
6500 V
350 A
550 A
4500 A
1.20 V
2.300 m
相位控制晶闸管
5STP 03X6500
文档。第5SYA1003-04 9月1日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
产品型号
V
帝斯曼
V
DRM
V
RSM1
I
帝斯曼
I
RSM
dv / dt的
CRIT
V
RSM
V
RRM
5STP 03X6500 5STP 03X6200 5STP 03X5800
条件
6500 V
5600 V
7000 V
6200 V
5300 V
6700 V
≤
150毫安
≤
150毫安
1000 V / μs的
5800 V
4900 V
6300 V
F = 5赫兹，T
p
= 10ms的
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒，单脉冲
V
帝斯曼
V
RSM
T
j
= 125°C
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 125°C
V
DRM
/ V
RRM
等于V
帝斯曼
/ V
RSM
值高达至T
j
= 110°C
机械数据
F
M
安装力
喃。
分钟。
马克斯。
a
促进
夹紧装置
夹紧装置
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
2
百米/秒
2
0.4公斤
38 mm
21 mm
10千牛
8千牛
12千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
V
DRM
V
帝斯曼
I
T（ AV ）M
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
(T0)
r
T
=
=
=
=
=
=
=
5600
6500
350
550
4.5×10
3
1.2
2.3
V
V
A
A
A
V
m
相位控制晶闸管
5STP 03X6500
文档。第5SYA1003-04 10月4日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
最大额定值
1)
符号
V
帝斯曼，
V
RSM
V
DRM ，
V
RRM
V
RSM
dv / dt的
CRIT
参数
条件
F = 5赫兹，T
p
= 10毫秒
F = 50 Hz时，T
p
= 10毫秒
t
p
= 5毫秒，单脉冲
进出口。到3750 V，T
vj
= 125°C
符号条件
I
帝斯曼
I
RSM
5STP 03X6500
6500 V
5600 V
7000 V
5STP 03X6200
6200 V
5300 V
6700 V
1000 V / μs的
民
典型值
5STP 03X5800
5800 V
4900 V
6300 V
特征值
最大
150
150
单位
mA
mA
正向漏电流
反向漏电流
V
帝斯曼
, T
vj
= 125°C
V
RSM
, T
vj
= 125°C
V
DRM
/ V
RRM
等于V
帝斯曼
/ V
RSM
值高达至T
vj
= 110°C
机械数据
最大额定值
1)
参数
安装力
促进
促进
特征值
符号条件
F
M
a
a
夹紧装置
夹紧装置
民
8
典型值
10
最大
12
50
100
单位
kN
M / S
M / S
单位
kg
mm
mm
mm
2
2
参数
重量
外壳厚度
表面爬电距离
符号条件
m
H
D
S
F
M
= 10千牛，T
a
= 25 °C
民
34.8
38
典型值
最大
0.4
35.4
空袭距离
D
a
21
1 ）最大额定值的界限，表明损坏设备可能会发生
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5STP 03X6500
导通状态
最大额定值
1)
参数
平均通态电流
RMS通态电流
峰值不重复浪涌
当前
极限载荷积分
峰值不重复浪涌
当前
极限载荷积分
特征值
符号条件
I
T（ AV ）M
I
T（ RMS ）
I
TSM
It
I
TSM
It
符号条件
V
T
V
(T0)
r
T
I
H
I
L
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
I
T
1000 = A，T
vj
= 125 °C
I
T
= 300 A - 900 A，T
vj
= 125 °C
2
2
民
典型值
最大
350
550
4.5×10
3
单位
A
A
A
A
2
s
A
A
2
s
单位
V
V
m
mA
mA
mA
mA
半正弦波，T
c
= 70°C
TP = 10毫秒，T
vj
= 125 °C,
V
D
= V
R
= 0 V
TP = 8.3毫秒，T
vj
= 125 °C,
V
D
= V
R
= 0 V
101×10
3
3
4.85×10
98×10
民
典型值
最大
3.5
1.2
2.3
80
60
500
200
3
参数
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
闭锁电流
开关
最大额定值
1)
参数
的导通临界上升率
目前状态
的导通临界上升率
目前状态
符号条件
的di / dt
CRIT
的di / dt
CRIT
T
vj
= 125 °C,
I
TRM
= 1000 A,
V
D
≤
3750 V,
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
续。
F = 50赫兹
续。
F = 1Hz的
民
典型值
最大
100
1000
单位
A / μs的
A / μs的
s
电路换向关断吨
q
时间
特征值
T
vj
≤ 125 ° C，I
TRM
= 1000 A,
V
R
= 200 V ，二
T
/ DT = -1 A / μs的，
V
D
≤
0.67V
DRM
， DV
D
/ DT = 20V / μs的
700
参数
恢复电荷
符号条件
Q
rr
T
vj
≤ 125 ° C，I
TRM
= 1000 A,
V
R
= 200 V,
di
T
/ DT = -1 A / μs的
V
D
= 0.4V
RM
, I
FG
= 2 A,
t
r
= 0.5微秒，T
vj
= 25 °C
民
900
典型值
最大
2000
单位
μAs
栅极导通延迟时间
t
gd
3
s
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
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第2 6
5STP 03X6500
触发
最大额定值
1)
参数
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
平均门功率损耗
特征值
符号条件
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G（ AV ）
符号条件
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 25 °C
V
D
= 0.4× V
DRM
, T
vj
= 125 °C
V
D
= 0.4× V
DRM
, T
vj
= 125°C
民
典型值
最大
12
10
10
单位
V
A
V
参照图9
民
典型值
最大
2.6
400
0.3
10
单位
V
mA
V
mA
参数
栅极触发电压
栅极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
热
最大额定值
1)
参数
工作结
温度范围
特征值
符号条件
T
vj
民
典型值
最大
125
单位
°C
°C
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
储存温度范围T
英镑
参数
符号条件
双面冷却
F
m
= 8 ... 12千牛
阳极侧的冷却
F
m
= 8 ... 12千牛
阴极侧的冷却
F
m
= 8 ... 12千牛
双面冷却
F
m
= 8 ... 12千牛
单面冷却
F
m
= 8 ... 12千牛
-40
民
典型值
140
最大
45
85
95
7.5
15
热阻结
日（J -C ）
到案
R
日（ J-三）
R
日（J -C ）C
热电阻的情况下与R
个（ C-H）
散热器
R
个（ C-H）
解析函数的瞬态热
阻抗：
Z
日（J -C ）
(t) =
∑
R
第i个
(1 - e
-t/
τ
i
)
i
=
1
i
R
第i个
（K /千瓦）
τ
i
(s)
1
26.070
0.6439
2
12.160
0.0812
3
3.370
0.0161
4
3.100
0.0075
图。 1
瞬态热阻抗结到外壳。
n
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1003-04 10月4日
第3页6
5STP 03X6500
图。 2
马克斯。通态电压特性
图。 3
对国家特性。
T
j
= 125°C ， 10ms的半正弦
图。 4
通态功耗与平均通态
电流。导通损耗除外。
图。五
马克斯。允许的情况下温度与平均
通态电流。
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第4 6
5STP 03X6500
图。 6
浪涌通态电流与脉冲宽度。半
正弦波。
I
G
(t)
100 %
90 %
I
GM
I
GM
I
坤
di
G
/ DT
t
r
t
p
(I
GM
)
≈
2..5 A
≥
1.5 I
GT
≥
2 A / μs的
≤
1
s
≈
5...20
s
图。 7
浪涌脉冲的通态电流与数量。
半正弦波， 10毫秒， 50赫兹。
di
G
/ DT
10 %
t
r
t
p
(I
GM
)
t
p
(I
坤
)
t
I
坤
图。 8
推荐的栅极电流的波形。
图。 9
马克斯。栅极峰值功率损耗。
图。 10
恢复电荷与通态衰变率
电流。
图。 11
峰值反向恢复电流与衰减率
的通态电流。
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文档。第5SYA1003-04 10月4日
分页： 5 6
V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
6500 V
350 A
550 A
4500 A
1.20 V
2.300 m
相位控制晶闸管
5STP 03X6500
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专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
产品型号
V
帝斯曼
V
DRM
V
RSM1
I
帝斯曼
I
RSM
dv / dt的
CRIT
V
RSM
V
RRM
5STP 03X6500 5STP 03X6200 5STP 03X5800
条件
6500 V
5600 V
7000 V
6200 V
5300 V
6700 V
≤
150毫安
≤
150毫安
1000 V / μs的
5800 V
4900 V
6300 V
F = 5赫兹，T
p
= 10ms的
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒，单脉冲
V
帝斯曼
V
RSM
T
j
= 125°C
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 125°C
V
DRM
/ V
RRM
等于V
帝斯曼
/ V
RSM
值高达至T
j
= 110°C
机械数据
F
M
安装力
喃。
分钟。
马克斯。
a
促进
夹紧装置
夹紧装置
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
2
百米/秒
2
0.4公斤
38 mm
21 mm
10千牛
8千牛
12千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
QQ：2880707522 复制
