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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符5型号页 > 首字符5的型号第627页 > 5STB24Q2800
V
SM
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
2800 V
2630 A
4130 A
43000 A
0.85 V
0.160 m
双向晶闸管控制
5STB 24Q2800
文档。第5SYA1053-01 9月1日
两个晶闸管集成在一个晶片
专利自由浮动的硅技术
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大大门。
电气和热数据的有效期为可控硅器件的一半。
闭塞
产品型号
V
SM
V
RM
I
SM
I
RM
dv / dt的
CRIT
V
RM
等于V
SM
最多至T
j
= 110°C
5STB 24Q2800
3000 V
2800 V
5STB 24Q2600
2800 V
2600 V
≤
400毫安
≤
400毫安
1000 V / μs的
5STB 24Q2200
2400 V
2200 V
条件
F = 5赫兹，T
p
= 10ms的
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
V
SM
V
RM
T
j
= 125°C
@进出口。到0.67xV
SM
机械数据
F
M
安装力
喃。
分钟。
马克斯。
a
促进
夹紧装置
夹紧装置
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
2
百米/秒
2
2.1公斤
36 mm
15 mm
90千牛
81千牛
108千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
5STB 24Q2800
导通状态
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
I
2
t
马克斯。平均通态
t
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
2630 A
4130 A
43000 A
46000 A
9245千安
2
s
8781千安
2
s
V
T
V
T0
r
T
I
H
I
L
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
1.35 V
0.85 V
0.160 m
50-250毫安
25-150毫安
闭锁电流
100-500毫安
50-300毫安
T
j
T
j
T
j
T
j
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
tp
tp
tp
tp
I
T
I
T
=
=
=
=
=
=
10 MS T处
j
= 125°C
8.3毫秒激增后：
10毫秒V
D
= V
R
= 0V
8.3毫秒
3000 A
1500 - 4500 A
T
j
= 125°C
半正弦波，T
C
= 70°C
开关
的di / dt
CRIT
对国家崛起的临界速度
当前
250 A / μs的
500 A / μs的
续。 F = 50 Hz的V
D
≤
0.67V
DRM
, T
j
= 125°C
60秒。
F = 50Hz的
V
D
= 0.4V
DRM
I
TRM
= 3000 A
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
t
d
t
q
Q
rr
延迟时间
打开-O FF时间
≤
≤
民
最大
3.0 s
400 s
V
D
≤
0.67V
DRM
I
TRM
3000 = A，T
j
= 125°C
dv
D
/ DT = 20V / μs的V
R
> 200伏，二
T
/ DT = -1.5 A / μs的
恢复电荷
1100 μAs
2000 μAs
触发
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
最大栅极功率损耗
≤
≤
≥
≥
2.6 V
400毫安
0.3 V
10毫安
12 V
10 A
10 V
3W
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
V
D
= 0.4V
RM
V
D
= 0.4V
RM
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
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文档。第5SYA1053-01 9月1日
页2的5
5STB 24Q2800
热
T
j
T
英镑
R
thJC
工作结温范围
存储温度范围
热阻
结到外壳
-40…125 °C
-40…150 °C
20 K /千瓦
20 K /千瓦
10 K /千瓦
R
thCH
热电阻的情况下，以
散热器
解析函数的瞬态热
阻抗：
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
双侧冷却
4 K /千瓦
2 K /千瓦
Z
thJC
[K /千瓦]
15
180 °正弦波：
加1 K /千瓦
180 °矩形：加1 K /千瓦
120 °矩形：加1 K /千瓦
60 °直角：加2 K /千瓦
Z
thJC
(t) =
R
i
(1 - e
i
=
1
i
R
i
（K /千瓦）
τ
i
(s)
1
6.5
0.5205
2
1.47
0.1075
3
1.31
0.0194
n
- t/
τ
i
)
4
10
5
F
m
= 81..108千牛
双面冷却
0
0.001
BQ1
0.71
0.0073
0.010
0.100
1.000
10.000
T [ S]
图。 1瞬态热阻抗结点到外壳。
图。 2通态特性。
图。 3通态特性。
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文档。第5SYA1053-01 9月1日
第3 5
5STB 24Q2800
T
例
(°C)
130
双面冷却
125
120
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
0
500
DC
180矩形
180 °正弦波
120矩形
1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
I
TAV
(A)
图。 4通态功耗与平均导通
态电流。打开 - 在排除了损失。
图。 5最大。允许的情况下温度与
平均通态电流。
图。 6浪涌通态电流与脉冲宽度。
半正弦波。
图。 7浪涌通态电流与数
脉冲。半正弦波， 10毫秒， 50赫兹。
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文档。第5SYA1053-01 9月1日
第4 5
5STB 24Q2800
5STB 24Q2800
图。 8门极触发特性。
图。 9最大。栅极峰值功率损耗。
图。 10恢复电荷与导通的衰减率
态电流。
图。 11峰值反向恢复电流与衰减
率通态电流。
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ABB半导体公司
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CH -5600伦茨堡，瑞士
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电子邮件
因特网
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abbsem@ch.abb.com
www.abbsem.com
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