V
SM
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
6500 V
1580 A
2480 A
29700 A
1.2 V
0.458 m
双向晶闸管控制
5STB 18U6500
文档。第5SYA1037-02 4月2日
两个晶闸管集成在一个晶片
专利自由浮动的硅技术
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大大门。
电气和热数据的有效期为可控硅器件的一半。
闭塞
最大额定值
符号
V
SM
V
RM
I
RM
dv / dt的
CRIT
条件
F = 5赫兹，T
p
= 10ms的
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
V
RM
, T
j
= 110°C
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 110°C
5STB 18U6500 5STB 18U6200 5STB 18U5800
6500 V
5600 V
6200 V
5300 V
≤
600毫安
2000 V / μs的
5800 V
4900 V
机械数据
参数
安装力
促进
促进
重量
表面爬电距离
空袭距离
符号条件
F
M
a
a
m
D
S
D
a
53
22
夹紧装置
夹紧装置
3.6
民
120
典型值。
135
最大
160
50
100
单位
kN
M / S
M / S
kg
mm
mm
2
2
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5STB 18U6500
导通状态
参数
马克斯。平均通态
当前
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
符号条件
I
TAVM
半正弦波，T
c
= 70°C
民
1580
2480
TP = 10毫秒， TJ = 110 ° C，
V = V
R
=0 V
TP = 8.3毫秒， TJ = 110 ° C，
V = V
R
=0 V
I
T
= 1600 A ，T
j
= 110°C
I
T
= 1000 A - 3000 A，T
j
= 110°C
TJ = 110℃
T
j
= 25°C
T
j
= 110°C
29700
4400
31800
4190
1.93
1.2
0.458
125
75
典型值。
最大
单位
A
A
A
kA
2
s
A
kA
2
s
V
V
m
mA
mA
马克斯。通态电流I RMS
真有效值
I
TSM
It
I
TSM
It
V
T
V
T0
r
T
I
H
2
2
开关
参数
的导通临界上升率
目前状态
的导通临界上升率
目前状态
延迟时间
打开-O FF时间
符号条件
的di / dt
CRIT
的di / dt
CRIT
t
d
t
q
续。
T
j
= 110℃，我
TRM
= 2000 ， F = 50赫兹
V
D
≤
0.67V
RM
,
续。
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
F = 1Hz的
V
D
= 0.4V
RM
, I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
T
j
= 110℃，我
TRM
= 2000 A,
V
R
= 200 V ，二
T
/ DT = -1.5 A / μs的，
V
D
≤
0.67V
RM
， DV
D
/ DT = 20V / μs的，
T
j
= 110℃，我
TRM
= 2000 A,
V
R
= 200 V,
di
T
/ DT = -1.5 A / μs的
2100
民
典型值。
最大
250
1000
3
800
单位
A / μs的
A / μs的
s
s
恢复电荷
Q
rr
3200
μAs
触发
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
峰值正向栅极电压
马克斯。额定峰值前进
栅电流
峰值反向栅极电压
马克斯。额定峰值前进
功率门
符号条件
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
V
FGM
I
FGM
V
RGM
对于直流栅极电流
参照图9
P
GM
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
V
D
= 0.4× V
RM
, T
vjmax
= 110°C
V
D
= 0.4× V
RM
0.3
10
12
10
10
3
民
典型值。
最大
2.6
400
单位
V
mA
V
mA
V
A
V
W
马克斯。额定功率门控损耗P
G
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页2的5
5STB 18U6500
热
参数
工作结
温度范围
符号条件
T
j
-40
双侧冷却
阳极侧冷却
阴极侧冷却
热电阻的情况下与R
thCH
散热器
双侧冷却
单面冷却
解析函数的瞬态热
阻抗：
民
典型值。
最大
110
140
8
16
16
1.6
3.2
单位
°C
°C
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
储存温度范围T
英镑
热阻结
thJC
到案
Z
thJC
(t) =
R
i
(1 - e
-t/
τ
i
)
i
=
1
i
R
i
（K /千瓦）
τ
i
(s)
1
5.11
0.9531
2
1.63
0.1541
3
0.85
0.0211
4
0.45
0.0068
图。 1
瞬态热阻抗结到外壳
n
图。 2
等温通态特性
图。 3
等温通态特性
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第3 5
5STB 18U6500
图。 4
通态功耗与平均导通
态电流。开关损耗除外。
图。五
马克斯。允许的情况下温度与
平均通态电流。
图。 6
浪涌通态电流与脉冲宽度。半
正弦波。
图。 7
浪涌脉冲的通态电流与数量。
半正弦波， 10毫秒， 50赫兹。
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第4 5
5STB 18U6500
I
G
(t)
100 %
90 %
I
GM
I
GM
I
坤
di
G
/ DT
t
r
t
p
(I
GM
)
≈
2..5 A
≥
1.5 IGT
≥
2 A / μs的
≤
1
s
≈
5...20s
di
G
/ DT
10 %
t
r
t
p
(I
GM
)
t
p
(I
坤
)
t
I
坤
图。 8
Recommendet栅极电流的波形。
图。 9
马克斯。额定栅极峰值功率损耗。
图。 10
恢复电荷与通态衰变率
电流。
图。 11
峰值反向恢复电流与衰减率
的通态电流。
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ABB瑞士公司
半导体
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡，瑞士
电话
传真
电子邮件
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+41 (0)58 586 1306
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