V
DRM
I
TGQM
I
TSM
V
T0
r
T
V
的dcLINK
= 2500 V
= 3000 A
=
30千安
=
1.5 V
= 0.33 m
= 1400 V
栅极关断晶闸管
5SGA 30J2501
文档。第5SYA1213-02 1月5日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
环形栅电极
行业标准房
宇宙辐射耐受评级
闭塞
V
DRM
V
RRM
I
DRM
I
RRM
V
的dcLINK
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
重复峰值断态电流
反向重复峰值电流
100永久直流电压
FIT故障率
≤
≤
2500 V
17 V
百毫安
50毫安
1400 V
V
D
= V
DRM
V
R
= V
RRM
V
GR
≥
2V
R
GK
=
∞
V
GR
≥
2V
在海平面环境的宇宙辐射
露天。
机械数据
（参见图3）
F
m
A
安装力
加速度：
夹紧装置
夹紧装置
M
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
≥
≥
50米/ s的
2
200米/ s的
2
1.3千克
33 mm
15 mm
分钟。
马克斯。
36千牛
44千牛
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5SGA 30J2501
GTO数据
导通状态
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
马克斯。平均通态电流
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
1300 A
2040 A
30千安
51 KA
4.5x10
6
A
2
s
1.3x10
6
A
2
s
V
T
V
T0
r
T
I
H
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
2.5 V
1.5 V
0.33 m
100 A
T
j
= 25 °C
t
P
=
t
P
=
t
P
=
t
P
=
I
T
=
I
T
=
10毫秒
1毫秒
10毫秒
1毫秒
3000 A
400 - 4000 A
T
j
=
125 °C
T
j
=
125°C
半正弦波，T
C
= 85 °C
后激增：
V
D
= V
R
= 0V
I
2
t
门
V
GT
I
GT
V
GRM
I
GRM
门极触发电压
门极触发电流
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
1.2 V
4 A
17 V
50毫安
V
GR
= V
GRM
V
D
R
A
= 24 V
= 0.1
T
j
=
25 °C
导通开关
的di / dt
CRIT
马克斯。对国家崛起的速度
当前
t
d
t
r
t
开（分钟）
E
on
延迟时间
上升时间
分钟。导通时间
开启每个脉冲能量
500 A / μs的
1000 A / μs的
2.5 s
5 s
100 s
2 WS
F = 200Hz的
F = 1Hz的
V
D
=
I
T
=
I
T
= 3000 A,
T
j
= 125 °C
I
GM
= 30 A ，二
G
DT = 20 A / μs的
0.5 V
DRM
T
j
3000 A
30 A
5 F
=
125 °C
300 A / μs的
20 A / μs的
5
的di / dt =
di
G
/ DT =
R
S
=
I
GM
=
C
S
=
关断开关
I
TGQM
最大可控关断
当前
贮存时间
下降时间
分钟。关断时间
关断能源每脉冲
峰值关断栅极电流
3000 A
V
DM
= V
DRM
C
S
25 s
3 s
100 s
4.7 Ws中
1000 A
V
D
T
j
= 5 F
di
GQ
/ DT =
L
S
≤
=
40 A / μs的
0.3 H
V
DRM
40 A / μs的
t
s
t
f
t
关（ MIN）的
E
关闭
I
GQM
= ½ V
DRM
V
DM
=
125°C迪
GQ
/ DT =
I
TGQ
= I
TGQM
C
S
L
S
=
≤
5 μF
S
0.3 H
=
5
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第2 6
5SGA 30J2501
热
T
j
R
thJC
保管与使用
结温范围
热阻
结到外壳
R
thCH
热电阻的情况下，以
散热器
解析函数的瞬态热
阻抗：
22 K /千瓦
27 K /千瓦
12K /千瓦
6 K /千瓦
3 K /千瓦
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
双侧冷却
-40...125°C
Z
thJC
(t) =
∑
4
i
1
5.4
1.2
2
4.5
0.17
3
1.7
0.01
4
0.4
0.001
R
i
(1 - e
- t /
τ
i
)
R
I
（K /千瓦）
τ
i
(s)
i
=
1
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第3页6
5SGA 30J2501
图。 1
通态特性
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第4 6
5SGA 30J2501
图。 2
一般的电流和电压波形与GTO的特定符号
图。 3
外形图。所有尺寸都在
毫米，代表标称值
除非另有说明。
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