V
DRM
I
TGQM
I
TSM
V
T0
r
T
V
的dcLINK
=
=
=
=
=
=
4500
600
3×10
3
1.9
3.5
2800
V
A
A
V
mW
V
非对称门极可关断
晶闸管
5SGA 06D4502
初步
文档。第5SYA1236-00 6月4日
·
专利自由浮动的硅技术
·
低通态损耗和开关损耗
·
中央栅极
·
行业标准房
·
宇宙辐射耐受评级
闭塞
最大额定值
1)
参数
重复峰值断态
电压
反向重复峰值
电压
永久直流电压
100散客故障率
特征值
符号条件
V
DRM
V
RRM
V
的dcLINK
在海平面环境的宇宙辐射
在开放的空气。
V
GR
2 V
民
典型值
最大
4500
17
2800
单位
V
V
V
参数
重复峰值断态
当前
反向重复峰值
当前
符号条件
I
DRM
I
RRM
V
D
= V
DRM
, V
GR
2 V
V
R
= V
RRM
, R
GK
=
W
民
典型值
最大
20
50
单位
mA
mA
机械数据
最大额定值
1)
参数
安装力
特征值
符号条件
F
m
符号条件
D
p
H
m
D
s
阳极门
± 0.1 mm
民
10
民
典型值
11
典型值
34
26
最大
12
最大
单位
kN
单位
mm
mm
参数
极片直径
外壳厚度
重量
表面爬电距离
0.25
30
kg
mm
mm
空袭距离
D
a
阳极门
20.5
1 ）最大额定值的界限，表明损坏设备可能会发生
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5SGA 06D4502
GTO数据
导通状态
最大额定值
1)
参数
马克斯。平均通态
当前
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
特征值
符号条件
I
T（ AV ）M
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
符号条件
V
T
V
(T0)
r
T
I
H
1)
民
典型值
最大
210
330
单位
A
A
3
半正弦波，T
C
= 85 °C
t
p
= 8.3毫秒，T
vj
= 125 ℃，正弦波
后激增： V
D
= V
R
= 0 V
t
p
= 10毫秒，T
vj
= 125 ℃，正弦波
后激增： V
D
= V
R
= 0 V
t
p
= 1毫秒，T
vj
= 125 ℃，正弦波
后激增： V
D
= V
R
= 0 V
3.1×10
40×10
3×10
A
A
2
s
A
A
2
s
A
A
2
s
单位
V
V
mW
A
3
3
45×10
6×10
3
3
18×10
民
典型值
最大
4
1.9
3.5
20
3
参数
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
I
T
= 600 A，T
vj
= 125°C
T
vj
= 125°C
I
T
= 200...600 A
T
vj
= 25°C
导通开关
最大额定值
参数
的导通临界上升率
目前状态
的导通临界上升率
目前状态
分钟。导通时间
特征值
符号条件
di
T
/ DT
cr
di
T
/ DT
cr
t
on
符号条件
t
d
t
r
E
on
V
D
= 0.5 V
DRM
, T
vj
= 125 °C
I
T
= 600 A， di / dt的= 200 A / μs的，
I
GM
= 20 A ，二
G
/ DT = 20 A / μs的，
C
S
= 1 μF ，R
S
= 10
W
T
vj
= 125°C,
I
T
= 600 A，I
GM
= 20 A,
di
G
/ DT = 20 A / μs的
F = 200赫兹
F = 1赫兹
民
典型值
最大
400
600
单位
A / μs的
A / μs的
s
80
民
典型值
最大
1.5
3
0.8
参数
导通延迟时间
上升时间
开启每个脉冲能量
单位
s
s
J
关断开关
最大额定值
1)
参数
马克斯。可控关断
当前
尖峰电压
分钟。关断时间
特征值
符号条件
I
TGQM
V
DSP
t
关闭
符号条件
t
S
t
f
E
关闭
I
GQM
V
D
= 0.5 V
DRM
, T
vj
= 125 °C
V
DM
V
DRM
，二
GQ
/ DT = 20 A / μs的，
I
TGQ
= I
TGQM
,
R
S
= 10
W,
C
S
= 1 μF ，L
S
= 0.15 H
RCD缓冲器
V
DM
V
DRM
, V
D
= 0.5 V
DRM
di
GQ
/ DT = 20 A / μs的，C
S
= 1 F,
L
S
0.15 μH ， RCD缓冲
民
典型值
最大
600
650
单位
A
V
s
80
民
典型值
最大
15
5
1.9
300
参数
贮存时间
下降时间
开启每个脉冲能量
峰值关断栅极电流
单位
s
s
J
A
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
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页2的5
5SGA 06D4502
门
最大额定值
1)
参数
反向重复峰值
电压
反向重复峰值
当前
特征值
符号条件
V
GRM
I
GRM
V
GR
= V
GRM
民
典型值
最大
17
20
单位
V
mA
参数
门极触发电压
门极触发电流
符号条件
V
GT
I
GT
1)
民
典型值
1
2
最大
单位
V
A
T
vj
= 25°C,
V
D
= 24 V ，R
A
= 0.1
W
热
最大额定值
参数
结工作温度
存储温度范围
特征值
符号
T
vj
T
英镑
符号
R
TH （JC）
R
日（ JC ）一个
R
日（ JC ）C
条件
民
0
0
典型值
最大
125
125
单位
°C
°C
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
参数
热阻结到外壳
条件
双侧冷却
阳极侧冷却
阴极侧冷却
单面冷却
双侧冷却
民
典型值
最大
50
85
122
16
8
热电阻的情况下到散热器
（双侧冷却）
R
第（CH）
R
第（CH）
解析函数的瞬态热
阻抗：
Z
thJC
(t) =
R
i
(1 - e
i
=
1
i
R
i
（K /千瓦）
t
i
(s)
1
15.000
0.4610
2
5.200
0.0950
3
n
- t/
t
i
)
4
7.500
0.0120
0.100
0.0010
图。 1
瞬态热阻抗，结到
情况。
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第3 5
5SGA 06D4502
图。 2
一般的电流和电压波形与GTO的特定符号。
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第4 5
5SGA 06D4502
图。 3
外形图。所有尺寸以毫米为单位，代表名义值，除非另有说明。
反向雪崩能力
在操作过程中有一个反并联续流二极管， GTO的反向电压
V
R
可能超过速率值V
RRM
由于杂散电感和二极管的导通电压尖峰高di / dt 。该GTO然后打入逆转
雪崩。这种情况是不危险的GTO提供的雪崩时间和电流都低于10微秒
和1000 A分别。然而，栅极电压必须在这段时间内保持为负。建议：
V
GR
= 10…15 V.
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
ABB瑞士公司
半导体
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡，瑞士
电话
传真
电子邮件
因特网
+41 (0)58 586 1419
+41 (0)58 586 1306
abbsem@ch.abb.com
www.abb.com/semiconductors
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