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V
DRM
I
TGQM
I
TSM
V
T0
r
T
V
DClin
=
=
=
=
=
=
2500
2000
16
1.66
0.57
1400
V
A
kA
V
mW
V
栅极关断晶闸管
5SGA 20H2501
文档。第5SYA1205-01 6月4日
·
专利自由浮动的硅技术
·
低通态损耗和开关损耗
·
环形栅电极
·
行业标准房
·
宇宙辐射耐受评级
闭塞
V
DRM
V
RRM
I
DRM
I
RRM
V
的dcLINK
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
重复峰值断态电流
反向重复峰值电流
100永久直流电压
FIT故障率
2500 V
17 V
30毫安
50毫安
1400 V
V
D
= V
DRM
V
R
= V
RRM
V
GR
2V
R
GK
=
V
GR
2V
-40
T
j
125°C 。周围的宇宙
辐射在露天海平面。
机械数据
（参见图19）
F
m
A
安装力
加速度：
夹紧装置
夹紧装置
M
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
2
200米/ s的
2
0.8公斤
22 mm
13 mm
分钟。
马克斯。
17千牛
24千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
5SGA 20H2501
GTO数据
导通状态
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
马克斯。平均通态电流
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
830 A
1300 A
16 KA
32千安
2
1.28×10
6
A S
2
0.51×10
6
A S
半正弦波，T
C
= 85 °C
t
P
t
P
t
P
t
P
I
T
I
T
=
=
=
=
=
10毫秒
1毫秒
10毫秒
1毫秒
2000 A
T
j
=
125°C
后激增：
V
D
= V
R
= 0V
I
2
t
V
T
V
T0
r
T
I
H
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
2.80 V
1.66 V
0.57毫瓦
50 A
= 200 - 2500 A
T
j
=
125 °C
T
j
= 25 °C
门
V
GT
I
GT
V
GRM
I
GRM
门极触发电压
门极触发电流
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
1.0 V
2.5 A
17 V
50毫安
V
G
= V
GRM
V
D
R
A
= 24 V
= 0.1
W
T
j
=
25 °C
导通开关
的di / dt
CRIT
马克斯。对国家崛起的速度
当前
t
d
t
r
t
开（分钟）
E
on
延迟时间
上升时间
分钟。导通时间
开启每个脉冲能量
400 A / μs的
700 A / μs的
1.5 s
3.5 s
80 s
0.75 Ws中
F = 200Hz的
F = 1Hz的
V
D
=
I
T
=
I
GM
=
C
S
=
I
T
= 2000 A,
T
j
= 125 °C
I
GM
= 30 A ，二
G
/ DT = 20 A / μs的
0.5 V
DRM
T
j
2000 A
30 A
4 F
=
125 °C
200 A / μs的
20 A / μs的
5
W
的di / dt =
di
G
/ DT =
R
S
=
关断开关
I
TGQM
最大可控关断
当前
t
s
t
f
t
关（ MIN）的
E
关闭
I
GQM
贮存时间
下降时间
分钟。关断时间
关断能源每脉冲
峰值关断栅极电流
22.0 s
2.0 s
80 s
3.5 Ws中
700 A
2000 A
V
DM
= V
DRM
C
S
= 4 F
V
D
= ½ V
DRM
T
j
=
di
GQ
/ DT =
L
S
V
DM
=
30 A / μs的
0.3 H
V
DRM
30 A / μs的
125°C迪
GQ
/ DT =
I
TGQ
= I
TGQM
C
S
=
L
S
4 μF
S
0.3 H
=
5
W
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
文档。第5SYA1205-01 6月4日
第2 9
5SGA 20H2501
热
T
j
R
thJC
保管与使用
结温范围
热阻
结到外壳
R
thCH
热电阻的情况下，以
散热器
解析函数的瞬态热
阻抗：
30 K /千瓦
39 K /千瓦
17 K /千瓦
10 K /千瓦
5K /千瓦
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
双侧冷却
-40...125°C
Z
thJC
(t) =
4
i
1
11.7
0.9
2
4.7
0.26
3
0.64
0.002
4
0.0001
0.001
R
i
(1 - e
- t /
t
i
)
R
I
（K /千瓦）
t
i
(s)
i
=
1
图。 1
瞬态热阻抗，结到管壳。
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第3 9
5SGA 20H2501
图。 2
通态特性
图。 3
通态平均功耗对比
平均通态电流。
图。 4
浪涌电流和整体融合与脉冲
宽度
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文档。第5SYA1205-01 6月4日
第4页第9
5SGA 20H2501
图。五
正向阻断电压与门极 - 阴极
性。
图。 6
静态dv / dt能力：正向阻断
电压与负。栅极电压或栅极
阴极电阻。
图。 7
Forwarde栅极电流与forard门
电压。
图。 8
门极触发电流与结
温度
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第5 9
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5SGA30J2502
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