5.0mm
红外线
EMITTING
二极管
REV ：一
/ 0
520E940C
包装尺寸
注意：
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Tolerance为±0.25mm （ 0.010 " ）
除非另有规定ED 。
下法兰3.Protruded树脂
为1.5mm （ 0.059 " ）最大。
4.Lead间距是衡量地方
引线出现从包装。
5.Specification如有变动
恕不另行通知
图号。 DS- 23-02-0005
日期： 2002-02-28
PAGE ：
1
QR0202-10B
5.0mm
红外线
520E940C
EMITTING
二极管
REV ： A / 0
特点
*额外的高辐射功率和辐射INBTENSITY
*低正向电压
*适用于高脉冲电流OPERATIONTENSITY
·可靠性高
芯片资料
*芯片材质： GaA1As /砷化镓
*镜片颜色：无色透明
绝对最大额定值（ TA = 25 ° C）
符号
P
D
V
R
I
F
TOPR
TSTG
功耗
反向电压
平均正向电流
工作温度范围
存储温度范围
参数
红外线
100
5
100
单位
mW
V
mA
-35 ° C至85°C
-35 ° C至85°C
Lead Soldering Temperature½1.6mm(0.063 inch) From Body½250°C ± 5°C for 3 Seconds
光电特性： （ TA = 25 ° C）
TEST
条件
I
F
=
10mA
I
F
=
50mA
V
R
= 5V
I
F
=
10mA
IF =
10mA
I
F
=
10mA
940
22
30
符号
V
F
I
R
λ
P
2θ1/2
I
E
参数
正向电压
反向电流
峰值发射波长
半强度角
辐射强度
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
1.2
1.4
1.6
10
V
A
nm
度
毫瓦/ SR
图号。 DS- 23-02-0005
日期： 2002-02-28
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QR0202-10C
5.0mm
红外线
EMITTING
二极管
REV ：一
/ 0
520E940C
包装尺寸
注意：
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Tolerance为±0.25mm （ 0.010 " ）
除非另有规定ED 。
下法兰3.Protruded树脂
为1.5mm （ 0.059 " ）最大。
4.Lead间距是衡量地方
引线出现从包装。
5.Specification如有变动
恕不另行通知
图号。 DS- 23-02-0005
日期： 2002-02-28
PAGE ：
1
QR0202-10B
5.0mm
红外线
520E940C
EMITTING
二极管
REV ： A / 0
特点
*额外的高辐射功率和辐射INBTENSITY
*低正向电压
*适用于高脉冲电流OPERATIONTENSITY
·可靠性高
芯片资料
*芯片材质： GaA1As /砷化镓
*镜片颜色：无色透明
绝对最大额定值（ TA = 25 ° C）
符号
P
D
V
R
I
F
TOPR
TSTG
功耗
反向电压
平均正向电流
工作温度范围
存储温度范围
参数
红外线
100
5
100
单位
mW
V
mA
-35 ° C至85°C
-35 ° C至85°C
Lead Soldering Temperature½1.6mm(0.063 inch) From Body½250°C ± 5°C for 3 Seconds
光电特性： （ TA = 25 ° C）
TEST
条件
I
F
=
10mA
I
F
=
50mA
V
R
= 5V
I
F
=
10mA
IF =
10mA
I
F
=
10mA
940
22
30
符号
V
F
I
R
λ
P
2θ1/2
I
E
参数
正向电压
反向电流
峰值发射波长
半强度角
辐射强度
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
1.2
1.4
1.6
10
V
A
nm
度
毫瓦/ SR
图号。 DS- 23-02-0005
日期： 2002-02-28
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