2SK3994
东芝场效应晶体管
硅N-沟道MOS型（ π型MOS V）的
2SK3994
开关稳压器， DC / DC转换器应用
电机驱动应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
: R
DS （ ON）
= 90毫欧（典型值）。
: |Y
fs
| = 10 S（典型值）。
单位：mm
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 250 V)
增强型： V
th
= 3.0 5.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±30
20
80
45
487
20
4.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
—
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.78
62.5
单位
C / W
C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 2.06 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 20 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2006-11-21
2SK3994
R
DS （ ON）
TC =
0.3
1000
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
10
5
0.18
ID
=
20 A
常见的来源
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻R
DS （ ON）
(
Ω)
0.24
(A)
Tc
=
25°C
脉冲测试
100
0.12
反向漏电流I
DR
10
10
VGS
=
0 V
0.06
5
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0
3
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
壳温度（ ° C）
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
30000
10000
6
V
th
TC =
V
th
(V)
栅极阈值电压
西塞
科斯
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
100
CRSS
1000
5
（PF ）
4
电容C
1000
3
2
常见的来源
1 V
DS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
100
10
0.1
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
壳温度（ ° C）
动态输入/输出特性
250
常见的来源
ID
=
20 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
20
V
DS
(V)
200
16
漏源电压
50 V
100
VGS
50
100 V
8
4
0
0
20
40
60
80
0
100
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2006-11-21
栅源电压
150
VDD
=
200 V
12
V
GS
(V)
VDS
2SK3994
东芝场效应晶体管
硅N-沟道MOS型（ π型MOS V）的
2SK3994
开关稳压器， DC / DC转换器应用
电机驱动应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 90毫欧（典型值）。
: |Y
fs
| = 10 S（典型值）。
单位：mm
: I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 250 V)
: V
th
= 3.0 5.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±30
20
80
45
487
20
4.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
—
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.78
62.5
单位
C / W
C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 2.06 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 20 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2009-09-29
2SK3994
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
200 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25 V, V
DS
= 0 V
I
G
= ±10
μA,
V
DS
= 0 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 A
民
—
±30
—
250
3.0
—
5
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
90
10
2090
280
1000
20
最大
±10
—
100
—
5.0
105
—
—
—
—
—
pF
单位
μA
V
μA
V
V
m
S
开关时间
下降时间
4.7
Ω
开启时间
R
L
=
12.5Ω
V
GS
10 V
0V
I
D
=
10 A
—
V
OUT
—
40
—
ns
—
10
—
V
DD
125 V
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
—
—
—
—
40
45
22
23
—
—
—
—
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
—
—
I
DR
= 20 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 20 A，V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT = 100 A /
μs
民
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
320
2.8
最大
20
80
1.5
—
—
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K3994
产品型号（或缩写代码）
LOT号
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
记
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
2SK3994
R
DS （ ON）
TC =
0.3
1000
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
10
5
0.18
ID
=
20 A
常见的来源
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻R
DS （ ON）
(
Ω)
0.24
(A)
Tc
=
25°C
脉冲测试
100
0.12
反向漏电流I
DR
10
10
VGS
=
0 V
0.06
5
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0
3
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
壳温度（ ° C）
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
30000
10000
6
V
th
TC =
V
th
(V)
栅极阈值电压
西塞
科斯
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
100
CRSS
1000
5
（PF ）
4
电容C
1000
3
2
常见的来源
1 V
DS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
100
10
0.1
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
壳温度（ ° C）
动态输入/输出特性
250
常见的来源
ID
=
20 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
20
V
DS
(V)
200
16
漏源电压
50 V
100
VGS
50
100 V
8
4
0
0
20
40
60
80
0
100
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2009-09-29
栅源电压
150
VDD
=
200 V
12
V
GS
(V)
VDS
QQ：2880707522 复制
