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2SK3082(L),2SK3082(S)
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-637 （ Z）
第2位。版
1998年5月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.055
典型值。
高速开关
4V栅极驱动器可从5V电源来驱动
概要
LDPAK
4
4
D
1
1
2
3
2
G
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2SK3082(L),2SK3082(S)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
10
40
10
10
8.5
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
体漏二极管的反向漏电流I
DR
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
60
±20
—
—
1.5
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.055
0.090
8
350
190
70
10
55
60
70
0.9
50
最大
—
—
±10
10
2.5
0.075
0.150
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 10A ，V
GS
= 0
I
F
= 10A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 50A / μs的
测试条件
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16V,
V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
Note4
I
D
= 5A ，V
GS
= 4V
Note4
I
D
= 5A ，V
DS
= 10V
Note4
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
R
L
= 6
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
体漏二极管的正向电压V
DF
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
t
rr
2
2SK3082(L),2SK3082(S)
主要特点
功率与温度降额
40
P沟（W）的
最高安全工作区
1000
I
D
(A)
300
100
30
10
3
1
0.3
PW
30
10
0
s
1
=
10
ms
DC
m
O
s (1
pe
（T RA
笑
操作
C =蒂奥
t)
这个区域是
25 n
°C
限于由R
DS （ ON）
)
10
s
散热通道
20
10
漏电流
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
TA = 25°C
0.1
3
30
0.1 0.3
1
10
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10 V 6 V
20
脉冲测试
I
D
(A)
(A)
典型的传输特性
20
16
5V
16
TC = -25°C
12
25°C
I
D
12
4V
75°C
漏电流
8
漏电流
8
4
3V
V
GS
= 2.5 V
4
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
2
4
6
栅极至源极电压
8
10
V
GS
(V)
3
2SK3082(L),2SK3082(S)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
1.6
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
2.0
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1.0
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
V
GS
= 4 V
10 V
1.2
0.8
I
D
= 10 A
0.4
5A
2A
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
0.05
0.02
0.01
1
2
5
10 20
50
漏电流I
D
(A)
100
0
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.5
脉冲测试
0.4
正向转移导纳主场迎战
漏电流
20
10
5
TC = -25°C
0.3
I
D
= 10 A
0.2
V
GS
= 4 V
0.1
0
–40
10 V
10 A 2, 5 A
5A 2A
25 °C
75 °C
2
1
0.5
0.1 0.2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5 1
2
5 10 20
漏电流I
D
(A)
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
4
2SK3082(L),2SK3082(S)
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
电容C （PF ）
500
反向恢复时间trr （ NS ）
典型的电容比。
漏源极电压
200
100
50
20
10
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
500
西塞
200
科斯
100
50
20
10
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
5
0.1 0.2
0.5 1
2
反向漏电流
5 10 20
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
100
I
D
= 10A
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
V
DS
V
GS
20
1000
300
开关时间t（ NS ）
开关特性
80
16
漏源极电压
60
12
栅极至源极电压
100
30
10
3
1
0.1
吨D（关闭）
tf
吨D（上）
tr
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
4
8
12
16
栅极电荷Qg （ NC ）
4
0
20
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5微秒，占空比< 1 ％
0.2
0.5 1
5 10 20
2
漏电流I
D
(A)
0
5
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2SC1923R
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