中等功率晶体管（ 32V ， 1A ）
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
■特点
1 ）低V
CE （SAT） 。
V
CE （ SAT ）
=
0.2V(Typ.)
(I
C
/ I
B
=
500mA
/
50mA)
2 ） ，赞美2SD1664 /
2SD1858
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
尺寸
（单位：毫米）
2SB1132
0.5
+
0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6
+
0.1
1.5
+0.2
0.1
2SA1515S
4
+
0.2
2
+
0.2
3
+
0.2
4.0
+
0.3
2.5
+0.2
0.1
(15Min.)
(1)
(2)
(3)
0.4 0.1
1.5
+
0.1
1.0
+
0.2
0.4
+0.1
0.05
0.45
+0.15
0.05
0.4
+
0.1
1.5
+
0.1
0.5
+
0.1
3.0
+
0.2
3Min.
5
2.5
+0.4
0.1
0.5
0.45
+0.15
0.05
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
(1) (2) (3)
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
缩写符号： BA
2.5
+
0.2
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
2SB1237
6.8
+
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
+
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
+
0.5
4.4
+
0.2
0.9
0.45
+
0.1
ROHM ：
亚视
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
FE
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/4
2009.12 - Rev.C
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
40
32
5
1
2
0.5
2
P
C
0.3
1
Tj
TSTG
+
+
数据表
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
2
3
2SB1132
集电极电源
耗散
2SA1515S
2SB1237
结温
储存温度
W
150
55
to
+150
C
C
1
2
3
单脉冲， PW = 100毫秒
当安装在40 40 0.7毫米陶瓷板。
印刷电路板，1.7毫米厚，集电铜镀百毫米
2
或更大。
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
2SB1132 ， 2SB1237
2SA1515S
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
120
典型值。
0.2
150
20
马克斯。
0.5
0.5
0.5
390
390
30
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
I
C
=
50μA
I
C
=
1mA
I
E
=
50μA
V
CB
=
20V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
500mA/
50mA
V
CE
=
3V ，我
C
=
0.1A
V
CE
=
5V ，我
E
=50mA,
f=30MHz
V
CB
=
10V ，我
E
=0A,
f=1MHz
条件
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1132
2SA1515S
2SB1237
h
FE
QR
QR
QR
基本订购单位（件）
T100
1000
TAPING
TP
5000
TU2
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/4
2009.12 - Rev.C
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
ⅵELECTRICAL
特性曲线
-500
V
CE
=
6V
500
集电极电流：我
C
（MA ）
数据表
集电极电流：我
C
（MA ）
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
Ta
=
100 C
25 C
55 C
直流电流增益：H
FE
3.0
3.5
4.0
400 4.5
5.0
300
2.5
TA = 25℃
2.0
1.5
1000
TA = 25℃
500
V
CE
= 3V
1V
200
200
1.0
100
0.5
100
0
0
0.4
0.8
1.2
I
B
=0mA
1.6
2.0
50
1
2
5 10 20
50 100 200 500 1000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地
传播特性
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流
(Ι)
V
CE
=
3V
1000
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
1
0.5
TA = 25℃
I
C
/I
B
=10
1.0
TA = 25℃
直流电流增益：H
FE
0.8
500
TA = 100℃
200
25 C
55
C
0.2
0.1
0.05
0.6
l
C
= -500mA
0.4
100
50
1
2
0.02
0.01
1 2
0.2
l
C
= -300mA
2
5
10
20
50 100
5 10 20
50 100 200 5001000
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
0
1
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
基极电流：我
B
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流
(ΙΙ)
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图6集电极 - 发射极饱和
电压与电流基地
跃迁频率：F
T
（兆赫）
TA = 25℃
V
CE
=
5V
200
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
100
集电极电流：我
C
(A)
TA = 25℃
f=1MHz
I
E
=0A
50
5
2
s
0m
=
1
P
w
ms
00
=
1
Pw
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
TA = 25℃
*单
脉冲
0.01
0
0.2 0.5 1
D
C
100
50
20
20
1
2
5
10
20
50 100
10
0.5
1
2
5
10
20
2
5 10 20
50
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图7增益带宽积
与发射极电流
图8集电极输出电容
vs.collector - 基极电压
图9安全作业区
(2SB1132)
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
3/4
2009.12 - Rev.C
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
5
集电极电流：我
C
(A)
数据表
瞬态热阻，R
th
（ C / W ）
1000
TA = 25℃
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2
I
C（最大值）
.
TA = 25℃
单脉冲
瞬态热
电阻值：R
th
（ C / W ）
200
100
50
TA = 25℃
100
P
W
=10ms
P
W
=100ms
DC
10
20
10
5
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
期：T
(s)
10
100
1000
0.5 1
2
5 10 20
50
2
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
期：T
(s)
图10瞬态热阻
(2SB1132)
图11安全作业区
(2SB1237)
图12瞬态热阻
(2SB1237)
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
4/4
2009.12 - Rev.C
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
R0039A
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
晶体管
中等功率晶体管（ -32V ， -1A ）
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
特点
1 ）低V
CE （SAT） 。
V
CE （ SAT ）
=
0.2V(Typ.)
(I
C
/ I
B
=
500mA
/
50mA)
2 ） ，赞美2SD1664 /
2SD1858
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1132
0.5
+
0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6
+
0.1
1.5
+0.2
0.1
2SA1515S
4
+
0.2
2
+
0.2
3
+
0.2
4.0
+
0.3
2.5
+0.2
0.1
(15Min.)
(1)
(2)
(3)
0.4 0.1
1.5
+
0.1
1.0
+
0.2
0.4
+0.1
0.05
0.45
+0.15
0.05
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
0.4
+
0.1
1.5
+
0.1
0.5
+
0.1
3.0
+
0.2
3Min.
5
2.5
+0.4
0.1
0.5
0.45
+0.15
0.05
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
(1) (2) (3)
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
缩写符号： BA
2.5
+
0.2
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
2SB1237
6.8
+
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
+
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
+
0.5
4.4
+
0.2
0.9
0.45
+
0.1
ROHM ：
亚视
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
FE
REV.B
1/4
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
40
32
5
1
2
0.5
2
P
C
0.3
1
Tj
TSTG
+
+
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
2
3
2SB1132
集电极电源
耗散
2SA1515S
2SB1237
结温
储存温度
W
150
55
to
+150
C
C
1
2
3
单脉冲， PW = 100毫秒
当安装在40 40 0.7毫米陶瓷板。
印刷电路板，1.7毫米厚，集电铜镀百毫米
2
或更大。
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
2SB1132 ， 2SB1237
2SA1515S
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
82
120
典型值。
0.2
150
20
马克斯。
0.5
0.5
0.5
390
390
30
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
20V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
500mA/
50mA
V
CE
=
3V ，我
C
=
0.1A
V
CE
=
5V ，我
E
=50mA,
f=30MHz
V
CB
=
10V ，我
E
=0A,
f=1MHz
条件
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1132
2SA1515S
2SB1237
h
FE
PQR
QR
PQR
基本订购单位（件）
T100
1000
TAPING
TP
5000
TU2
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
REV.B
2/4
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
晶体管
电气特性曲线
-500
集电极电流：我
C
（MA ）
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
Ta
=
100 C
25 C
55 C
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=
6V
500
300
1.5
直流电流增益：H
FE
3.0
3.5
4.0
400 4.5
5.0
2.5
TA = 25℃
2.0
1000
TA = 25℃
500
V
CE
= 3V
1V
200
200
1.0
100
0.5
100
0
0
0.4
0.8
1.2
I
B
=0mA
1.6
2.0
50
1
2
5 10 20
50 100 200 500 1000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地
传播特性
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流
(Ι)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
V
CE
=
3V
1000
直流电流增益：H
FE
0.5
TA = 25℃
I
C
/I
B
=10
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
1
1.0
TA = 25℃
0.8
500
TA = 100℃
200
25 C
55
C
0.2
0.1
0.05
0.6
l
C
= -500mA
0.4
100
50
1
2
0.02
0.01
1 2
0.2
l
C
= -300mA
2
5
10
20
50 100
5 10 20
50 100 200 5001000
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
0
1
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
基极电流：我
B
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流
(ΙΙ)
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图6集电极 - 发射极饱和
电压与电流基地
跃迁频率：F
T
（兆赫）
TA = 25℃
V
CE
=
5V
200
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
100
集电极电流：我
C
(A)
TA = 25℃
f=1MHz
I
E
=0A
50
5
2
=
1
Pw
s
0m
=
1
P
w
ms
00
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
TA = 25℃
*单
脉冲
0.01
0
0.2 0.5 1
D
C
100
50
20
20
1
2
5
10
20
50 100
10
0.5
1
2
5
10
20
2
5 10 20
50
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图7增益带宽积
与发射极电流
图8集电极输出电容
vs.collector - 基极电压
图9安全作业区
(2SB1132)
REV.B
3/4
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
晶体管
瞬态热阻，R
th
（ C / W ）
1000
TA = 25℃
5
集电极电流：我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2
I
C（最大值）
.
TA = 25℃
单脉冲
200
100
TA = 25℃
100
瞬态热
电阻值：R
th
（ C / W ）
2
5 10 20
50
50
P
W
=10ms
P
W
=100ms
DC
10
20
10
5
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
期：T
(s)
10
100
1000
0.5 1
2
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
期：T
(s)
图10瞬态热阻
(2SB1132)
图11安全作业区
(2SB1237)
图12瞬态热阻
(2SB1237)
REV.B
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
晶体管
中功率晶体管
(*32V,
*1A)
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
*0.2V
（典型值）。
(I
C
/ I
B
= -500mA / -50mA ）
2 ） ，赞美2SD1664 /
2SD1858.
FStructure
外延平面型
PNP硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-120-B12)
207
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
规格和h
FE
h
FE
值被分类如下：
208
晶体管
FElectrical
特性曲线
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
209
晶体管
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
210
2SA1515S / 2SB1237
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SA1515S
2SB1237
h
FE
QR
QR
基本订购单位（件）
TP
5000
TAPING
TU2
2500
数据表
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
-500
集电极电流：我
C
（MA ）
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
Ta
=
100 C
25 C
55 C
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=
6V
500
直流电流增益：H
FE
3.0
3.5
4.0
400 4.5
5.0
300
2.5
TA = 25℃
2.0
1.5
TA = 25℃
1000
500
V
CE
= 3V
1V
200
200
1.0
100
0.5
100
0
0
0.4
0.8
1.2
I
B
=0mA
1.6
2.0
50
1
2
5 10 20
50 100 200 500 1000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地
传播特性
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流
(Ι)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
V
CE
=
3V
1000
直流电流增益：H
FE
0.5
TA = 25℃
I
C
/I
B
=10
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
1
1.0
TA = 25℃
0.8
500
TA = 100℃
200
25 C
55
C
0.2
0.1
0.05
0.6
l
C
= -500mA
0.4
100
50
1
2
0.02
0.01
1 2
0.2
l
C
= -300mA
2
5
10
20
50 100
5 10 20
50 100 200 5001000
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
0
1
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
基极电流：我
B
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流
(ΙΙ)
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图6集电极 - 发射极饱和
电压与电流基地
跃迁频率：F
T
（兆赫）
TA = 25℃
V
CE
=
5V
200
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
100
集电极电流：我
C
(A)
TA = 25℃
f=1MHz
I
E
=0A
50
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2
0.5 1
2
P
W
=10ms
P
W
=100ms
DC
I
C（最大值）
.
TA = 25℃
单脉冲
100
50
20
20
1
2
5
10
20
50 100
10
0.5
1
2
5
10
20
5 10 20
50
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图7增益带宽积
与发射极电流
图8集电极输出电容
vs.collector - 基极电压
图9安全作业区
(2SB1237)
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
2/3
2010.04 - Rev.D
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
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2010 ROHM有限公司保留所有权利。
R1010A
晶体管
中功率晶体管
(*32V,
*1A)
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
*0.2V
（典型值）。
(I
C
/ I
B
= -500mA / -50mA ）
2 ） ，赞美2SD1664 /
2SD1858.
FStructure
外延平面型
PNP硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-120-B12)
207
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
规格和h
FE
h
FE
值被分类如下：
208
晶体管
FElectrical
特性曲线
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
209
晶体管
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
210
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