2SK3933-01L,S,SJ
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
200406
FUJI功率MOSFET
超级FAP -G系列
特点
高速开关
无二次击穿
雪崩型
低导通电阻
低驱动功率
看到P4
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
UPS （不间断电源）
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
E
AS
E
AR
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
评级
500
500
11
±44
±30
11
453.9
16.5
20
5
165
1.67
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
备注
V
GS
=-30V
栅极（G ）
等效电路示意
漏极（D ）
注* 1
注* 2
注* 3
源极（S ）
注* 1 ：总胆固醇< 150 ° C，重复和不重复
=
注* 2 ： StartingTch = 25 ° C，I
AS
=4.4A,L=43mH,
V
CC
=50V,R
G
=50
E
AS
受到最大通道温度
和雪崩电流。
看到了“雪崩能量”图
注* 3 ：重复评价：脉冲宽度有限的
最大信道的温度。
看到了“瞬态热阻抗”
图。
*注4 ：我
F
< -I
D
， -di / DT = 50A /
S，V
CC
< BV
DSS
， Tch< 150℃
=
=
=
KV / μs的V
DS
< 500V
=
KV / μs注* 4
Tc=25°C
W
Ta=25°C
°C
°C
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
SD
t
rr
Q
rr
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=500V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 5.5A V
GS
=10V
I
D
= 5.5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MH
V
CC
= 300V我
D
=5.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=11A
V
GS
=10V
I
F
= 11A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 11A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.70
单位
V
V
A
A
nA
S
pF
4.5
10
0.57
9.0
950
1425
130
195
6.0
9.0
16
24
6.0
9.0
33
50
5.5
8.3
25
38
10
15
8.0
12
1.10
1.50
650
5.5
ns
nC
V
ns
C
热特性
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
分钟。
典型值。
马克斯。
0.758
75
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3933-01L,S,SJ
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
200
180
30
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
25
160
140
20
120
20V
10V
8.0V
PD [ W]
100
80
ID [ A]
7.0V
15
10
60
40
5
20
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
25
6.5V
VGS=6.0V
30
35
40
TC [
°
C]
VDS [V]的
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
10
ID [ A]
1
GFS [S]
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
2.0
1.8
1.6
1.4
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=6.0V
6.5V
7.0V
2.0
1.8
1.6
1.4
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 5.5A ， VGS = 10V
RDS （上）
]
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
RDS （上）
]
8.0V 10V
20V
1.2
1.0
马克斯。
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
典型值。
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3933-01L,S,SJ
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 11A ，总胆固醇= 25
°
C
12
VCC = 100V
马克斯。
10
250V
400V
VGS （ TH） [V]
4.5
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
VGS电压[V]的
4.0
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
4
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
100
西塞
10
3
10
C [ pF的]
10
2
科斯
IF [ A]
1
0.1
0.00
10
1
CRSS
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
VDS [V]的
VSD [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
500
450
400
350
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V
I
AS
=4.4A
10
2
tf
TD （关闭）
300
I
AS
=6.6A
EAV [兆焦耳]
T [ NS ]
250
200
150
I
AS
=11A
TD （上）
10
1
tr
100
50
10
0
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3933-01L,S,SJ
10
2
FUJI功率MOSFET
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=50V
单脉冲
10
雪崩电流I
AV
[A]
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
外形图（毫米）
式（L）的
式（S）
式（ SJ ）
4
1
2 3
1
4 2
3
1
2 3
1
2
3
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4
QQ：2881677436 复制
