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2SA1955FV
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
2SA1955FV
通用运算放大器应用
开关和静音开关的应用
0.22±0.05
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
0.13±0.05
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
单位：mm
低饱和电压： V
CE （SAT）
(1) =
15
毫伏（典型值）
@I
C
=
10
毫安/ I
B
=
0.5
mA
1.2±0.05
0.8±0.05
0.4
0.4
大的集电极电流：I
C
=
400
毫安（最大）
1
2
3
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
15
12
5
400
50
150 *
150
55~150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
VESM
JEDEC
JEITA
东芝
0.5±0.05
V
―
―
2-1L1A
* ：装在FR4电路板（25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6mmt)
0.5mm
0.45mm
0.45mm
0.4mm
重量： 0.0015克（典型值）。
记号
1
2004-06-07
2SA1955FV
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （饱和）（1）
V
CE （饱和）（2）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
R
on
t
on
测试条件
V
CB
= 15
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
= 10
mA
I
C
= 10
妈，我
B
= 0.5
mA
I
C
= 200
妈，我
B
= 10
mA
I
C
= 200
妈，我
B
= 10
mA
V
CE
= 2
V，I
C
= 10
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
I
B
= 1
毫安，V
in
= 1
V
RMS
, f
=
1千赫
民
300
80
典型值。
15
110
0.87
130
4.2
0.9
40
最大
0.1
0.1
1000
30
250
1.2
单位
A
A
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
导通电阻集电极 - 发射极
开启时间
mV
V
兆赫
pF
开关时间
贮存时间
t
英镑
280
ns
下降时间
t
f
I
B1
= I
B2
=
5毫安
45
注：H
FE
分类
答： 300 600 ， B： 500 1000
2
2004-06-07
2SA1955FV
3
2004-06-07
2SA1955FV
P
C
- TA
（ mW）的
200
安装在FR4板
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6万吨）
150
集电极耗散功率P
C
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
环境温度
Ta
(°C)
4
2004-06-07
2SA1955FV
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
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承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合安全标准
在作出安全设计为整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或者这样的失败
东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝的产品不应该被嵌入到被禁止生产和下游产品
出售，根据任何法律和法规。
5
2004-06-07
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28C64A-15/L
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