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首字符2的型号第576页
> 2SK3123
动力F- MOS场效应管
2SK3123
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证
q
高速开关
q
低导通电阻
q
无二次击穿
q
低电压驱动
q
高压静电击穿电压
单位:mm
5.0±0.1
10.0±0.2
1.0
s
应用
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路,一个马达
q
控制设备
q
开关电源
13.0±0.2
4.2±0.2
90
2.5±0.2
1.2±0.1
C1.0
2.25±0.2
18.0±0.5
浸焊
0.35±0.1
0.65±0.1
1.05±0.1
0.55±0.1
0.55±0.1
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
60
±20
±15
±30
11.25
15
2
150
55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
C1.0
1 2 3
2.5±0.2
2.5±0.2
1 :门
2 :排水
3 :源
MT4类型封装
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 0.1mH ,我
L
= 15A , 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS(on)1
R
DS(on)2
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D(上)
t
r
t
f
t
D(关闭)
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
V
DD
= 30V ,我
D
= 10A
V
GS
= 10V ,R
L
= 3
条件
V
DS
= 50V, V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 10A
V
GS
= 4V ,我
D
= 6A
V
DS
= 10V ,我
D
= 10A
I
DR
= 10A ,V
GS
= 0
330
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
290
70
20
150
500
1350
8.33
62.5
7
60
1
32
42
13
1.3
2.5
60
80
民
典型值
最大
10
±10
单位
A
A
V
V
m
m
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
RSS
开启时间(延迟时间)
上升时间
下降时间
关断时间(延迟时间)
通道与外壳之间的热阻
通道与大气之间的热电阻
1
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2SK3123
PDF信息
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24LC64T-I/ST
2RD402A1X16
28C64A-15/L
28C64A15/L
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QQ:2880707522
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2SK3123
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TOSHIBA/东芝
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