订购数量： ENN8244
2SK3827
2SK3827
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
超高速开关。
马达驱动器，直流/直流转换器。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
100
±20
40
160
1.75
60
150
--55到150
190
40
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = 20V ， L = 200μH ， IAV = 40A
*2
L≤200μH ，单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 100V ， VGS = 0
VGS =
±16V,
VDS=0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 20A
ID = 20A ， VGS = 10V
ID = 20A ， VGS = 4V
评级
民
100
1
±10
1.2
18.5
31
26
31
34
43
2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
标记： K3827
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
31005QA TS IM TB- 00001203 No.8244-1 / 4
2SK3827
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 40A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 40A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 40A
IS = 40A ， VGS = 0
评级
民
典型值
4200
300
250
30
68
300
110
79
14
18
1.0
1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm
2052C
10.2
3.6
5.1
4.5
1.3
18.0
5.6
1.2
0.8
1 2 3
14.0
15.1
2.7
6.3
0.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220
2.55
2.55
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
ID=20A
RL=2.5
VDD=50V
2.7
雪崩电阻测试电路
L
≥50
D
PW=10s
D.C.≤1%
VOUT
2SK3827
G
10V
0V
2SK3827
50
VDD
P.G
50
S
No.8244-2/4
2SK3827
10
9
VGS - 的Qg
VDS=50V
ID=40A
3
2
100
7
5
ASO
IDP=160A
ID=40A
<10s
10
0
s
栅极 - 源极电压VGS - V
10
s
8
漏极电流ID -
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
s
1
10
0ms
DC
0m
s
op
ERA
TIO
n
1m
0.1
0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
总栅极电荷QG - 数控
2.0
IT08886
70
PD - TA
允许功耗， PD - 含
漏极至源极电压VDS - V
IT08887
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
1.75
1.5
60
50
40
1.0
30
0.5
20
10
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT08843
外壳温度，TC -
°C
IT08856
注意使用情况：由于2SK3827是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
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产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
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