2SK2967
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK2967
DC-DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
: R
DS （ ON）
= 48毫欧（典型值）。
: |Y
fs
| = 30 S（典型值）。
单位：mm
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 250 V)
增强型： V
th
= 1.5~3.5 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
30
120
150
925
30
15
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.门
2.漏极（散热片）
3.源
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-16C1B
重4.6克（典型值）
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
0.833
50
单位
C / W
C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.74 mH的，我
AR
= 30 A，R
G
= 25
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
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2006-11-21
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