2SK371
东芝场效应晶体管
硅N沟道结型
2SK371
对于低噪声音频放大器应用
适合于用作对均衡器和MC前置放大器第一级。
高| Y
fs
|: |Y
fs
| （典型值） = 40毫秒（V
DS
= 10 V, V
GS
= 0, I
DSS
= 5 mA）的
高击穿电压： V
GDS
=
40
V
超低噪音： NF = 1.0分贝（典型值）。
(V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5毫安， F = 1千赫，R
G
= 100
)
高输入阻抗：我
GSS
=
1
nA的（最大） （Ⅴ
GS
=
30
V)
小型封装
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
栅 - 漏电压
栅电流
漏极功耗
结温
存储温度范围
符号
V
GDS
I
G
P
D
T
j
T
英镑
等级
40
10
200
125
55~125
单位
V
mA
mW
°C
°C
注意：
重负载下连续使用（例如应用
JEDEC
―
高温/电流/电压和在显著变化
JEITA
―
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
东芝
2-4E1C
工作温度/电流/电压等）内的
重量：0.21克（典型值）。
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ），并
个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极截止电流
栅极 - 漏极击穿电压
漏电流
栅极 - 源极截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
I
GSS
V
（ BR ） GDS
I
DSS
（注1 ）
V
GS （关闭）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
NF （1）
噪声系数
（注2 ）
NF（ 2）
测试条件
V
GS
= 30
V, V
DS
=
0
V
DS
=
0, I
G
= 100 μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0
V
DS
=
10 V，I
D
=
0.1
μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1千赫，
（典型值：我
DSS
=
5毫安）
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DG
=
10 V，I
D
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V ，R
G
=
100
Ω,
I
D
=
5毫安，
f
=
100赫兹
V
DS
=
10 V ，R
G
=
100
Ω,
I
D
=
5毫安，
f
=
1千赫
民
40
5.0
0.3
25
典型值。
40
75
15
5
1
最大
1.0
30
1.2
10
dB
2
单位
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
注1 ：我
DSS
分类GR ： 5.0 10.0毫安， BL ： 8.0 16.0毫安，V ： 14.0 30.0毫安
注2 ：在低电压地区使用此（V
DS
＆ LT ;
15 V ）的低噪声应用。
1
2007-11-01
2SK371
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
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2007-11-01
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